CY8545 Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces Description

Le substrat cristallin de silicium (Si) de haute pureté (100) d'un diamètre de 2 pouces se caractérise par une structure cristalline cohérente et une qualité de surface exceptionnelle. Son orientation (100) offre une uniformité optimale, ce qui en fait une plate-forme fiable pour la microfabrication avancée et l'ingénierie des dispositifs semi-conducteurs. Avec une densité de défauts minimale et une résistivité contrôlée avec précision, ce substrat répond à une large gamme d'applications, notamment les circuits intégrés, les capteurs et les technologies photovoltaïques.

Chaque substrat est soumis à des mesures strictes de contrôle de la qualité afin de garantir sa conformité aux normes industrielles. L'état de surface poli et les tolérances d'épaisseur précises permettent d'obtenir des résultats de traitement répétables et à haut rendement, tandis que ses excellentes propriétés thermiques et électriques garantissent la stabilité des performances des dispositifs. Qu'ils soient utilisés dans des laboratoires de recherche ou sur des lignes de production à haut volume, nos substrats cristallins de silicium (Si) (100) offrent la cohérence et la fiabilité requises pour les composants électroniques de la prochaine génération.

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces Applications

Les substrats de cristal de silicium (Si) avec une orientation (100) et un diamètre de 2 pouces sont reconnus pour leurs caractéristiques électriques exceptionnelles, leur excellente conductivité thermique et leur perfection structurelle supérieure. Leurs profils de dopage uniformes et leurs défauts minimes garantissent des résultats de haute qualité dans une myriade d'applications, de la microélectronique au développement de capteurs, ce qui en fait un choix idéal pour la fabrication de dispositifs précis et les avancées technologiques innovantes.

1) Applications industrielles

-Circuits intégrés haute performance : La faible densité de défauts et la structure cristalline cohérente du substrat améliorent la fiabilité des dispositifs dans les processus de fabrication avancés.

-Modules électroniques de puissance : La conductivité thermique supérieure permet une dissipation efficace de la chaleur, ce qui améliore les performances des systèmes à forte consommation d'énergie.

2. applications de recherche

-Nouveaux dispositifs semi-conducteurs : Un contrôle précis du dopage et une excellente cristallinité permettent d'expérimenter des architectures de semi-conducteurs de pointe.

-Études sur le dépôt de couches minces : La surface uniforme du substrat est idéale pour analyser les revêtements innovants et les nouvelles couches de matériaux.

3) Applications commerciales

-Capteurs électroniques grand public : Les faibles niveaux d'impuretés et la structure cristalline stable garantissent la précision des relevés des capteurs dans les appareils de tous les jours.

-Composants photoniques : La clarté optique élevée et l'uniformité du réseau permettent le développement de circuits photoniques avancés et d'optiques intégrées.

Cristal de silicium (Si) Substrat (100) Dia. 2 pouces Emballage

Chaque substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 inch est soigneusement emballé à l'aide d'inserts en mousse de protection et de sacs antistatiques scellés sous vide. L'emballage est conçu pour éviter les dommages et la contamination en minimisant l'humidité et l'infiltration de particules. Des solutions d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre aux besoins uniques de la recherche ou de la production, garantissant un transport sûr et une protection optimale des substrats.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces ?

A1 : Le substrat en cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces est connu pour sa haute cristallinité, son dopage uniforme et son excellente conductivité thermique. Sa structure monocristalline garantit un minimum de défauts, ce qui le rend idéal pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. L'orientation (100) permet une gravure prévisible et des propriétés électriques constantes. Ces plaquettes présentent une faible rugosité de surface, une résistance élevée à la traction et un coefficient de dilatation thermique stable pour des performances fiables dans des applications exigeantes.

Q2 : Quelles sont les pratiques de manipulation et de stockage recommandées pour le substrat de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces ?

R2 : En raison de leur grande pureté et de la précision de leur finition de surface, ces substrats doivent être manipulés avec des gants de salle blanche et stockés dans un environnement sec et exempt de poussière. Évitez tout contact direct avec les doigts nus et n'utilisez que des pinces ou des outils de manipulation de plaquettes dédiés. Maintenir des conditions de température et d'humidité stables pour éviter la contamination et réduire le stress. Stocker les gaufres dans des supports spécialisés afin de minimiser les dommages mécaniques.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux substrats de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces ?

A3 : Les plaquettes de silicium (Si) Crystal Substrate (100) Dia. 2 pouces de haute qualité sont généralement conformes aux normes SEMI en matière de tolérance d'épaisseur, de planéité et de finition de surface. De nombreux fournisseurs sont également certifiés ISO 9001 afin de garantir la cohérence des processus de fabrication et la traçabilité. D'autres certifications peuvent inclure la conformité RoHS et REACH pour les substances réglementées. Les tests en laboratoire vérifient la résistivité, l'orientation cristallographique et la densité des défauts conformément aux normes de l'industrie des semi-conducteurs.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages des matériaux

Le substrat en cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces présente une stabilité thermique exceptionnelle, ce qui en fait un choix idéal pour les applications à haute température dans le traitement des semi-conducteurs. Cette stabilité permet de préserver l'intégrité des plaquettes lors des étapes de fabrication des dispositifs qui peuvent être soumises à des conditions extrêmes. L'orientation cristalline (100) bien définie fournit des caractéristiques électriques uniformes et permet d'obtenir des profils de gravure cohérents, ce qui est crucial pour la fabrication de dispositifs à l'échelle micro et nanométrique.

La résistance mécanique robuste du substrat garantit une manipulation fiable et réduit le risque de dommages pendant les opérations de transport ou de traitement. Grâce à son excellente mobilité des porteurs et à sa faible densité de défauts, ce substrat de silicium permet un déplacement plus rapide des électrons et une meilleure performance des dispositifs dans des applications telles que l'électronique de puissance, les capteurs et les circuits intégrés. En outre, son état de surface lisse facilite la photolithographie précise et améliore l'adhérence des couches minces dans les structures complexes des dispositifs.

2. Mesures de contrôle de la qualité

Des protocoles de métrologie ciblés sont utilisés tout au long du cycle de production afin de maintenir des niveaux de tolérance stricts pour l'épaisseur, le diamètre et la planéité. Des méthodes d'inspection avancées, telles que le balayage automatisé de la surface et la cartographie des défauts, permettent de détecter toute micro-rayure ou imperfection cristalline susceptible de compromettre le rendement des dispositifs. Ces processus d'inspection rigoureux garantissent un substrat de haute qualité capable de supporter des architectures de dispositifs complexes.

Des équipements à haute résolution sont utilisés pour mesurer la résistivité et vérifier la concentration de dopage, ce qui est essentiel pour obtenir les propriétés électriques souhaitées pour les applications finales. Ce niveau d'assurance garantit la fiabilité et l'homogénéité des produits entre les différents cycles de fabrication. En outre, les systèmes de traçabilité intégrés enregistrent chaque étape de la création de la plaquette, ce qui permet aux fabricants de remédier rapidement à toute déviation et de maintenir un approvisionnement fiable et constant en substrats de cristal de silicium (Si) (100) Dia. 2 pouces.