CY8567 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 3 en 6H Type P

Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 3 pouces 6H type P Description

Découvrez les performances exceptionnelles de notre plaquette de carbure de silicium de type 6H P de 3 pouces, conçue pour offrir des propriétés matérielles supérieures pour les applications électroniques de pointe et les applications à haute température. Sa large bande interdite, sa conductivité thermique exceptionnelle et sa remarquable stabilité chimique garantissent des performances robustes dans des conditions exigeantes. Le polytype 6H garantit une structure cristalline uniforme et une mobilité accrue des porteurs, tandis que le dopage de type P offre des caractéristiques de conduction fiables, essentielles pour les dispositifs de puissance et les composants à haute fréquence.

Fabriquée selon des normes de qualité strictes, chaque plaquette est soumise à des tests rigoureux afin de respecter des tolérances d'épaisseur serrées et de maintenir des niveaux de défaut minimaux. Cette attention portée à la qualité permet d'obtenir une morphologie de surface cohérente et un rendement fiable des dispositifs. Idéal pour les applications dans le domaine de l'électronique de puissance, des capteurs pour environnements difficiles et de la recherche avancée, notre substrat SiC de type 6H P constitue la référence en matière de solutions semi-conductrices de haute performance.

Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 3 dans les applications de type 6H P

Les plaquettes de carbure de silicium (substrat SiC) de type 6H P offrent des caractéristiques physiques et électroniques robustes adaptées à diverses industries. Sa large bande interdite, sa conductivité thermique élevée et ses solides propriétés mécaniques permettent de fabriquer des dispositifs efficaces, fiables et durables. En maximisant les capacités de conversion d'énergie et de dissipation de la chaleur, ce substrat contribue à faire progresser les systèmes haute performance de la prochaine génération, en stimulant l'innovation dans les domaines de l'électronique, des appareils de soins de santé et des applications de recherche scientifique.

1) Industrie de l'électronique et des semi-conducteurs

-Application 1 : idéale pour les transistors de puissance dans les circuits à haute tension et à haute fréquence, en tirant parti de la large bande interdite et de la résistance à la chaleur.

-Application 2 : améliore la fiabilité des convertisseurs de haute puissance pour les centres de données et l'électronique commerciale à haut rendement énergétique.

2. applications médicales et de santé

-Application 1 : offre des modules de capteurs stables et de haute précision pour les équipements d'imagerie avancés.

-Application 2 : facilite le développement d'appareils médicaux compacts et tolérants à la chaleur pour la surveillance et le diagnostic des patients.

3. recherche et outils scientifiques

-Application 1 : sert de matériau de base robuste dans les plates-formes de laboratoire sur puce pour l'analyse chimique

-Application 2 : permet d'améliorer les performances des équipements de spectroscopie grâce à des propriétés thermiques et électriques supérieures.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 3 dans un emballage de type P 6H

Nos plaquettes de carbure de silicium (SiC) de type 6H P de 3 pouces sont placées individuellement dans des conteneurs sécurisés contre les décharges électrostatiques, entourés d'inserts en mousse. Chaque plaquette est scellée sous vide pour une meilleure protection contre l'humidité, minimisant ainsi les risques de dommages et de contamination. Stocker dans un endroit frais et sec avec des niveaux d'humidité stables et une exposition minimale aux UV. Nous recommandons d'utiliser une salle blanche de classe ISO pour la manipulation afin d'éviter toute contamination. Des emballages personnalisés, tels que la purge à l'azote ou le blindage double couche, sont disponibles sur demande.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 3 en 6H type P FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des substrats en carbure de silicium SiC Wafer 3 en 6H de type P ?

R1 : La plaquette de carbure de silicium de type 6H P de 3 pouces offre une large bande interdite (~3 eV), une excellente conductivité thermique (~4,9 W/cm-K) et un champ électrique de rupture élevé (~3 MV/cm). Son dopage de type P utilise généralement de l'aluminium ou du bore, ce qui assure une conductivité stable des trous. La structure cristalline hexagonale 6H garantit une mobilité supérieure des électrons le long de certains axes. Ce matériau résiste également à des températures élevées, ce qui permet des applications de dispositifs à haute puissance et à haute fréquence avec des courants de fuite minimaux dans des conditions extrêmes.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké pour préserver son intégrité ?

