CY8553 Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces Description

Notre substrat cristallin de silicium (Si) de 4 pouces (111) se distingue par son uniformité cristallographique exceptionnelle et sa composition de haute pureté, ce qui en fait un choix de premier ordre pour la recherche avancée et les applications industrielles. L'orientation (111) offre des propriétés structurelles uniques qui permettent un contrôle précis des processus de croissance épitaxiale et de dopage, essentiels pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Ce substrat est poli comme un miroir, ce qui permet de minimiser les défauts de surface et d'obtenir une meilleure adhérence du film.

Fabriquée selon des normes de qualité rigoureuses, chaque plaquette fait l'objet d'une inspection et de tests approfondis afin de garantir une épaisseur, une planéité et une résistivité constantes. Il en résulte une plate-forme fiable pour la production de dispositifs électroniques, de capteurs et de dispositifs photoniques de haute performance. Grâce à ses excellentes caractéristiques thermiques et électriques, ce substrat de Si (111) est conçu pour fournir des résultats fiables dans une série d'activités commerciales et de recherche essentielles.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces Applications

Le substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces est largement reconnu pour sa stabilité, ses capacités de dopage uniforme et ses excellentes propriétés mécaniques, ce qui le rend indispensable dans toute une série d'industries. Son orientation cristallographique distincte lui confère des propriétés électroniques supérieures, une réduction des défauts et une gestion thermique efficace. De l'électronique de précision aux solutions de pointe en matière d'énergie renouvelable, ce substrat de haute qualité trouve sa place dans de nombreuses applications civiles où la fiabilité, les performances et l'évolutivité sont primordiales.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Fabrication avancée de transistors : L'orientation (111) assure un excellent contrôle des défauts et une uniformité du dopage pour une meilleure performance des dispositifs.

-Circuits intégrés à grande vitesse : Sa structure cristalline supérieure permet un traitement rapide des signaux dans l'électronique grand public et industrielle.

2) Dispositifs médicaux et de santé

-Réseaux de capteurs : Le réseau cristallin uniforme permet une détection et une mesure précises dans les systèmes de surveillance des patients.

-Électronique implantable : L'excellente biocompatibilité et la conductivité thermique permettent d'obtenir des performances fiables et sûres à long terme.

3) Solutions pour les énergies renouvelables

-Cellules photovoltaïques : La structure stable du substrat favorise la conversion efficace de l'énergie solaire en électricité.

-Composants d'énergie solaire concentrée : La conductivité thermique élevée aide à gérer le flux de chaleur pour améliorer la fiabilité du système.

Cristal de silicium (Si) Substrat (111) Dia. 4 pouces Emballage

Chaque substrat de cristal de silicium (Si) de 4 pouces (111) est scellé individuellement dans une pochette antistatique avec un rembourrage en mousse souple pour protéger contre les chocs mécaniques et la contamination. Les conditions de stockage recommandées sont un environnement propre, à température contrôlée et à faible taux d'humidité. Pour éviter toute contamination, l'emballage est scellé sous vide et les bords sont protégés par des scellés. Des options d'emballage et d'étiquetage personnalisées sont disponibles sur demande, garantissant un transport sûr et une identification facile pour diverses applications industrielles et de recherche.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces ?

R1 : Le substrat de silicium monocristallin de 4 pouces de diamètre avec une orientation (111) présente généralement une constante de réseau d'environ 5,43 Å et une épaisseur d'environ 525 µm. Il présente des niveaux de pureté élevés (99,9999 % ou plus) et une uniformité cristallographique exceptionnelle. La résistivité peut varier de quelques milli-ohms-cm à plusieurs centaines d'ohms-cm, en fonction du dopage. Cette orientation est privilégiée pour les applications de dispositifs avancés en raison de son arrangement atomique unique.

Q2 : Quelles sont les procédures de manipulation et les conditions de stockage recommandées pour les substrats de silicium de 4 pouces orientés (111) ?

R2 : Ces substrats doivent être manipulés dans une salle blanche avec des gants non poudrés pour éviter toute contamination particulaire ou ionique. Utilisez des pinces à plaquettes à bord fixe ou des pinces à vide pour éviter tout dommage par contact. Les stocker dans des porte-gaufrettes ou des cassettes afin de minimiser les contraintes mécaniques et les rayures de surface. Maintenez un faible taux d'humidité et des températures stables, généralement autour de 21°C, pour minimiser l'oxydation et l'accumulation de particules.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces ?

R3 : Les fabricants adhèrent souvent aux spécifications SEMI M1 pour la géométrie, l'épaisseur et la qualité de surface des plaquettes, ainsi qu'aux certifications du système de gestion de la qualité ISO 9001. Certains fournisseurs se conforment également aux directives RoHS et REACH pour garantir le respect de l'environnement. La documentation supplémentaire peut inclure un certificat d'analyse vérifiant l'orientation cristallographique, la concentration de dopage, la résistivité et la densité des défauts. Ces normes contribuent à garantir l'uniformité, la traçabilité et la cohérence des performances des dispositifs.

Informations connexes

1. Normes et certifications industrielles

Un large éventail de références internationales garantit que les substrats cristallins en silicium (Si) (111) Dia. 4 pouces satisfont aux exigences rigoureuses en matière de qualité des matériaux. Conformément aux spécifications SEMI, ces substrats sont généralement soumis à des tests méticuleux concernant l'orientation cristallographique, la tolérance d'épaisseur et la planéité de la surface, confirmant ainsi leur conformité avec les principales normes mondiales.

Les organismes de certification B, tels que l'ISO et d'autres institutions reconnues par l'industrie, fournissent une validation par une tierce partie des pratiques de fabrication et des approches de contrôle de la qualité. Pour les plaquettes de silicium orientées de 4 pouces (111), ces certifications garantissent aux clients que chaque substrat est produit dans un environnement contrôlé et qu'il répond à des critères de performance spécifiques pour des applications avancées.

2. Mesures de contrôle de la qualité

Des contrôles de qualité complets sont effectués à plusieurs stades de la production des plaquettes, depuis la croissance des cristaux jusqu'au polissage final. Des techniques d'évaluation non destructives, notamment la diffraction des rayons X et la profilométrie optique, permettent de vérifier que chaque substrat est conforme aux critères d'uniformité d'épaisseur et de finition de surface requis.

Les instruments de précision D contrôlent la planéité des substrats de silicium de 4 pouces (111) afin de minimiser la courbure ou le gauchissement des plaquettes. Cette attention aux détails permet de maintenir des caractéristiques électriques précises et de réduire la probabilité de défauts, offrant ainsi aux utilisateurs finaux les matériaux cohérents et de haute performance dont ils ont besoin pour les processus critiques des semi-conducteurs.