CY8560 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 4H de type N

Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 2 in 4H N-type Description

Notre substrat de carbure de silicium (SiC) de type 4H N de 2 pouces offre des propriétés matérielles exceptionnelles, permettant d'obtenir des performances supérieures dans les applications à haute puissance et à haute fréquence. Avec une large bande interdite et une excellente conductivité thermique, cette plaquette résiste aux conditions extrêmes tout en minimisant les pertes d'énergie, ce qui la rend idéale pour les modules de puissance avancés, les diodes Schottky et les MOSFET. Sa tension de claquage élevée garantit un fonctionnement robuste sous de lourdes charges, surpassant les matériaux semi-conducteurs traditionnels dans les environnements exigeants.

Fabriquée selon des normes strictes de contrôle de la qualité, chaque plaquette subit une inspection rigoureuse pour garantir une épaisseur constante, des défauts minimes et des niveaux de dopage uniformes. Associée à une faible densité de défauts, la structure de polytype 4H favorise une mobilité efficace des porteurs de charge, améliorant ainsi la fiabilité et la durée de vie de l'ensemble du dispositif. Ce substrat de carbure de silicium constitue la base parfaite pour les composants électroniques de la prochaine génération qui exigent des performances sans compromis.

Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 2 dans les applications de type N 4H

Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) de type 4H N offrent des capacités remarquables pour les applications électroniques et industrielles de pointe. Avec leur large bande interdite, leur conductivité thermique élevée et leur durabilité chimique exceptionnelle, ces substrats permettent d'obtenir des performances supérieures dans les dispositifs à haute puissance et à haute fréquence. Idéales pour les systèmes exigeant une efficacité et une fiabilité accrues, les plaques de SiC de 2 pouces constituent une plate-forme robuste pour les technologies de la prochaine génération couvrant un large éventail de domaines commerciaux et scientifiques.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Développement de transistors et de diodes à haute puissance pour une gestion efficace de l'énergie dans les centres de données

-Production de convertisseurs et d'onduleurs à faible perte pour les équipements d'automatisation industrielle

-Création de dispositifs à haute fréquence pour les systèmes de télécommunications de la prochaine génération.

2) Systèmes automobiles et véhicules électriques

-Intégration dans les unités de contrôle de la puissance embarquée pour améliorer l'efficacité énergétique et l'autonomie

-Utilisation dans les composants de l'infrastructure de recharge des véhicules électriques pour une recharge plus rapide et plus fiable

-Application dans les capteurs à haute température pour améliorer la sécurité et la surveillance des performances.

3) Énergies renouvelables et conversion d'énergie

-Onduleurs solaires tirant parti de la large bande interdite de la plaquette pour réduire les pertes de conduction

-Modules de puissance pour éoliennes offrant une plus grande stabilité thermique et une durée de vie opérationnelle prolongée

-Systèmes de conversion CC haute tension assurant un flux d'énergie efficace dans les réseaux renouvelables à grande échelle

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 dans un emballage de type N 4H

Chaque plaquette de carbure de silicium est soigneusement placée dans un support dissipateur d'électricité statique, puis scellée dans une enveloppe résistante à l'humidité et de qualité salle blanche. De nombreux matériaux de rembourrage et d'absorption des chocs protègent la plaquette pendant le transport. Les plaquettes sont stockées dans un environnement à humidité contrôlée entre 20 et 25 °C pour éviter toute contamination. Les procédures antistatiques et les protocoles de salle blanche permettent de préserver l'intégrité des cristaux. Des options d'emballage personnalisées, telles que des sacs scellés sous vide ou des systèmes de cassettes spécialisés, sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manipulation et de transport.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 2 en 4H de type N FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des substrats de carbure de silicium SiC Wafer 2 en 4H de type N ?

R1 : La plaquette de carbure de silicium de type 4H N de 2 pouces présente une large bande interdite (~3,26 eV), une conductivité thermique élevée (~4,9 W/cm-K), une excellente mobilité des électrons et une tension de claquage supérieure. Son dopage de type N est généralement introduit avec de l'azote, ce qui permet de contrôler la concentration de porteurs pour les dispositifs de puissance. Sa robustesse mécanique et son inertie chimique le rendent adapté aux applications à haute température et à haute fréquence, tandis que sa qualité cristalline uniforme garantit des caractéristiques électriques constantes.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Ces plaquettes doivent être manipulées dans une salle blanche afin d'éviter toute contamination ou détérioration de la surface. Utilisez des gants non abrasifs, sans latex, et des pinces dédiées aux plaquettes pour éviter les rayures. Stockez-les dans des supports ou des cassettes spécialisés, en veillant à ce que les vibrations et l'exposition à l'humidité soient minimales. Maintenez une température ambiante stable et un contrôle de l'humidité, généralement entre 40 et 60 % HR, afin de préserver l'intégrité des cristaux et les propriétés électriques, en évitant la lumière directe du soleil ou les décharges statiques.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H N-type ?

R3 : La plupart des producteurs de plaquettes de carbure de silicium de type 4H N adhèrent aux systèmes de gestion de la qualité ISO 9001 afin de garantir des processus de production cohérents et des inspections finales rigoureuses. La conformité aux normes SEMI, telles que SEMI M55 (spécifications pour les plaquettes de carbure de silicium), est courante pour les tolérances dimensionnelles des plaquettes et les exigences en matière de propreté. Certains fournisseurs obtiennent également des certifications supplémentaires adaptées à l'industrie des semi-conducteurs, confirmant une traçabilité solide, la fiabilité des produits et un contrôle rigoureux des paramètres lors de cycles de fabrication répétés.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages des matériaux

Conçu pour exceller dans les applications à haute fréquence et à haute température, le substrat de carbure de silicium SiC Substrate 2 in 4H de type N présente une densité de défauts remarquablement faible et une stabilité chimique exceptionnelle. Cette structure de plaquette robuste offre une conductivité thermique améliorée par rapport aux matériaux semi-conducteurs conventionnels, garantissant une base fiable pour les dispositifs qui nécessitent une dissipation thermique supérieure.

Conçue avec une bande interdite d'environ 3,26 eV, la plaquette de SiC de type N 4H gère efficacement les opérations de haute puissance. Sa large bande interdite facilite l'amélioration des performances de commutation, réduisant de manière significative les pertes d'énergie dans les dispositifs à semi-conducteur de puissance, améliorant ainsi les performances et la fiabilité globales du système.

2. Applications dans les industries de pointe

Les ingénieurs du secteur aérospatial font confiance aux plaquettes de SiC de type N 2 in 4H pour les composants critiques où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales. La tension de claquage élevée inhérente à la plaquette garantit un fonctionnement stable même dans des conditions extrêmes, ce qui en fait un candidat de choix pour les systèmes radar avancés, l'électronique de puissance des satellites et d'autres applications critiques.

Alimenté par la demande croissante de véhicules électriques et de solutions d'énergie renouvelable, ce substrat SiC est également largement utilisé dans les convertisseurs de puissance et les onduleurs. Sa capacité à améliorer l'efficacité énergétique, associée à sa durabilité à long terme, en fait un matériau qui change la donne pour les systèmes de traction automobile, les modules d'alimentation des éoliennes et les entraînements industriels de pointe.