CY8562 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 6H Type N

Substrat de plaquette de carbure de silicium SiC 2 pouces 6H type N Description

Notre substrat en carbure de silicium (SiC) de type 6H N de 2 pouces offre des performances exceptionnelles dans les applications de semi-conducteurs à haute puissance et à haute température. Avec une large bande interdite, une excellente conductivité thermique et une résistance mécanique robuste, ce matériau SiC supporte les dispositifs fonctionnant dans des conditions extrêmes avec un compromis minimal en termes d'efficacité. Son dopage de type N assure une conduction fiable du courant et une résistivité contrôlée, ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance, la haute fréquence et les composants optoélectroniques.

Fabriquée selon des normes de qualité rigoureuses, chaque plaquette subit une inspection méticuleuse pour garantir l'uniformité de la structure cristalline, l'intégrité de la surface et la précision de l'épaisseur. La faible densité de défauts du polytype 6H contribue à améliorer la fiabilité des dispositifs et à prolonger leur durée de vie. Choisissez notre substrat SiC pour profiter des avantages d'un matériau semi-conducteur avancé conçu pour les applications industrielles et de recherche les plus exigeantes.

Substrat de plaquette de carbure de silicium SiC 2 en 6H Applications de type N

Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) dans la configuration de type 6H N offrent des performances exceptionnelles grâce à une large bande interdite, une conductivité thermique élevée et une résistance mécanique robuste. Ces caractéristiques permettent d'améliorer l'efficacité, de réduire la taille des dispositifs et d'améliorer la fiabilité dans des conditions difficiles. Le diamètre de 2 pouces offre une flexibilité pour divers usages commerciaux, industriels et de recherche, ce qui les rend idéaux pour les applications nécessitant une dissipation thermique et une gestion de l'énergie supérieures dans l'électronique de pointe et d'autres systèmes à haute performance.

1) Semi-conducteurs et électronique

-Transistors de puissance : utilisation de la large bande interdite pour une meilleure gestion de la tension et une conversion efficace de l'énergie.

-Dispositifs à haute fréquence : Réaliser des vitesses de commutation plus rapides avec une perte d'énergie minimale, ce qui est vital pour les systèmes de communication de la prochaine génération.

2) Instruments médicaux et analytiques

-Composants de laser et de capteur : Bénéficier d'une excellente stabilité thermique pour des mesures et des diagnostics précis.

-Équipement d'imagerie : tirer parti d'une qualité de signal et d'une sensibilité améliorées pour obtenir des résultats plus clairs et plus détaillés.

3) Automobile et énergies renouvelables

-Modules d'alimentation pour véhicules électriques : Améliorer les systèmes de charge de batterie et les entraînements de moteur en réduisant les pertes d'énergie.

-Onduleurs solaires : s'intègrent dans des conceptions compactes pour améliorer l'efficacité de la conversion de l'énergie photovoltaïque.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 6H Emballage de type N

Nos plaquettes de carbure de silicium (2 pouces, 6H, type N) sont emballées dans des conteneurs antistatiques scellés avec des inserts en mousse pour éviter les chocs mécaniques. Une barrière sous vide minimise l'exposition à l'humidité, tandis que des manchons de protection supplémentaires empêchent l'intrusion de particules. Des options d'emballage personnalisées, telles que des enveloppes à double couche ou des sachets purifiés à l'azote, sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de contrôle de la contamination et garantir une préservation optimale des plaquettes de silicium.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 6H type N FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 6H de type N ?

R1 : Cette plaquette présente une large bande interdite d'environ 3,0 eV, ce qui la rend idéale pour les applications à haute température et à haute puissance. Elle présente une excellente conductivité thermique d'environ 3-4 W/cm-K et un champ électrique de rupture élevé, ce qui lui confère des capacités supérieures de gestion de l'énergie. Le polytype 6H offre une structure cristalline cohérente, tandis que le dopage de type N assure une conductivité électrique contrôlée. En outre, sa stabilité chimique et sa dureté exceptionnelles favorisent les performances des dispositifs avancés.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Il est essentiel de manipuler la plaquette par les bords et d'éviter tout contact direct avec la surface afin d'éviter toute contamination ou dommage. Le produit doit être stocké dans un environnement propre et sec, idéalement dans un conteneur antistatique, avec une exposition minimale aux vibrations. Le maintien de niveaux d'humidité et de température appropriés permet d'éviter les déformations ou les décharges électrostatiques. Utilisez toujours des gants non pelucheux et des procédures de salle blanche appropriées pour garantir l'intégrité du produit.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 6H N-type ?

R3 : Ces plaquettes sont généralement conformes aux principes de gestion de la qualité ISO 9001, qui garantissent des procédures de fabrication cohérentes, la traçabilité des lots et des contrôles de qualité rigoureux. De nombreux fabricants adhèrent également à la norme ISO 14001, qui valide des pratiques environnementales responsables. D'autres certifications peuvent inclure la conformité RoHS, qui indique un minimum de substances dangereuses, et des normes spécialisées de l'industrie des semi-conducteurs telles que SEMI M55, qui définit les spécifications des substrats en carbure de silicium pour la fabrication d'appareils.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Cette plaquette de carbure de silicium 2 in 6H de type N présente une structure cristalline exceptionnellement stable qui permet une conductivité thermique exceptionnelle et une tension de claquage élevée. Ces caractéristiques permettent un fonctionnement fiable dans des conditions de température extrêmes et contribuent à réduire les exigences en matière de gestion thermique. En outre, le dopage de type N module précisément le flux d'électrons, ce qui permet des vitesses de commutation plus rapides et une conversion d'énergie plus efficace. Par conséquent, cette plaquette conserve des performances supérieures dans des environnements où les matériaux semi-conducteurs traditionnels échouent souvent.

Grâce à ses propriétés de large bande interdite, le polytype 6H garantit une excellente réponse en fréquence, ce qui permet des applications telles que les transistors à haute puissance, les diodes et les composants RF. Sa structure en treillis robuste minimise considérablement la densité des défauts, ce qui améliore la longévité des dispositifs et réduit les taux de défaillance potentiels. Dans l'ensemble, le mélange de résilience thermique, de mobilité électronique élevée et de stabilité chimique inégalée fait de la plaquette de carbure de silicium de type N 2 in 6H un substrat de plus en plus précieux pour les fabricants à la recherche de performances avancées dans le domaine de l'électronique de puissance.

2. Applications dans les industries de pointe

Au-delà de son utilité dans l'électronique de puissance conventionnelle, la plaquette de carbure de silicium de type N 2 in 6H est très recherchée pour les solutions de pointe dans l'aérospatiale et l'automobile. Sa capacité à résister à des contraintes mécaniques intenses tout en conservant des propriétés électriques fiables garantit un fonctionnement stable dans l'avionique, les groupes motopropulseurs des véhicules électriques et les systèmes satellitaires. En outre, la tolérance à la température élevée de la plaquette permet de réduire les besoins en systèmes de refroidissement, ce qui ouvre la voie à des conceptions plus légères et plus efficaces dans des secteurs où le poids et l'économie de carburant sont primordiaux.

Associé à sa forte inertie chimique, ce substrat répond à des demandes critiques dans des domaines tels que les énergies renouvelables et les machines industrielles complexes. Dans les convertisseurs d'énergie éolienne et les onduleurs solaires, il permet une endurance à haute tension et une gestion efficace de l'énergie. En répondant à ces besoins spécialisés, le substrat SiC de type N 2 in 6H s'avère indispensable pour les industries modernes qui exigent à la fois précision et durabilité pour leurs composants électroniques.