CY8570 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 4 en 4H Type SEMI (HPSI)

Plaquette de carbure de silicium SiC Substrat 4 en 4H type SEMI (HPSI) Description

La plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 4 en 4H de type SEMI (HPSI) offre une plate-forme robuste pour les applications électroniques et optoélectroniques de haute performance. Réputé pour sa conductivité thermique supérieure, sa large bande interdite et sa tension de claquage exceptionnelle, ce matériau assure une dissipation efficace de la chaleur et un fonctionnement fiable dans des conditions extrêmes. Sa qualité de semi-isolant de haute pureté (HPSI) améliore encore les performances des dispositifs en minimisant les chemins de conduction parasites et en réduisant les interférences électriques.

Fabriquée selon les normes SEMI strictes, chaque plaquette de 4H-SiC est soumise à un contrôle de qualité rigoureux afin de garantir une épaisseur, une planéité et une intégrité de surface constantes. Cette fabrication de précision permet d'obtenir une structure cristalline optimale et de minimiser les défauts, ce qui en fait un produit idéal pour l'électronique de puissance de pointe, les dispositifs RF et la recherche avancée sur les semi-conducteurs. Les ingénieurs et les chercheurs peuvent faire confiance à ce substrat SiC de haute qualité pour les applications exigeantes en termes de durabilité, d'efficacité et de fiabilité.

Substrat SiC pour plaquette de carbure de silicium 4 pouces 4H Applications de type SEMI (HPSI)

Cette plaquette de carbure de silicium (SiC) de type SEMI 4H de 4 pouces (HPSI) se distingue par sa conductivité thermique élevée, sa large bande interdite et son excellente stabilité chimique. Ces caractéristiques en font un matériau idéal pour l'électronique de pointe, les composants de haute puissance et la fabrication industrielle spécialisée. En outre, sa résistance mécanique supérieure et sa faible densité de défauts permettent d'améliorer les performances, la fiabilité et la longévité des dispositifs, ce qui ouvre la voie à de nombreuses applications commerciales, industrielles et de recherche.

1) Applications industrielles

-Fabrication automobile : Utilisé dans l'électronique de puissance à haute température pour les véhicules électriques, améliorant l'efficacité et la longévité des modules de puissance.

-Traitement chimique : Offre une excellente résistance à la corrosion dans les environnements difficiles, ce qui permet d'obtenir des composants de réacteur plus stables et plus durables.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Innovation dans le domaine des semi-conducteurs : sert de plateforme pour le développement de dispositifs d'alimentation de nouvelle génération fonctionnant à des tensions et des températures plus élevées.

-Études en science des matériaux : Permet d'explorer les propriétés des semi-conducteurs à large bande interdite, ce qui fait progresser les connaissances en matière d'optimisation des dispositifs à haute fréquence et à haute puissance.

3) Applications commerciales

-Infrastructures de télécommunications : Amélioration des circuits haute fréquence pour les équipements de transmission de données fiables et à grande vitesse.

-Systèmes d'énergie renouvelable : Permet d'améliorer l'efficacité de la conversion énergétique et la gestion thermique des onduleurs solaires, ce qui favorise des solutions de production d'énergie plus propres.

Plaquette de carbure de silicium SiC Substrat 4 en 4H Emballage de type SEMI (HPSI)

Chaque plaquette de carbure de silicium (4 pouces, type SEMI 4H, HPSI) est scellée individuellement dans un sac antistatique, scellé sous vide et placé à l'intérieur d'une cassette rigide de plaquettes. Une couche de film résistant à la corrosion protège contre la pénétration de l'humidité, tandis que le stockage à l'azote garantit un environnement à faible taux d'humidité. Des options d'emballage personnalisables, notamment des cassettes spécialisées et des sachets sous vide étiquetés, sont disponibles. Toutes les zones de manipulation sont soumises à des normes strictes de salle blanche afin de minimiser les risques de contamination et de garantir l'intégrité du produit.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 4 en 4H Type SEMI (HPSI) FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés de la plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 4 in 4H SEMI-type (HPSI) ?

