CY8303 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, plan R Al2O3 (1-102) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, plan R Al2O3 (1-102) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm Description

Les substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) présentent une résistance mécanique exceptionnelle, une stabilité chimique et une conductivité thermique élevée, ce qui en fait une base idéale pour diverses applications de haute performance. Ce substrat de saphir dans le plan R (1-102) présente un diamètre de 50,8 mm et une épaisseur de 0,5 mm, ce qui offre une grande surface et une épaisseur uniforme pour la croissance épitaxiale. Son orientation cristallographique unique garantit des propriétés optimales pour la fabrication de dispositifs avancés, y compris l'optoélectronique, l'électronique à haute fréquence et les lasers à semi-conducteurs.

Chaque substrat est soumis à des contrôles de qualité stricts pour vérifier l'orientation cristalline, le polissage et la planéité de la surface. Fabriqués conformément aux normes industrielles rigoureuses, ils présentent un minimum de défauts et offrent des performances fiables, même dans le cadre des recherches et des développements commerciaux les plus exigeants. Qu'il s'agisse de la production de LED ou de réseaux de capteurs complexes, ce substrat de saphir de haute pureté fournit des résultats fiables lorsque la précision et la durabilité comptent le plus.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm Applications

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium (Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm) offre une résistance mécanique, une clarté optique et une inertie chimique. Grâce à sa conductivité thermique élevée et à sa faible perte diélectrique, il est idéal pour les processus exigeants tels que la croissance des dispositifs semi-conducteurs et l'optique avancée. Son orientation précise permet également des applications uniques de croissance épitaxiale, ce qui le rend indispensable dans divers secteurs et domaines de recherche.

1. Applications industrielles

- Application 1 : Idéal pour les fours à haute température en raison de son excellente stabilité thermique et de sa résistance à l'usure.

- Application 2 : Utilisé dans des environnements chimiques difficiles où la résistance à la corrosion garantit la longévité de l'équipement.

2. Applications dans le domaine de la recherche

- Application 1 : sert de plate-forme stable pour le dépôt de couches minces orientées dans le plan R dans le cadre du développement de semi-conducteurs.

- Application 2 : permet des expériences optiques précises et des investigations basées sur le laser grâce à une diffusion minimale et à une grande clarté.

3. Applications commerciales

- Application 1 : fournit des substrats robustes pour les technologies de capteurs avancées dans l'électronique grand public

- Application 2 : Amélioration de la durabilité des composants optiques utilisés dans les appareils médicaux et d'imagerie

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, plan R Al2O3 (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Emballage

Ces substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium sont emballés dans des récipients de protection en plastique avec des inserts en mousse pour éviter les dommages mécaniques. Un environnement scellé sous vide ou purgé à l'azote permet de réduire l'intrusion d'humidité et de particules. Les substrats doivent être stockés dans un endroit propre, à température contrôlée et avec un taux d'humidité stable. Des mesures anti-contamination supplémentaires, telles que des sachets scellés, garantissent la propreté. Les options de personnalisation comprennent d'autres épaisseurs, des finitions de surface et des tailles sur mesure pour des besoins spécifiques.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Substrat de cristal saphir à l'oxyde d'aluminium, plan R Al2O3 (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm ?

A1 : Le substrat saphir Al2O3 R est connu pour sa stabilité thermique exceptionnelle, sa grande résistance mécanique, son excellente résistance chimique et sa transparence optique optimale. Composé principalement d'oxyde d'aluminium monocristallin, il offre une dureté de Mohs de 9, une planéité de surface supérieure et un faible coefficient de dilatation thermique. L'orientation du plan R permet d'aligner précisément les plans cristallins pour l'épitaxie avancée et garantit un décalage minimal du réseau dans les processus d'épitaxie par faisceaux moléculaires ou de dépôt de couches minces.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Lorsque vous manipulez ces substrats de saphir précis, utilisez toujours des gants de salle blanche et évitez d'exercer une pression mécanique excessive afin de ne pas les rayer ou les ébrécher. Stockez-les dans des conteneurs antistatiques, exempts de poussière et dotés d'un coussin de soutien afin de préserver l'intégrité de la surface. Maintenez un environnement stable avec un faible taux d'humidité et des fluctuations de température minimales pour réduire le stress. Il est fortement recommandé de les nettoyer soigneusement avec des solvants approuvés ou de l'eau ultrapure avant de les utiliser.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm ?

A3 : Les fabricants adhèrent généralement aux normes de gestion de la qualité ISO 9001 et de gestion de l'environnement ISO 14001 pour une production cohérente et durable. Chaque lot est soumis à un contrôle rigoureux de l'orientation cristallographique, de la rugosité de la surface et des tolérances dimensionnelles afin de garantir la conformité avec les normes industrielles. La production répond souvent aux spécifications MIL-STD ou équivalentes pour les plats optiques, garantissant une épaisseur uniforme, un minimum d'impuretés et des performances stables pour les semi-conducteurs avancés, la photonique ou les applications de recherche.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Une attention particulière aux détails est essentielle dans la production du substrat de cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm. La matière première d'alumine de haute pureté est méticuleusement fondue et solidifiée de manière directionnelle à l'aide de techniques de croissance cristalline avancées, telles que la croissance de Czochralski ou la croissance par film définie par les bords. Cette étape garantit un arrangement moléculaire uniforme qui permet des performances électriques et optiques cohérentes sur l'ensemble de la surface de 50,8 mm de diamètre.

Pour obtenir l'orientation du plan R, des techniciens expérimentés utilisent des méthodes de découpage précises qui permettent d'obtenir des substrats avec un alignement cristallin (1-102). Une fois découpée, chaque plaquette est rodée et polie à des niveaux de plus en plus fins jusqu'à ce que la rugosité de la surface réponde à des spécifications rigoureuses. Le résultat final est un substrat de 0,5 mm d'épaisseur qui se distingue par une intégrité structurelle exceptionnelle, ce qui le rend particulièrement adapté aux processus sophistiqués de fabrication de couches minces et de dispositifs.

2. Applications dans les industries de pointe

Le substrat de cristal d'oxyde d'aluminium et de saphir, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm est devenu un composant intégral des technologies de la prochaine génération. Sa dureté mécanique remarquable et son orientation cristalline stable permettent d'améliorer la fiabilité des instruments aérospatiaux et d'une variété de systèmes optiques basés sur le laser. En outre, sa faible perte diélectrique et sa conductivité thermique élevée le rendent inestimable pour les appareils à micro-ondes à haute fréquence.

Plusieurs secteurs à hautes performances utilisent ce substrat saphir à plan R pour construire des plates-formes de capteurs et des composants de puissance robustes. Son épaisseur de 0,5 mm permet des étapes de microfabrication complexes, ce qui se traduit par des produits plus petits et plus efficaces. Les chercheurs qui explorent de nouvelles architectures de dispositifs tirent également parti de l'orientation unique du substrat, qui permet une croissance épitaxiale supérieure des couches minces, ce qui stimule l'innovation dans les applications industrielles de pointe.