CY8552 Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces Description

Ces substrats cristallins de silicium (Si) de haute pureté présentent une orientation (110) et un diamètre de 4 pouces, ce qui les rend idéaux pour la recherche et la production de semi-conducteurs avancés. Conçus à partir de silicium monocristallin avec un profil de dopage uniformément contrôlé, ils présentent une excellente uniformité cristallographique, une faible densité de défauts et une conductivité thermique supérieure. L'orientation (110) facilite l'obtention de propriétés électroniques uniques souhaitables pour les dispositifs MEMS spécialisés et les architectures de transistors, permettant une gravure précise et des processus de micro-usinage détaillés.

Fabriquée selon des normes de qualité strictes, chaque plaquette respecte ou dépasse les directives SEMI en matière de rugosité de surface, de planéité et de contrôle des défauts. Des procédures d'inspection rigoureuses garantissent une épaisseur constante et une qualité de surface optimale, offrant la fiabilité requise dans la recherche de pointe sur les matériaux et la fabrication de dispositifs. Faites confiance à ces substrats de Si orientés (110) pour obtenir des performances élevées dans une large gamme d'applications scientifiques et industrielles.

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces Applications

Le substrat cristallin de silicium (Si) (110), d'un diamètre de 4 pouces, constitue une plate-forme robuste et orientée avec précision, cruciale pour de nombreuses innovations de haute technologie. Sa structure cristalline unique offre une mobilité électronique, une conductivité thermique et une résistance mécanique supérieures, ce qui le rend inestimable dans les applications de pointe. Qu'il alimente des dispositifs semi-conducteurs avancés ou des instruments de précision, ce substrat répond de manière fiable aux exigences de performance rigoureuses de la technologie moderne.

1. applications industrielles

-Électronique et semi-conducteurs : Permet de réaliser des circuits intégrés et des réseaux de capteurs fiables, en tirant parti de l'excellente mobilité des porteurs de charge.

-Capteurs automobiles de précision : Fournit des propriétés mécaniques cohérentes pour les détecteurs de mouvement avancés, améliorant ainsi la sécurité des véhicules.

-Équipement de traitement chimique : Résiste aux environnements difficiles et garantit des performances stables dans les réacteurs à l'échelle industrielle.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Prototypes d'appareils biomédicaux : offre une base biocompatible et stable pour le développement d'outils de diagnostic de la prochaine génération.

-Études sur le dépôt de couches minces : Facilite l'expérimentation précise en science des matériaux, grâce à son orientation cristalline bien définie.

-Études optiques et photoniques : Permet des études précises sur les guides d'ondes et les lasers grâce à ses propriétés de réfraction constantes.

3) Applications commerciales

-Composants de télécommunications : Offre des performances à haute fréquence essentielles pour les systèmes de réseau et le traitement des signaux.

-Solutions pour les énergies renouvelables : Sert de base au développement des cellules solaires, en améliorant l'efficacité et la durabilité.

-Production d'électronique grand public : Garantit des matériaux de substrat fiables et de haute qualité pour les écrans plats et les capteurs.

Cristal de silicium (Si) Substrat (110) Dia. 4 pouces Emballage

Chaque substrat de cristal de silicium de 4 pouces (110) est scellé individuellement dans un sachet antistatique, entouré d'inserts en mousse pour la protection contre les chocs et la contamination. Ils doivent être stockés dans un environnement propre et peu humide, idéalement entre 15°C et 25°C, afin de préserver l'intégrité de la surface. Une couche protectrice supplémentaire empêche l'accumulation de particules. Un étiquetage personnalisé, un marquage spécialisé ou des configurations d'emballage uniques sont disponibles sur demande pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manipulation ou d'exploitation.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces ?

