CY8547 Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces Description

Faites l'expérience d'une performance supérieure avec notre substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces, méticuleusement conçu pour la recherche de pointe sur les semi-conducteurs et la photonique. L'orientation cristallographique (111) offre une qualité cristalline exceptionnelle, ce qui le rend idéal pour la fabrication de dispositifs avancés tels que l'électronique de puissance et les systèmes microélectromécaniques (MEMS). Chaque substrat est poli comme un miroir et présente des tolérances d'épaisseur étroites, ce qui garantit une densité de défauts minimale et des conditions de traitement stables.

Nos plaquettes de silicium (111) répondent à des normes industrielles et de qualité rigoureuses, y compris des inspections complètes de la rugosité de la surface, de l'intégrité de la structure cristalline et de la précision dimensionnelle. Cette volonté d'excellence garantit des résultats cohérents et reproductibles, tant dans le domaine de la recherche et du développement que dans celui de la fabrication en grande série. Que vous développiez de nouvelles optiques ou des circuits intégrés de nouvelle génération, notre substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces offre la fiabilité et la performance que vous exigez.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces Applications

Le substrat de cristal de silicium (Si) (111) d'un diamètre de 2 pouces est un matériau clé qui présente une uniformité structurelle exceptionnelle, une orientation définie et une stabilité thermique remarquable. L'orientation (111) fournit une surface supérieure pour la croissance épitaxiale, permettant des couches de haute qualité essentielles à la fabrication de dispositifs avancés. Avec son niveau d'impureté contrôlé et sa faible densité de défauts, ce substrat garantit précision et fiabilité dans diverses applications industrielles, de recherche et commerciales.

1) Applications industrielles

-Application 1 : fabrication de capteurs et d'actionneurs à haute température, en tirant parti de la remarquable stabilité thermique du substrat.

-Application 2 : dispositifs électroniques de puissance, utilisant une faible densité de défauts pour améliorer les performances et la longévité.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Application 1 : études sur l'informatique quantique, tirant parti d'un contrôle précis du dopage pour stabiliser les qubits.

-Application 2 : recherche en science des matériaux, évaluation de la croissance cristalline et de la formation de défauts sur des surfaces orientées (111).

3) Applications commerciales

-Application 1 : Production de masse de circuits intégrés haut de gamme, bénéficiant de l'uniformité structurelle

-Application 2 : technologies d'affichage de la prochaine génération, utilisant la surface cristalline supérieure pour une superposition épitaxiale fiable.

Cristal de silicium (Si) Substrat (111) Dia. 2 pouces Emballage

Chaque substrat de cristal de silicium (111) de 2 pouces de diamètre est scellé individuellement sous vide dans un sac de protection en polyéthylène à faible teneur en particules, puis calé avec de la mousse dans un conteneur robuste compatible avec les salles blanches. Pour éviter toute contamination, il convient de porter des gants lors de la manipulation et de stocker le produit dans un environnement sec et climatisé. Des couches supplémentaires antistatiques et anti-humidité garantissent une pureté maximale. L'étiquetage personnalisé, les quantités d'emballage et les conteneurs spécialisés sont disponibles sur demande, ce qui garantit la flexibilité nécessaire pour répondre aux diverses exigences de la recherche et de la production.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces ?

R1 : Le substrat de cristal de silicium (Si) avec une orientation (111) offre généralement une grande stabilité mécanique, une grande pureté cristallographique et des niveaux de dopage uniformes, le cas échéant. Son diamètre de 2 pouces correspond à une norme de plaquette précise pour la recherche et l'industrie. La conductivité thermique est d'environ 150 W/mK et le substrat présente généralement une épaisseur de 275 à 525 µm, ce qui garantit la compatibilité avec divers processus de microfabrication.

