CY8564 Silicon Carbide Wafer SiC Substrate 2 in 3C N-type

Substrat de carbure de silicium SiC 2 pouces 3C de type N Description

Notre substrat de carbure de silicium (SiC) de type 3C N de 2 pouces offre une conductivité thermique exceptionnelle, une large bande interdite et une excellente résistance mécanique, ce qui en fait un choix idéal pour les applications de pointe dans le domaine de l'électronique de puissance et des dispositifs à haute fréquence. Le polytype 3C garantit une structure cristalline stable qui offre des performances supérieures dans des environnements exigeants, notamment des températures élevées et des tensions élevées. Son polytype 3C garantit une structure cristalline stable qui offre des performances supérieures dans des environnements exigeants, notamment des températures élevées et des tensions élevées. Ces propriétés uniques permettent un fonctionnement fiable dans des conditions difficiles, réduisant les pertes d'énergie et garantissant une gestion efficace de l'énergie.

Fabriquée selon des normes de qualité strictes, chaque plaquette de SiC fait l'objet d'une inspection rigoureuse afin de maintenir une faible densité de défauts et des niveaux de dopage uniformes. Ce souci du détail maximise le rendement et la reproductibilité des dispositifs, fournissant une plateforme cohérente pour la recherche, le développement et la fabrication à l'échelle commerciale. Que ce soit pour la recherche avancée sur les semi-conducteurs ou les systèmes industriels de haute performance, notre substrat SiC 3C de type N de 2 pouces promet fiabilité et excellence en termes de performances.

Substrat SiC de plaquette de carbure de silicium 2 pouces 3C de type N Applications

Les plaquettes de carbure de silicium (substrat SiC 2 in 3C de type N) offrent une combinaison de large bande interdite, de conductivité thermique élevée et d'excellente stabilité chimique. Ces propriétés uniques permettent d'obtenir des performances supérieures dans les dispositifs à haute puissance et à haute fréquence, tout en maintenant la durabilité dans les environnements difficiles. Sa fiabilité et son efficacité en font une plate-forme idéale pour diverses applications dans tous les secteurs, de l'électronique de pointe aux systèmes énergétiques et au-delà.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Conversion d'énergie : commutation haute tension améliorée dans les onduleurs solaires et les alimentations industrielles.

-Dispositifs RF : transistors à haute fréquence pour les stations de base des télécommunications et les réseaux sans fil.

2) Applications dans le domaine de l'énergie et des énergies renouvelables

-Équipement photovoltaïque : Substrats stables pour la fabrication de panneaux solaires et les systèmes d'essai

-Électronique pour éoliennes : Modules de contrôle durables pour une régulation efficace de la puissance

3. recherche et instruments scientifiques

-Études en science des matériaux : Étude des structures cristallines et des performances des dispositifs dans des conditions extrêmes

-Développement de capteurs avancés : Substrats de capteurs robustes pour la détection de la température, de la pression et des produits chimiques

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 dans 3C Emballage de type N

Chaque plaquette de carbure de silicium est soigneusement placée entre des couches de mousse souple à sécurité ESD et scellée dans un sachet sous vide antistatique pour la protéger de l'humidité et de la contamination. Les paquets scellés sont ensuite emballés dans des récipients solides et hermétiques. Les plaquettes doivent être stockées dans une salle blanche à humidité contrôlée. Nous proposons également un étiquetage personnalisé, des épaisseurs de mousse spéciales et des tailles de conteneurs sur mesure, sur demande, pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manutention ou d'expédition.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 3C Type N FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 3C de type N ?

A1 : Les substrats en carbure de silicium (SiC) de type 2 in 3C N présentent généralement une large bande interdite d'environ 2,2 eV, une conductivité thermique élevée, une inertie chimique supérieure et une résistance mécanique robuste. Le polytype 3C offre des avantages uniques pour les applications de puissance et de haute fréquence. Le dopage de type N assure une concentration contrôlée d'électrons, ce qui permet une conductivité électrique stable. Ces substrats sont particulièrement adaptés au développement de dispositifs avancés dans des environnements difficiles ou à haute puissance.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Ces substrats sont fragiles et doivent être manipulés avec des gants propres et non abrasifs dans un environnement contrôlé afin d'éviter toute contamination ou dommage. Évitez de toucher les surfaces à mains nues ou avec des outils qui pourraient introduire des rayures ou des particules. Stockez-les dans un endroit propre, à température contrôlée et à faible taux d'humidité. Utilisez des supports ou des conteneurs spéciaux pour le transport afin de préserver l'intégrité du substrat et de minimiser les contraintes mécaniques.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux substrats de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 3C N-type ?

R3 : La plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 3C N-type répond généralement à des exigences strictes en matière de pureté et de densité de défauts, conformément à la norme ISO 9001 et aux normes de qualité applicables aux semi-conducteurs. Les fabricants appliquent souvent des méthodes d'inspection avancées telles que la topographie par rayons X et la photoluminescence pour vérifier la qualité cristalline. Ces substrats peuvent également adhérer aux directives RoHS et REACH, garantissant ainsi la conformité aux réglementations en matière d'environnement et de sécurité pour la distribution mondiale.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Ce substrat de carbure de silicium SiC Wafer 2 in 3C de type N est composé d'un polytype cubique connu pour ses excellentes capacités électriques et thermiques. La large bande interdite du matériau permet un fonctionnement à haute température et réduit les pertes de puissance, ce qui est particulièrement avantageux dans les systèmes compacts qui exigent des performances fiables et constantes. En outre, sa remarquable résistance chimique permet de maintenir l'intégrité du substrat au cours des étapes de traitement difficiles, ce qui permet de résister aux environnements industriels hostiles.

Une stabilité sans précédent de la structure du réseau distingue la plaquette SiC 3C des autres substrats semi-conducteurs, garantissant un minimum de défauts cristallins malgré des conditions de production exigeantes. En outre, le dopage de type N assure une conduction contrôlée des électrons, ce qui se traduit par une mobilité élevée des porteurs, cruciale pour la fabrication de dispositifs avancés. Ces propriétés font de la plaquette un candidat de choix pour l'électronique de puissance, qui nécessite moins d'éléments conducteurs et offre une gestion supérieure du courant électrique.

2. Applications dans les industries de pointe

Les applications énergétiques de pointe bénéficient de la résilience de la plaquette dans des conditions de haute température et de haute tension, ce qui en fait un candidat de choix pour les modules d'alimentation des véhicules électriques et les onduleurs d'énergie renouvelable. Sa capacité à supporter des charges thermiques importantes sans dégradation des performances permet d'améliorer l'efficacité des systèmes automobiles, aérospatiaux et de maintenance prédictive, où la densité énergétique et l'endurance opérationnelle sont primordiales.

Divers segments de la nanotechnologie et de l'optoélectronique explorent également ce substrat SiC 3C de type N pour les capteurs et les émetteurs-récepteurs de la prochaine génération. Sa combinaison unique de résistance mécanique et de faible densité de défauts améliore la fiabilité des dispositifs utilisés dans les infrastructures de télécommunications, les systèmes radar et diverses technologies émergentes. Par conséquent, cette plaquette favorise le développement de produits de pointe, ce qui la place à l'avant-garde de nombreuses industries de haute technologie.