CY8550 Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces Description

Ce substrat cristallin de silicium (Si), avec une orientation cristallographique (111) et un diamètre de 3 pouces, est conçu pour offrir des performances supérieures dans les processus de semi-conducteurs de pointe. Sa structure cristalline hautement ordonnée offre une excellente uniformité et des propriétés électriques optimales, ce qui le rend idéal pour les applications avancées telles que la microélectronique, la photonique et la fabrication de capteurs. En offrant une faible densité de défauts et une planéité de surface exceptionnelle, ce substrat garantit des caractéristiques de dispositifs fiables et des résultats de production cohérents.

Fabriquée selon des normes industrielles strictes, chaque plaquette est soumise à des protocoles de contrôle qualité rigoureux, notamment des mesures d'épaisseur précises et des inspections de surface méticuleuses. Ce souci du détail contribue à garantir des rendements uniformes et des performances stables, ce qui permet aux chercheurs et aux fabricants de maintenir des paramètres de processus précis. Choisissez ce substrat cristallin en silicium (111) pour atteindre le plus haut niveau de fiabilité et de performance dans vos projets les plus exigeants.

Substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces Applications

Le substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces est une plaquette de haute qualité connue pour son excellente orientation cristalline, sa fiabilité et son uniformité. Grâce à un contrôle précis du dopage et à un minimum de défauts, ce substrat constitue une plate-forme stable essentielle pour la fabrication et la recherche de pointe. Sa résistance mécanique supérieure, sa conductivité thermique et sa polyvalence fonctionnelle en font un composant essentiel pour de nombreuses applications industrielles, scientifiques et commerciales.

1) Applications industrielles

-Production de dispositifs semi-conducteurs à haut rendement, en tirant parti du dopage uniforme et de la densité minimale de défauts du substrat.

-Collage robuste de plaquettes et fabrication de MEMS, garantissant la résistance mécanique et la stabilité thermique.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Caractérisation des matériaux de pointe et essais de croissance de couches minces

-Expériences à l'échelle quantique nécessitant une orientation cristalline constante pour des mesures précises

3) Applications commerciales

-Capteurs optiques et traitement au plasma, reposant sur la pureté et la durabilité élevées des plaquettes.

-Prototypes de cellules solaires pour lesquels un dopage contrôlé et une qualité cristalline supérieure améliorent la conversion énergétique.

Cristal de silicium (Si) Substrat (111) Dia. 3 pouces Emballage

Chaque substrat cristallin de silicium (Si) (111) d'un diamètre de 3 pouces est scellé individuellement dans un sachet double couche de qualité salle blanche rempli de gaz de traitement inerte. Des inserts en mousse et des matériaux antistatiques protègent le substrat des contraintes mécaniques, tandis que des conteneurs à clapet scellés bloquent la poussière et l'humidité. Le stockage se fait dans un environnement à température et humidité contrôlées. L'emballage peut être personnalisé pour inclure un étiquetage spécialisé, des sacs scellés sous vide et des plateaux à dissipation d'électricité statique pour une meilleure prévention de la contamination.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces ?

R1 : Les substrats en cristal de silicium (Si) dans l'orientation (111), mesurant trois pouces de diamètre, présentent généralement un degré élevé de perfection cristalline, avec de faibles densités de dislocation. Ils présentent une excellente conductivité thermique, des niveaux de dopage modérés pour une résistivité électrique ciblée et une faible rugosité de surface (moins de 1 nm) pour la fabrication de dispositifs. L'orientation (111) est particulièrement adaptée à certains processus de croissance épitaxiale, garantissant une qualité de couche uniforme.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : La manipulation correcte d'un substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 inch est essentielle pour préserver la qualité de la surface et éviter la contamination. Les opérateurs doivent utiliser des gants de salle blanche et des pinces non abrasives, en manipulant les substrats par les bords uniquement. Le substrat doit être stocké dans un support de plaquette sécurisé et scellé sous vide ou dans un environnement purgé à l'azote afin de minimiser l'oxydation. Le contrôle de la température et de l'humidité est essentiel pour éviter le gauchissement, la formation de fissures ou la dégradation de la surface due à l'humidité.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces ?

A3 : Les substrats en cristal de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces répond généralement aux normes SEMI M1 pour les matériaux semi-conducteurs, concernant les tolérances dimensionnelles, la planéité de la surface, l'uniformité du dopage et le contrôle des défauts. D'autres normes, telles que la norme ISO 9001, garantissent une gestion solide de la qualité, tandis que des processus rigoureux de qualification des fournisseurs garantissent la pureté du substrat. La conformité aux réglementations en matière d'environnement et de sécurité, y compris RoHS et REACH, souligne en outre l'engagement en faveur de la fiabilité, de la traçabilité et de l'acceptation mondiale des produits.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Moulé à partir d'un seul cristal avec une orientation (111), le substrat de cristal de silicium (Si) Dia. 3 pouces présente un excellent alignement atomique qui améliore la mobilité des porteurs et minimise les défauts du cristal. Cette orientation fournit également une topographie de surface distincte, facilitant un dépôt épitaxial uniforme, crucial pour la fiabilité des dispositifs électroniques. En outre, l'arrangement raffiné du réseau du substrat contribue à une épaisseur constante et à des dommages minimaux sous la surface, ce qui garantit une stabilité mécanique supérieure dans les processus à haute température.

Grâce à un polissage minutieux et à un contrôle dimensionnel strict, ce substrat de cristal de silicium (Si) répond à des normes de qualité exigeantes en termes de planéité et de rugosité de surface. Le diamètre de 3 pouces permet aux fabricants d'optimiser les rendements de production sans compromettre l'intégrité des plaquettes. Grâce à sa pureté cristalline élevée et à sa conductivité thermique exceptionnelle, il prend en charge des étapes de microfabrication complexes telles que la lithographie et le dopage, ce qui permet d'obtenir des performances élevées dans les applications industrielles et de recherche.

2. Applications dans les industries de pointe

Utilisé dans la recherche hautement spécialisée sur les semi-conducteurs, le substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces joue un rôle essentiel dans le développement de technologies innovantes pour l'électronique de puissance et les circuits intégrés à grande vitesse. Son orientation contribue à assurer un excellent transport des charges, ce qui permet aux concepteurs de dispositifs d'obtenir une efficacité maximale dans leurs applications. Des transistors à haute fréquence aux systèmes microélectromécaniques (MEMS) avancés, ce substrat constitue une base polyvalente pour de nombreux projets de pointe.

Adaptés aux composants optiques de précision, ces substrats sont également utilisés dans les applications photoniques et les processus de fabrication de capteurs qui exigent une intégrité cristalline de premier ordre. Leur capacité à supporter une intégration hétérogène complexe ouvre de nouvelles voies dans l'informatique quantique et la nanotechnologie, où un contrôle rigoureux des propriétés de l'interface est primordial. En combinant une stabilité thermique supérieure et une qualité de surface constante, le substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 3 pouces répond aux besoins évolutifs des industries de pointe qui cherchent à repousser les limites de la performance.