R1 : Les substrats en cristal de silicium (Si) avec une orientation (110) sont connus pour leur structure cristalline uniforme, ce qui les rend précieux pour les applications de semi-conducteurs avancées. En général, les plaquettes de 4 pouces de diamètre ont une épaisseur étroitement contrôlée (par exemple, 525 ± 25 µm) et une plage de résistivité qui dépend du dopage. Elles présentent une conductivité thermique élevée (environ 149 W/m-K) et de faibles densités de défauts. Leur orientation (110) permet la conception de certains dispositifs spécialisés, offrant des propriétés mécaniques et électriques distinctes.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Ces plaquettes doivent être manipulées dans une salle blanche où l'air est filtré et exempt de particules. Le contact direct avec la peau nue doit être évité ; utilisez plutôt des gants antistatiques ou des aspirateurs. Les plaquettes sont généralement stockées dans des supports ou des cassettes qui protègent les surfaces contre les rayures. Le maintien d'un environnement stable et peu humide (environ 40 % d'humidité relative) et d'une température modérée (environ 20-25 °C) contribue à prévenir la contamination, l'oxydation et les dommages mécaniques.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces ?

A3 : La production de plaquettes de silicium est généralement conforme aux normes SEMI M1, qui régissent l'épaisseur, le diamètre et la planéité des plaquettes. De nombreux fournisseurs sont également certifiés ISO 9001 pour la gestion de la qualité, ce qui garantit des contrôles de processus stricts et une traçabilité à chaque étape de la fabrication. D'autres normes, telles que la norme ISO 14001, peuvent s'appliquer à la gestion de l'environnement. Le respect de ces exigences garantit une qualité constante des plaquettes, un minimum de défauts et des performances fiables pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou les applications de recherche.

Informations connexes

1. Applications dans les industries de pointe

Les dispositifs à semi-conducteurs spécialisés et les capteurs avancés reposent fréquemment sur le substrat cristallin de silicium (Si) (110) Dia. 4 pouces pour obtenir des performances supérieures. L'orientation cristalline (110) offre des propriétés électriques et mécaniques distinctes, ce qui la rend particulièrement adaptée aux composants nécessitant un traitement des signaux à grande vitesse. Comme la plaquette a un diamètre de 4 pouces, elle est suffisamment grande pour accueillir diverses conceptions complexes tout en restant compatible avec une large gamme d'équipements de fabrication existants dans les secteurs technologiques de pointe.

De nombreux domaines de pointe, tels que la fabrication de cellules solaires à haut rendement et l'électronique de puissance, bénéficient de la nature robuste de ce substrat spécifique. Sa structure cristalline permet d'améliorer la conductivité électrique dans les applications où la régularité du flux de courant et la réduction de la perte d'énergie sont essentielles. Cela a fait de la plaquette de silicium (110) une solution privilégiée pour les technologies émergentes qui exigent stabilité, miniaturisation et haute fiabilité.

2. Recherche et développement

Les instituts de recherche explorent en permanence de nouvelles méthodes et de nouveaux matériaux pour améliorer la fonctionnalité des substrats en silicium (110). Ces travaux en cours comprennent l'optimisation du processus de dopage pour atteindre des concentrations précises de porteurs, ainsi que l'étude de nouveaux moyens d'améliorer la douceur de la surface et de réduire les impuretés. Grâce à ces efforts, les laboratoires du monde entier repoussent les limites de la performance dans toute une série d'applications qui bénéficient des propriétés électriques et mécaniques uniques du silicium.

Les expériences de pointe impliquent souvent la modification de l'épaisseur et de l'orientation des plaquettes afin d'évaluer leur impact sur l'efficacité des dispositifs. Le silicium orienté (110), en particulier, suscite un intérêt croissant car il peut s'adapter à des approches de collage de plaquettes spécialisées pour les microsystèmes avancés et les réseaux de capteurs. Ces innovations ouvrent non seulement la voie à des dispositifs de pointe, mais contribuent également à des rendements plus élevés et à une productivité accrue dans de multiples environnements industriels et de recherche.