CY8548 Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces Description

Fabriqué à partir de silicium monocristallin de haute pureté, notre substrat de cristal de silicium orienté (100) offre une uniformité cristalline exceptionnelle et une qualité de surface remarquable. D'un diamètre de 3 pouces, il est conçu avec précision pour présenter un minimum de défauts de réseau, un excellent contrôle de l'épaisseur et un dopage uniforme, ce qui en fait une plateforme idéale pour la recherche et le développement de pointe dans le domaine des semi-conducteurs. Sa faible résistivité électrique et sa conductivité thermique élevée garantissent une dissipation thermique supérieure et des performances stables, essentielles pour la microélectronique avancée, les capteurs et les dispositifs photoniques.

Chaque substrat fait l'objet d'une inspection rigoureuse afin de répondre aux protocoles industriels et aux normes de qualité les plus stricts, ce qui se traduit par une planéité optimale des plaquettes, une faible rugosité de surface et des niveaux de pureté élevés. Que vous fabriquiez des circuits intégrés, des prototypes ou des composants MEMS, nos substrats en cristal de silicium (Si) constituent une base fiable pour toute application de haute performance.

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces Applications

Les substrats de cristal de silicium (Si) avec une orientation (100), mesurant 3 pouces de diamètre, présentent une résistance mécanique, une conductivité thermique et des caractéristiques électriques exceptionnelles. Ces qualités en font une base idéale pour de nombreuses technologies avancées. En offrant un réseau cristallin cohérent et un minimum de défauts, ces substrats permettent le dépôt de couches minces, la fabrication de dispositifs et bien d'autres choses encore. Examinons les principales applications dans les secteurs de l'industrie, de la recherche et du commerce.

1) Applications industrielles

-Fabrication de semi-conducteurs : La structure cristalline uniforme des substrats en silicium (100) est essentielle à la production de micropuces et de circuits intégrés de haute performance.

-Fabrication de MEMS : la stabilité mécanique du substrat et sa faible densité de défauts le rendent adapté à la construction de systèmes microélectromécaniques à géométrie précise.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Études de couches minces : les chercheurs utilisent ces substrats pour étudier de nouveaux matériaux, tels que des films diélectriques ou supraconducteurs avancés, en raison de leurs propriétés de surface fiables.

-Caractérisation à l'échelle nanométrique : La surface lisse et l'orientation cristallographique bien définie facilitent l'imagerie et l'analyse à haute résolution dans les expériences de nanotechnologie.

3) Applications commerciales

-Cellules solaires : La grande pureté des plaquettes de silicium (100) garantit une absorption efficace de la lumière pour les solutions d'énergie renouvelable.

-Fabrication de DEL : l'excellente conductivité thermique du substrat permet une dissipation efficace de la chaleur, ce qui se traduit par une performance constante des DEL et une durée de vie prolongée des produits.

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces Emballage

Ces 100 substrats de cristal de silicium de 3 pouces de diamètre sont soigneusement placés dans des plateaux robustes et antistatiques, recouverts de mousse pour éviter les dommages et les rayures. Chaque substrat est ensuite scellé sous vide dans des sachets compatibles avec les salles blanches afin de minimiser la contamination par l'humidité et les particules. Pour une protection supplémentaire, un étiquetage personnalisé, un double emballage et un emballage en mousse expansée sont disponibles sur demande pour répondre aux exigences particulières de manipulation et de transport.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des substrats en cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces ?

A1 : Le substrat de cristal de silicium (Si) dans l'orientation (100) avec un diamètre de 3 pouces se caractérise généralement par une épaisseur de 375-525 µm, une faible résistivité (<1 Ω-cm pour les plaquettes fortement dopées ou plus élevée pour les plaquettes légèrement dopées) et une grande pureté (99,9999% ou plus). La structure monocristalline offre des caractéristiques électriques et mécaniques uniformes, tandis que l'orientation (100) offre une planéité de surface supérieure. La conductivité thermique d'environ 149 W/m-K garantit une dissipation efficace de la chaleur pendant le traitement des dispositifs.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Le substrat doit être manipulé avec des gants propres et non pelucheux afin d'éviter la contamination par des particules ou des irrégularités de surface. Il est recommandé de stocker les plaquettes dans une salle blanche de classe 100 ou supérieure, en utilisant des supports de plaquettes spécialisés qui minimisent les vibrations et les contacts. La température doit rester stable entre 18 et 24 °C et l'humidité relative inférieure à 40-50 % pour éviter les décharges électrostatiques et préserver l'intégrité de la surface au fil du temps.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces ?

R3 : Ces substrats sont généralement conformes aux spécifications SEMI M1 en ce qui concerne le diamètre, les tolérances d'épaisseur, la qualité de la surface et la précision de l'orientation. De nombreux fabricants sont également certifiés ISO 9001, ce qui garantit la cohérence des processus de production et la traçabilité. Des contrôles de qualité supplémentaires, tels qu'une faible variation totale de l'épaisseur (TTV) et des seuils stricts de densité de défauts, contribuent à garantir que chaque plaquette répond aux exigences rigoureuses de l'industrie pour la microfabrication, les applications photovoltaïques et les semi-conducteurs avancés.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Fabriqué avec des concentrations ultra-faibles de contaminants métalliques, le substrat cristallin en silicium (Si) (100) Dia. 3 pouces constitue une base idéale pour les dispositifs semi-conducteurs de haute performance. Son orientation cristalline bien définie permet un comportement électrique prévisible et une densité de défauts minimale, ce qui améliore la mobilité des porteurs et réduit le risque de dislocations limitant les performances. Ces attributs garantissent que la structure de la plaquette supporte des processus de lithographie avancés et des techniques de dépôt complexes, tout en maintenant une qualité constante dans chaque lot.

Les processus de dopage font l'objet d'une attention particulière afin de maintenir des plages de résistivité précises, ce qui garantit que le substrat répond aux exigences rigoureuses de la fabrication microélectronique. L'orientation (100), en particulier, offre une excellente uniformité de gravure et une épaisseur de plaquette constante, ce qui est essentiel pour former des schémas de circuit très précis. Cette combinaison de stabilité dimensionnelle, de faible rugosité de surface et de résistance mécanique robuste renforce encore l'adéquation du substrat pour la fabrication de circuits intégrés à la pointe de la technologie.

2. Applications dans les industries de pointe

Les principaux fabricants de semi-conducteurs utilisent ces plaquettes de 3 pouces (100) d'orientation pour des initiatives de recherche et de développement visant à repousser les limites de la mise à l'échelle des transistors et de la performance des puces. Dans des domaines spécialisés tels que l'optoélectronique et la technologie des capteurs, la structure cristalline orientée avec précision du substrat garantit une détection et une transmission fiables des signaux, contribuant ainsi à améliorer la sensibilité et la précision des dispositifs. En outre, la stabilité de cette plaquette dans le cadre d'un traitement à haute température élargit son utilisation à de nouvelles applications, notamment l'électronique de puissance et les systèmes microélectromécaniques.

En outre, le substrat de 3 pouces de diamètre peut accueillir un large éventail d'outils de traitement et d'équipements de test, ce qui en fait un choix populaire pour le prototypage et les petites séries de production. Des processus de revêtement et des profils de dopage spécialisés peuvent être appliqués pour créer des matériaux personnalisés pour les expériences émergentes en nanoélectronique et en informatique quantique. Ces capacités uniques soulignent la polyvalence du substrat dans de multiples secteurs, ce qui lui permet de rester à l'avant-garde de la fabrication de dispositifs électroniques de la prochaine génération.