CY8561 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 4H Type SEMI (HPSI)

Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 2 in 4H SEMI-type (HPSI) Description

Faites l'expérience de performances exceptionnelles avec notre plaquette de carbure de silicium (SiC) 2" 4H de type SEMI (HPSI). Connu pour sa large bande interdite et sa conductivité thermique exceptionnelle, ce substrat offre une tenue en puissance supérieure et supporte les opérations à haute fréquence. Le polytype 4H offre une mobilité électronique exceptionnelle, ce qui le rend adapté aux dispositifs de puissance avancés, aux applications RF et à l'électronique à haute température. Ses propriétés semi-isolantes permettent de minimiser la conduction parasite, ce qui garantit un fonctionnement plus efficace des dispositifs et une réduction des pertes d'énergie.

Fabriquée sous un contrôle de qualité strict et conformément aux normes SEMI, chaque plaquette fait l'objet d'une inspection rigoureuse portant sur l'uniformité de l'épaisseur, la faible densité de défauts et la qualité de la surface. Cela garantit des performances fiables et constantes, permettant aux ingénieurs et aux chercheurs de repousser les limites de l'électronique de puissance, des télécommunications et d'autres applications exigeantes. Faites confiance à nos plaquettes de carbure de silicium pour leur durabilité éprouvée, leur stabilité thermique et l'excellence inégalée de leurs matériaux.

Plaquette de carbure de silicium SiC Substrat 2 en 4H Applications de type SEMI (HPSI)

La plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) est connue pour son excellente bande interdite, sa stabilité chimique robuste et sa conductivité thermique élevée. Ces propriétés clés en font un choix polyvalent dans divers domaines, permettant des solutions fiables et performantes dans les secteurs de l'industrie, de la recherche et du commerce. Grâce à sa durabilité supérieure et à ses capacités de gestion de l'énergie, ce substrat favorise les développements innovants dans le domaine de l'électronique avancée et au-delà.

1) Applications industrielles

-Capteurs à haute température et modules de commande de puissance utilisés dans la production automobile, où la stabilité thermique et une résistance élevée à la rupture sont essentielles.

-Composants résistants à la corrosion dans les processus chimiques et pétrochimiques, bénéficiant de l'excellente inertie chimique de la plaquette.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Prototypes de semi-conducteurs de la prochaine génération axés sur les matériaux à large bande interdite, à l'appui d'études sur l'électronique avancée.

-Expériences de caractérisation des matériaux dans les laboratoires de R&D universitaires et privés, tirant parti de la qualité cristallographique constante du substrat.

3) Applications commerciales

-Électronique de puissance à haut rendement dans les systèmes d'énergie renouvelable tels que les onduleurs solaires, grâce à la conductivité thermique supérieure du substrat.

-Solutions de charge rapide et modules d'alimentation d'appareils portables pour l'électronique grand public, bénéficiant d'une fiabilité accrue et d'une réduction de la production de chaleur.

Substrat de carbure de silicium SiC 2 dans un emballage de type SEMI 4H (HPSI)

Chaque plaquette de carbure de silicium de 2 pouces de type SEMI 4H (HPSI) est fixée à l'aide d'inserts en mousse antistatique dans un conteneur de plaquettes propre et scellé afin d'éviter toute contamination par la poussière ou les particules. Le conteneur est ensuite scellé sous vide dans des sacs anti-humidité et étiqueté pour la traçabilité. Le stockage à long terme nécessite un environnement contrôlé avec une faible humidité et une température stable. Des solutions d'emballage personnalisées peuvent être mises au point pour répondre à des exigences particulières en matière d'expédition, de manutention ou de stockage.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 4H Type SEMI (HPSI) FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des plaques de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) ?

A1 : Le polytype 4H du carbure de silicium offre une large bande interdite d'environ 3,26 eV, une conductivité thermique exceptionnelle et un champ électrique critique élevé. Il présente également un minimum de défauts de réseau, ce qui permet une excellente mobilité des porteurs. Ces caractéristiques rendent la plaquette idéale pour les applications à haute puissance, à haute fréquence et à haute température. En outre, sa structure cristalline de haute qualité garantit des profils de dopage uniformes et des performances fiables dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Les plaquettes de carbure de silicium doivent être manipulées avec précaution afin d'éviter les rayures de surface et la contamination par des particules. Utilisez des gants propres et non abrasifs et ne touchez que les bords lors du transfert. Stockez les plaquettes dans un conteneur compatible avec les salles blanches, avec une exposition minimale à l'humidité et aux particules en suspension dans l'air. Maintenez un environnement contrôlé avec des niveaux de température et d'humidité stables. Inspecter régulièrement la zone de stockage pour détecter les risques de contamination afin de préserver l'intégrité des plaquettes.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H de type SEMI (HPSI) ?

A3 : Ces plaquettes sont généralement conformes aux normes SEMI M55 et M59 relatives aux spécifications des substrats en carbure de silicium et aux définitions des plaquettes. Elles sont soumises à des processus stricts de contrôle de la qualité, y compris l'inspection optique et la caractérisation électrique. De nombreux fabricants adhèrent aux normes ISO 9001 pour la gestion de la qualité et ISO 14001 pour les pratiques environnementales. Des certifications supplémentaires, telles que l'IATF 16949, sont souvent demandées pour les applications liées à l'automobile, afin de garantir la fiabilité et l'homogénéité des performances.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages des matériaux

Alliant une conductivité thermique exceptionnelle à une large bande interdite, la plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) se distingue par sa tolérance aux températures élevées et son isolation électrique supérieure. Sa structure cristalline est conçue pour présenter de faibles densités de défauts de réseau, ce qui garantit une mobilité accrue des porteurs et des performances constantes pendant le fonctionnement. Cette plaquette spécialisée présente également une stabilité chimique remarquable, ce qui la rend résistante aux environnements corrosifs et donc adaptée à une utilisation dans des conditions exigeantes.

Un contrôle minutieux des niveaux de dopage améliore encore ses qualités semi-isolantes, ce qui permet de réduire les courants de fuite et d'améliorer la clarté du signal. Grâce à des profils de résistivité cohérents sur le diamètre de 2 pouces, les dispositifs fabriqués sur ce substrat présentent des caractéristiques électriques stables et des interférences minimales. En outre, la faible densité de dislocation inhérente au polytype 4H réduit la probabilité de défaillance des dispositifs, ce qui renforce la fiabilité de cette plaquette pour les applications électroniques avancées.

2. Applications dans les industries de pointe

Des recherches approfondies ont démontré l'efficacité de la plaquette HPSI 4H-SiC dans l'électronique haute tension, en particulier dans les composants de commutation de puissance pour les systèmes de conversion d'énergie. Les industries qui exigent des dispositifs compacts mais puissants, comme les fabricants de véhicules électriques, bénéficient grandement de la capacité de la plaquette à gérer des vitesses de commutation rapides avec une perte de puissance réduite. Cet avantage distinctif correspond au besoin croissant du marché en solutions efficaces qui soutiennent les objectifs en matière d'énergie durable.

Les innovations technologiques dans les systèmes aérospatiaux tirent également parti des performances robustes de ce substrat dans des conditions extrêmes. La forte résistance aux rayonnements et la capacité de dissipation rapide de la chaleur de la plaquette garantissent un fonctionnement fiable dans les applications spatiales et les environnements à fort rayonnement. Ces atouts uniques font de la plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H de type SEMI (HPSI) un atout essentiel pour la conception et la fabrication des dispositifs de la prochaine génération.