Q2 : Comment doit-on manipuler et stocker le substrat de cristal de silicium (Si) Dia. 2 inch ? doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Lors de la manipulation du substrat cristallin en silicium (Si), portez toujours des gants non poudrés pour éviter la contamination et les empreintes digitales. Utilisez des pinces en plastique ou en téflon pour éviter de rayer la surface fragile de la plaquette. Stockez le substrat dans un conteneur compatible avec les salles blanches, dans des conditions de faible humidité et à l'abri de la poussière, afin de minimiser l'oxydation et les particules. Évitez les changements brusques de température, car les chocs thermiques peuvent provoquer des déformations ou des microfissures.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces ?

A3 : Les substrats cristallins en silicium (Si) sont généralement conformes aux normes SEMI M1 régissant les dimensions des plaquettes, la planéité de la surface et la pureté des matériaux. D'autres certifications ISO, telles que ISO 9001, peuvent également s'appliquer pour la cohérence de la fabrication et la gestion de la qualité. Les fournisseurs fournissent souvent un certificat de conformité, y compris la vérification de la résistivité et de l'épaisseur. Le respect de ces normes garantit des résultats fiables et reproductibles pour la fabrication de dispositifs, la recherche sur les semi-conducteurs et d'autres applications exigeantes.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages des matériaux

À partir d'un plan (111) méticuleusement orienté, le substrat cristallin de silicium (Si) Dia. 2 pouces présente une uniformité cristalline exceptionnelle qui améliore son intégrité électronique et structurelle. Cette orientation réduit considérablement les défauts de réseau, ce qui le rend particulièrement adapté à la fabrication de dispositifs avancés pour lesquels la cohérence et la fiabilité des performances sont cruciales. Le diamètre de précision de 2 pouces assure un équilibre optimal entre la flexibilité de l'agencement des dispositifs et la gestion des coûts, tandis que les caractéristiques stables d'expansion thermique du substrat minimisent la distorsion pendant le traitement à haute température.

Renforcé par sa forte liaison covalente, ce substrat en cristal de silicium constitue une base robuste capable de résister à toute une série d'applications exigeantes. La plus faible densité de défauts de l'orientation (111) favorise une mobilité supérieure des porteurs, ce qui se traduit par un transport d'électrons plus efficace pour l'électronique de puissance et les circuits à grande vitesse. En outre, sa grande stabilité chimique et son état de surface plat favorisent le développement de diverses couches minces, ouvrant la voie à de nouvelles applications dans les systèmes microélectromécaniques (MEMS) et les dispositifs quantiques.

2. Applications dans les industries de pointe

Bénéficiant d'une faible rugosité de surface et d'une orientation cristalline exceptionnelle, le substrat cristallin en silicium (Si) (111) Dia. 2 pouces est largement utilisé dans la fabrication de transistors de puissance, de capteurs et d'autres dispositifs microélectroniques de pointe. Sa capacité à maintenir la fidélité structurelle dans des conditions de traitement agressives en fait un candidat de choix pour l'intégration d'hétérostructures composées de semi-conducteurs, ce qui étend son champ d'application à l'optoélectronique de pointe. La combinaison d'un contrôle précis de l'épaisseur et de profils de dopage uniformes permet d'obtenir des résultats fiables, un facteur décisif dans les industries qui exigent une qualité constante d'un lot à l'autre.

Des techniques de lithographie élaborées tirent également parti de la surface du silicium (111) pour obtenir une résolution fine des lignes, ouvrant la voie à des composants photoniques et nanoélectroniques avancés. Qu'il soit utilisé dans les communications de données à haute performance ou dans les systèmes de capteurs automobiles spécialisés, ce substrat se distingue par ses caractéristiques électriques constantes qui facilitent le fonctionnement stable des dispositifs. Alors que divers domaines continuent d'adopter des technologies de semi-conducteurs de plus en plus complexes, la capacité du substrat de silicium (111) à assurer une intégration harmonieuse et une fabrication à haut rendement reste essentielle pour repousser les limites de l'innovation électronique moderne.