CY8549 Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces Description

Ce substrat cristallin de silicium (Si) de haute qualité présente une orientation cristalline (110) et un diamètre de 3 pouces, ce qui en fait un choix de premier ordre pour la recherche et la production de semi-conducteurs avancés. Sa structure de réseau uniformément orientée garantit une excellente mobilité des porteurs et un minimum de défauts, ce qui lui confère des propriétés électriques constantes, idéales pour le développement de MEMS, la fabrication de capteurs et la microélectronique de pointe.

Fabriqué selon des normes de qualité strictes, notre substrat fait l'objet d'une inspection rigoureuse portant sur la planéité, l'uniformité de l'épaisseur et le polissage de la surface. Sa stabilité thermique supérieure permet un traitement à haute température sans compromettre l'intégrité structurelle. La faible densité de défauts et la précision cristallographique exceptionnelle garantissent des résultats reproductibles dans divers processus de dépôt et de gravure. Qu'il soit utilisé pour la recherche, le prototypage de dispositifs ou la production à grande échelle, ce substrat de silicium (110) offre des performances fiables, soutenant l'innovation dans l'électronique et l'optoélectronique modernes.

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces Applications

Le substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces offre une orientation de surface stable et des propriétés cristallographiques exceptionnelles, idéales pour une gamme d'applications de haute performance. L'orientation (110) permet d'améliorer la mobilité des électrons et l'efficacité des dispositifs, ce qui fait de ce substrat un choix privilégié pour les technologies de pointe. Son diamètre précis de 3 pouces garantit en outre l'uniformité des processus de couches minces et de la fabrication de dispositifs.

1) Applications industrielles

-Application 1 : Emballage microélectronique - L'épaisseur uniforme permet une intégration fiable des dispositifs et un assemblage efficace dans l'emballage microélectronique.

-Application 2 : Fabrication de dispositifs de puissance - L'orientation de la surface (110) permet de supporter des tensions élevées, ce qui améliore les performances de l'électronique de puissance.

2) Applications de recherche

-Application 1 : Exploration de dispositifs quantiques - La cristallinité élevée favorise la recherche avancée de nouvelles structures et de nouveaux dispositifs quantiques.

-Application 2 : Études photoniques - Sa faible densité de défauts sous-tend les recherches sur les technologies optiques et photoniques de pointe.

3) Applications commerciales

-Application 1 : Développement de capteurs - La mobilité accrue des électrons permet de créer des éléments de capteurs sensibles et précis.

-Application 2 : Composants d'affichage - Le diamètre de 3 pouces répond aux normes industrielles pour les panneaux d'affichage et les systèmes d'imagerie de la prochaine génération.

Cristal de silicium (Si) Substrat (110) Dia. 3 pouces Emballage

Chaque substrat de cristal de silicium (Si) de 3 pouces avec orientation (110) est livré dans un sachet en polyéthylène antistatique, à l'intérieur d'une boîte doublée de mousse pour éviter les dommages mécaniques. L'emballage scellé empêche la contamination par la poussière et l'humidité. Pour préserver la qualité, il convient de le stocker dans un environnement peu humide et à l'abri de la lumière directe du soleil. D'autres options de personnalisation, telles que l'emballage ou l'étiquetage spécialisés, sont disponibles sur demande pour répondre aux besoins spécifiques des laboratoires ou des fabricants.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces ?

A1 : Les substrats de cristal de silicium (Si) (110) d'un diamètre de 3 pouces présentent généralement une grande pureté, une orientation cristalline précise et une excellente conductivité thermique. En particulier, l'orientation (110) offre des propriétés anisotropes uniques qui profitent aux applications électroniques avancées. La densité du substrat est d'environ 2,33 g/cm³, avec un coefficient de dilatation thermique de 2,6×10^-6/K. Sa finition de surface est souvent polie à un degré élevé, ce qui permet une fabrication fiable de dispositifs pour la microélectronique et les MEMS.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Une manipulation correcte implique le port de gants de salle blanche pour éviter la contamination et l'utilisation de bracelets mis à la terre pour éviter les dommages électrostatiques. Tenez toujours le substrat par ses bords afin de minimiser le contact avec la surface polie. Stockez les plaquettes de silicium dans un environnement propre et sec, de préférence dans des supports ou des cassettes spécialisés. Le maintien d'une température et d'un taux d'humidité stables est essentiel pour préserver l'intégrité de la surface et les propriétés cristallographiques du substrat.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat cristallin de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces ?

R3 : Ce substrat est généralement conforme aux spécifications SEMI M1, qui définissent les caractéristiques des matériaux, les tolérances dimensionnelles et la qualité de la surface. Les fabricants sont souvent certifiés ISO 9001 afin de garantir un contrôle de la qualité et une traçabilité cohérents tout au long de la production. L'inspection suit des méthodes de métrologie normalisées pour l'épaisseur et la planéité de la surface, et la conformité à des directives environnementales telles que RoHS peut être exigée pour certaines applications. Ces certifications contribuent à garantir que les plaquettes répondent aux critères rigoureux de l'industrie en matière de performance et de fiabilité.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Ce substrat cristallin de silicium (Si) de 3 pouces de diamètre, orienté (110), est reconnu pour son uniformité exceptionnelle et la stabilité de son réseau, ce qui contribue directement à l'amélioration des performances et de la fiabilité des dispositifs. L'orientation du substrat le long du plan (110) garantit une densité de dislocation minimale, ce qui se traduit par une structure cristalline plus cohérente, capable de supporter des températures élevées et des environnements à haute pression. La pureté chimique améliorée permet en outre un contrôle précis du dopage, ce qui confère des propriétés de conduction électrique supérieures, essentielles pour les applications de semi-conducteurs de pointe.

La combinaison unique de l'uniformité de l'épaisseur et des défauts de surface minimes de ce substrat de silicium offre une excellente rigidité diélectrique pour les processus de fabrication critiques. Cette caractéristique lui permet de conserver sa stabilité dimensionnelle au cours d'étapes complexes, telles que le dépôt de couches minces et la photolithographie. La densité mécanique robuste de la plaquette orientée (110) offre également une tolérance élevée aux contraintes mécaniques, améliorant ainsi la longévité et la fiabilité des circuits et systèmes électroniques complexes.

2. Applications dans les industries de pointe

Largement utilisé dans la production de transistors et de capteurs de haute performance, le substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 3 pouces est particulièrement apprécié dans des domaines tels que les télécommunications et l'aérospatiale. L'orientation de cette plaquette permet de réduire les taux de défauts lors de la création de composants de microprocesseurs, ce qui garantit un fonctionnement plus rapide des appareils avec une meilleure efficacité énergétique. Cet avantage réduit la production globale de chaleur dans divers circuits intégrés, réduisant ainsi la probabilité de défaillance des systèmes dans les applications critiques.

Les entreprises spécialisées dans les systèmes micro-électromécaniques (MEMS) et les dispositifs optoélectroniques de la prochaine génération bénéficient également de la structure cristallographique fiable du substrat. L'orientation (110) permet une gravure anisotrope plus efficace, ce qui est un facteur clé dans la création de canaux et de cavités conçus avec précision pour les capteurs et les actionneurs MEMS. La demande de composants électroniques plus petits et plus efficaces ne cessant de croître, ce substrat de silicium reste un matériau essentiel pour les activités de recherche et la production à grande échelle dans les secteurs des technologies de pointe.