CY8544 Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce Description

Découvrez une qualité et une fiabilité exceptionnelles avec notre substrat cristallin en silicium (Si) (111), conçu avec un diamètre de 1 pouce pour des applications microélectroniques et optoélectroniques de précision. Conçus à l'aide de processus de croissance monocristalline avancés, ces substrats offrent un réseau cristallin très uniforme et des niveaux de pureté supérieurs, garantissant des défauts minimaux et une excellente mobilité des porteurs. L'orientation (111) offre des caractéristiques électriques et mécaniques distinctes, ce qui le rend idéal pour les laboratoires de recherche, la fabrication de semi-conducteurs et le développement de dispositifs de pointe.

Chaque substrat répond à des normes industrielles strictes en matière de planéité de la surface et de densité des défauts, ce qui permet d'obtenir des performances constantes et de réduire les variations dans la fabrication des dispositifs. Que vous ayez besoin de prototyper des nanotechnologies innovantes ou de créer des circuits intégrés robustes, notre substrat cristallin de silicium (Si) (111) offre une qualité, une stabilité et une reproductibilité fiables pour soutenir vos efforts de fabrication et de recherche.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce Applications

Le substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce est apprécié pour sa structure moléculaire précise et son excellente conductivité thermique. Ce substrat robuste peut s'adapter à diverses configurations, ce qui le rend indispensable pour les industries exigeant des composants de haute performance. Sa surface uniforme, associée à des caractéristiques mécaniques fiables, permet la fabrication de dispositifs de pointe, tandis que l'orientation (111) améliore la croissance des cristaux et les processus de dépôt dans de multiples applications.

1) Applications industrielles

-Fabrication de dispositifs microélectroniques à haute fréquence, où l'orientation (111) permet une superposition précise et améliore les performances.

-Fabrication de capteurs MEMS, en tirant parti de l'exceptionnelle stabilité thermique et mécanique du substrat pour un fonctionnement fiable des capteurs.

2. applications de recherche

-Études avancées de croissance épitaxiale, utilisant l'orientation cristalline constante pour explorer de nouveaux matériaux semi-conducteurs.

-Expériences fondamentales en science des matériaux, axées sur les profils de dopage et l'ingénierie du réseau cristallin pour l'électronique de la prochaine génération.

3. applications commerciales

-Technologie d'imagerie à haute résolution, bénéficiant de l'uniformité et de la conductivité supérieure du substrat pour améliorer l'efficacité des capteurs

-Composants électroniques grand public, fournissant une plate-forme stable pour les circuits intégrés dans les smartphones et autres appareils portables.

Cristal de silicium (Si) Substrat (111) Dia. 1 pouce Emballage

Chaque substrat en cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce est emballé individuellement dans un insert en mousse non statique et scellé dans un sachet de qualité salle blanche avec barrière contre l'humidité. L'emballage est stocké sous température et humidité contrôlées afin de minimiser l'oxydation et l'accumulation de particules. Une boîte extérieure assure une protection supplémentaire contre les chocs et empêche toute contamination pendant le transport. La personnalisation optionnelle comprend un marquage personnalisé et un étiquetage par code-barres, garantissant une traçabilité précise pour les applications spécialisées.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce ?

A1 : Le substrat en cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce présente généralement une orientation cristalline qui favorise une mobilité élevée des électrons, des défauts de réseau minimaux et une excellente uniformité. Avec une bande interdite d'environ 1,12 eV, il offre une bonne conductivité thermique et une résistance mécanique stable. L'orientation 111 du substrat est particulièrement utile pour la croissance épitaxiale avancée et la fabrication de dispositifs, garantissant une épaisseur de couche constante, un faible gauchissement de la plaquette et un contrôle précis du dopage.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Une manipulation correcte nécessite le port de gants de salle blanche et l'utilisation de pinces non métalliques pour éviter toute contamination. Le substrat doit être stocké dans un environnement à faible humidité et sans poussière, à une température ambiante stable, idéalement dans un conteneur antistatique. Évitez tout contact direct avec la peau ou toute exposition à des produits chimiques agressifs. Vérifiez régulièrement que la surface n'est pas endommagée et qu'il n'y a pas d'accumulation de particules. Ne manipulez les bords que pour maintenir la surface cristalline vierge nécessaire à la fiabilité des performances de l'appareil et à la précision des mesures.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce ?

R3 : Ces substrats sont généralement conformes aux normes SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) en matière de tolérances dimensionnelles, d'uniformité de l'épaisseur et de densité des défauts. Ils peuvent également être conformes à la norme de gestion de la qualité ISO 9001 pour la cohérence et la fiabilité de la production. D'autres certifications peuvent inclure la conformité REACH et RoHS, garantissant le respect des réglementations en matière d'environnement et de sécurité. Les fabricants soumettent chaque lot de substrat à des protocoles d'inspection rigoureux afin de garantir la pureté, la précision de l'orientation et la faible contamination par les particules.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages des matériaux

Conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des semi-conducteurs, le substrat cristallin en silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce offre une stabilité mécanique et une uniformité exceptionnelles sur toute sa surface. Avec une structure cristalline étroitement contrôlée, il présente une conductivité thermique supérieure et des paramètres de réseau cohérents, ce qui en fait une base fiable pour les applications microélectroniques de précision.

Fabriqué selon des normes de pureté élevées, l'orientation (111) de ce substrat constitue un plan idéal pour la croissance épitaxiale complexe et la superposition de dispositifs. En minimisant les dislocations et les densités de défauts, la plaquette garantit des performances électriques optimales dans les composants critiques tels que les dispositifs de puissance, les capteurs et les circuits intégrés avancés.

2. Applications dans les industries de pointe

Caractérisé par un alignement cristallin supérieur, le substrat cristallin de silicium (Si) (111) Dia. 1 pouce est largement utilisé dans le développement de produits de pointe dans des domaines tels que l'informatique quantique, l'instrumentation aérospatiale et les systèmes énergétiques avancés. Sa structure précise et ses propriétés électroniques stables permettent aux chercheurs et aux fabricants de concevoir des dispositifs innovants qui exigent des spécifications matérielles rigoureuses.

L'intégration de ce substrat dans les technologies de la prochaine génération permet d'améliorer la sensibilité des capteurs, la fiabilité des applications à haute tension et l'efficacité des systèmes photovoltaïques. Ses qualités cristallographiques uniques, associées à un contrôle dimensionnel rigoureux, offrent la précision nécessaire aux innovations à l'échelle de la plaquette et aux solutions émergentes de haute performance.