R1 : Les plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 4 in 4H SEMI-type (HPSI) présentent généralement une conductivité thermique élevée, un faible coefficient de dilatation thermique, une excellente résistance mécanique et une large bande interdite. Il se caractérise également par une grande stabilité chimique et une tension de claquage supérieure, ce qui le rend idéal pour les applications à haute température et à haute puissance. La structure de polytype 4H contribue à ses propriétés électriques uniques en offrant une plus grande mobilité des électrons, ce qui est bénéfique pour les dispositifs électroniques de puissance nécessitant une efficacité et une fiabilité élevées.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Lors de la manipulation des plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 4 in 4H de type SEMI (HPSI), les opérateurs doivent utiliser des gants de salle blanche et s'assurer que l'environnement n'est pas contaminé. Le contact direct avec les doigts doit être évité afin de prévenir l'accumulation de particules ou les rayures. Les plaquettes doivent être stockées dans des conteneurs ou des cassettes sans électricité statique et à température contrôlée, avec une exposition limitée aux changements atmosphériques. Un étiquetage correct, un empilage soigné et le maintien d'un faible taux d'humidité sont essentiels pour préserver la qualité des plaquettes.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 4 in 4H de type SEMI (HPSI) ?

A3 : Les plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 4 in 4H de type SEMI (HPSI) respectent généralement les normes SEMI M55, qui définissent les spécifications relatives au diamètre, à l'épaisseur et à la qualité de la surface des plaquettes de carbure de silicium. Les fabricants respectent également souvent la norme ISO 9001 pour les systèmes de gestion de la qualité, ce qui garantit la cohérence et la traçabilité des produits. D'autres certifications, telles que la conformité RoHS et le marquage CE, peuvent être applicables en fonction des exigences spécifiques de l'utilisation finale ou des directives réglementaires régionales.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages des matériaux

Conçue pour les applications de puissance et de radiofréquence avancées, la plaquette de carbure de silicium de 4 pouces de type SEMI 4H (HPSI) présente une large bande interdite qui assure une stabilité thermique supérieure et des champs de rupture électrique élevés. Ces caractéristiques uniques permettent au substrat de supporter des tensions de fonctionnement élevées, ce qui le rend particulièrement utile dans les convertisseurs de puissance et les dispositifs de commutation où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales. En outre, la structure cristalline du 4H-SiC permet d'améliorer la mobilité des électrons, ce qui se traduit directement par une accélération des performances des dispositifs et une réduction des pertes d'énergie par rapport à d'autres matériaux semi-conducteurs.

Combinant une grande pureté et une nature semi-isolante, la plaquette garantit une excellente isolation entre les régions actives du dispositif, minimisant ainsi efficacement la diaphonie et les courants de fuite. Cette propriété est cruciale pour les systèmes de communication et les technologies des capteurs qui exigent un contrôle précis des signaux. Le format de 4 pouces de diamètre offre une plus grande surface pour la fabrication des dispositifs, ce qui permet en fin de compte d'augmenter les rendements et de réduire les coûts de production pour les fabricants spécialisés dans les circuits à haute fréquence et l'électronique de puissance.

2. Applications dans les industries de pointe

Grâce à sa forte conductivité thermique et à sa structure chimique robuste, la plaquette de carbure de silicium de 4 pouces de type SEMI 4H (HPSI) est largement utilisée dans les systèmes aérospatiaux et les réseaux de distribution d'énergie. En maintenant un fonctionnement stable dans de larges plages de température, ces plaquettes sont idéales pour le déploiement de satellites et de missions dans l'espace lointain qui nécessitent des composants semi-conducteurs durables et efficaces. En outre, leur résistance aux dommages causés par les radiations renforce la fiabilité dans des environnements exigeants où les matériaux conventionnels risquent de tomber en panne prématurément.

Repoussant les frontières des énergies renouvelables, ce substrat SiC de pointe fait partie intégrante des onduleurs solaires et des contrôleurs d'éoliennes de la prochaine génération. À mesure que le marché mondial s'oriente vers des sources d'énergie plus vertes, la capacité d'optimiser la gestion de l'énergie et de réduire les pertes de conversion devient de plus en plus vitale. Par conséquent, de nombreux systèmes de batteries industrielles à haute tension tirent parti de la tension de claquage élevée de la plaquette pour former des modules d'alimentation compacts et à haut rendement, répondant ainsi aux exigences des infrastructures modernes d'énergie durable.