CY8543 Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce Description

Notre substrat cristallin de silicium (Si) (110) d'un diamètre de 1 pouce est conçu pour offrir une qualité cristalline supérieure et une uniformité structurelle exceptionnelle. L'orientation (110) fournit des arrangements atomiques uniques qui sont très favorables aux applications dans les domaines de la microélectronique avancée, de la photovoltaïque et de la recherche sur les MEMS. Grâce à sa grande pureté et à sa faible densité de défauts, ce substrat permet un contrôle précis des dopants et des tensions de réseau minimales, ce qui garantit des performances fiables et des résultats reproductibles dans les environnements expérimentaux et de production.

Fabriqué selon des normes de qualité strictes, chaque substrat fait l'objet d'une inspection rigoureuse pour vérifier la planéité de la surface, l'uniformité de l'épaisseur et la précision dimensionnelle globale. Cette surveillance attentive garantit une qualité de surface optimale adaptée au dépôt de couches minces, à la photolithographie et à d'autres processus de fabrication. Qu'il s'agisse d'explorer de nouveaux concepts de dispositifs ou d'augmenter la production, nos substrats cristallins en silicium (Si) (110) offrent des propriétés constantes et des performances fiables, essentielles pour les avancées technologiques de pointe.

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce Applications

Le substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce constitue une base polyvalente pour une large gamme de méthodologies sophistiquées. Grâce à sa grande pureté, à sa structure cristalline uniforme et à son orientation précise, il permet d'obtenir des performances constantes dans de nombreux domaines. L'exploitation de ces propriétés se traduit par une conductivité thermique élevée, des caractéristiques électriques supérieures et une résistance mécanique robuste, ce qui en fait un élément essentiel pour les applications de pointe.

1) Applications industrielles

-Électronique de haute performance : L'orientation (110) assure un transport efficace des porteurs, ce qui est idéal pour les transistors de puissance.

-Diffuseurs de chaleur : la conductivité thermique exceptionnelle aide à dissiper la chaleur dans les environnements industriels à forte demande.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Expérimentation sur les semi-conducteurs : L'orientation stable des cristaux permet de réaliser des études avancées sur le dopage et la croissance.

-Avancement de la photonique : L'épaisseur uniforme du substrat facilite la conception et les essais précis des composants optiques.

3) Applications commerciales

-Fabrication d'appareils de consommation : l'uniformité et la robustesse contribuent à la fiabilité et à la longévité des produits.

-Technologies des capteurs : Une pureté élevée garantit une détection précise des signaux et un fonctionnement stable dans le temps.

Cristal de silicium (Si) Substrat (110) Dia. 1 pouce Emballage

Chaque substrat de cristal de silicium (110) de 1 pouce de diamètre est scellé individuellement dans un sac en polyéthylène de qualité salle blanche avec des inserts en mousse pour l'absorption des chocs. Pour de meilleurs résultats, conserver dans un environnement contrôlé à 20-25°C, en maintenant l'humidité à moins de 50%. Les mesures anti-contamination comprennent un double emballage et une manipulation minimale. Un emballage protecteur personnalisé, tel que le scellage sous vide et les enveloppes ESD, peut être mis en place sur demande. Un étiquetage clair indiquant les spécifications du produit garantit la traçabilité et une gestion efficace des stocks.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des substrats en cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce ?

A1 : Les substrats en cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce présente généralement une excellente résistance mécanique, un arrangement atomique précis et des paramètres de réseau cohérents. Avec une orientation cristallographique (110), il est privilégié pour les systèmes microélectromécaniques (MEMS) et les dispositifs électroniques spécialisés nécessitant une gravure directionnelle. La résistivité typique varie de 1 à 20 Ω-cm, selon le type de dopage, ce qui garantit une conductivité stable. La finition de sa surface est lisse, avec une rugosité minimale, ce qui permet une fabrication de dispositifs de haute qualité.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : La manipulation correcte du substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce implique de porter des gants de salle blanche pour éviter toute contamination et de tenir le substrat par ses bords pour éviter les rayures. Il doit être stocké dans un environnement propre, exempt d'électricité statique, avec une humidité et une température contrôlées. Il faut éviter tout contact direct avec des surfaces dures et utiliser des conteneurs rembourrés pour le transport. Une inspection régulière et un nettoyage soigneux à l'aide de solvants approuvés permettront de préserver l'intégrité de la surface.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce ?

R3 : Les substrats en cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce répondent généralement aux normes ISO 9001 en matière de gestion de la qualité, garantissant une production et une traçabilité cohérentes. En outre, de nombreux fournisseurs adhèrent aux spécifications SEMI en matière de géométrie, de planéité et de précision de l'orientation cristallographique des plaquettes de silicium. La conformité RoHS est souvent certifiée pour confirmer la présence minimale de substances dangereuses. Des contrôles de qualité réguliers et des processus de métrologie sont effectués pour valider l'uniformité de l'épaisseur, la résistivité et la densité des défauts avant l'expédition du produit.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Des méthodes de croissance méticuleuses sont employées pour créer le substrat de cristal de silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce, afin de garantir l'uniformité de la structure du réseau et la stabilité de l'orientation. Ces substrats sont souvent constitués de cristaux de silicium de haute pureté obtenus par des techniques telles que le procédé Czochralski, qui consiste à faire fondre le silicium, puis à le tirer avec précaution pour former un lingot. L'orientation (110) est maintenue avec précision tout au long de cette procédure, ce qui contribue à la constance des propriétés et à la précision dimensionnelle du substrat.

Des procédures avancées de tranchage et de polissage suivent, au cours desquelles les plaquettes sont découpées dans le lingot et polies à la machine pour obtenir une douceur optimale. Au cours du polissage, toutes les irrégularités et tous les contaminants sont soigneusement éliminés afin d'obtenir une surface miroir répondant à des exigences strictes en matière de planéité. Ce souci du détail est essentiel pour obtenir un minimum de défauts, ce qui est crucial lorsque le substrat subit des étapes ultérieures de fabrication de dispositifs dans des environnements de recherche et commerciaux.

2. Applications dans les industries de pointe

Les performances robustes des systèmes microélectromécaniques (MEMS), des lasers à semi-conducteurs et de la fabrication de microprocesseurs font du substrat cristallin en silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce. Son orientation cristalline bien définie offre des caractéristiques cohérentes en matière de gestion thermique, de conductivité électrique et de répartition des contraintes, autant d'éléments essentiels pour les dispositifs électroniques délicats. Le diamètre d'un pouce du substrat le rend particulièrement adapté aux environnements de fabrication spécialisés ou aux expériences à l'échelle pilote axées sur l'ingénierie innovante des dispositifs.

L'utilisation ciblée dans des secteurs de pointe, tels que l'optoélectronique et le développement de capteurs, découle de la fiabilité et de la précision dimensionnelle considérables de ce substrat. Sa capacité à maintenir la stabilité cristalline dans une gamme de conditions aide les chercheurs et les fabricants à rationaliser leur processus de production, à réduire le gaspillage de matériaux et à augmenter la qualité des produits. Cette polyvalence fait du substrat cristallin en silicium (Si) (110) Dia. 1 pouce comme un composant essentiel pour faire avancer les technologies de la prochaine génération dans de nombreux domaines de la haute technologie.