R2 : Manipulez la plaquette par les bords en utilisant des gants non abrasifs pour éviter d'introduire des rayures ou des contaminants. Conservez-la dans un environnement propre et sec, avec une exposition minimale à la lumière et à l'humidité. Utilisez des supports antistatiques et maintenez des conditions de température et d'humidité stables. Mettre en œuvre des protocoles de nettoyage minutieux en cas d'accumulation de résidus de surface, en veillant à n'utiliser que des solutions de solvants approuvées. Un étiquetage approprié et un emballage sûr permettent d'éviter les mélanges involontaires ou les dommages à la surface.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 3 in 6H P-type ?

R3 : Les fabricants réputés respectent les normes ISO 9001 pour la gestion générale de la qualité et ISO 14001 pour la responsabilité environnementale. En outre, les plaquettes destinées aux applications semi-conductrices sont souvent conformes aux normes SEMI (SEMI M55, par exemple) régissant l'épaisseur, l'orientation et la planéité des substrats. Certains fournisseurs sont également certifiés RoHS et REACH pour garantir la conformité avec les réglementations sur les substances dangereuses. Des audits et une documentation réguliers garantissent la traçabilité, ce qui permet de s'assurer que chaque plaquette répond à des exigences strictes en matière de performances et de sécurité.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Ce substrat de carbure de silicium SiC de 3 pouces de diamètre et de structure cristalline 6H offre une conductivité thermique exceptionnelle, ce qui le rend idéal pour les applications exigeant une dissipation efficace de la chaleur. Le dopage de type P garantit une conductivité électrique fiable, permettant des performances stables dans les circuits à haute puissance tels que ceux utilisés dans les convertisseurs de puissance et les dispositifs de commutation à haute tension. La structure en treillis robuste de la plaquette lui confère une résistance exceptionnelle à la rupture, ce qui contribue à prolonger la durée de vie des dispositifs, même dans des conditions de travail exigeantes.

Caractérisée par une large bande interdite, la plaquette de type P 6H présente des courants de fuite plus faibles à des températures élevées que les matériaux semi-conducteurs conventionnels. Son champ de rupture élevé renforce encore la fiabilité des dispositifs, minimise les pertes d'énergie et améliore l'efficacité globale du système. En outre, la capacité de la plaquette à résister aux environnements opérationnels difficiles, notamment aux températures extrêmes et à l'exposition aux produits chimiques, offre un avantage certain aux fabricants qui s'efforcent de mettre au point des composants durables de la prochaine génération.

2. Applications dans les industries de pointe

Les systèmes électroniques de puissance avancés bénéficient grandement du substrat de carbure de silicium de type 6H P en raison de sa capacité à supporter des tensions et des courants élevés. Dans les véhicules électriques, ces plaquettes sont utilisées dans les modules de commande de puissance qui exigent des vitesses de commutation rapides et une dissipation d'énergie minimale, améliorant ainsi l'efficacité du véhicule et prolongeant l'autonomie de la batterie. Les applications aérospatiales tirent également parti des propriétés de résistance à la chaleur des plaquettes pour gérer les charges thermiques dans les systèmes avioniques, améliorant ainsi la fiabilité et les performances globales.

Les secteurs de la technologie médicale capitalisent sur les plaquettes de carbure de silicium de type SiC Substrate 3 in 6H P pour leur durabilité et leur fonctionnement stable dans des environnements à haute température. Les équipements d'imagerie et de diagnostic fonctionnent souvent sous des charges continues, ce qui rend les substrats robustes et performants essentiels pour un fonctionnement ininterrompu. En incorporant ces substrats, les fabricants d'appareils médicaux garantissent une acquisition précise des données et un fonctionnement fiable des systèmes, soutenant ainsi l'effort continu d'innovation dans le domaine des soins de santé.