CY8301 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, plan R Al2O3 (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm

Substrat de cristal saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan R (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm Description

Notre substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) dans la configuration du plan R (1-102) offre une rigidité, une stabilité thermique et une clarté optique exceptionnelles. Mesurant 5 x 5 x 0,5 mm, ce substrat garantit une structure cristalline uniforme qui optimise les performances des dispositifs dans les environnements de recherche et de production. Doté d'une excellente constante diélectrique et d'une grande résistance à la corrosion, il est idéal pour les applications à haute température et les conditions d'exploitation difficiles.

Fabriqué avec soin selon des normes de qualité rigoureuses, chaque substrat présente un contrôle précis de l'épaisseur et des défauts de surface minimes, ce qui garantit des résultats constants d'un lot à l'autre. L'orientation du plan R offre des caractéristiques de réseau uniques utiles dans les processus de croissance épitaxiale pour les LED, les lasers et autres composants optoélectroniques. Choisissez notre substrat de cristal de saphir pour sa fiabilité éprouvée, qui vous permet de développer en toute confiance des technologies de pointe.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plan (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm Applications

Le substrat de cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, plan R Al2O3 (1-102) mesurant 5 x 5 x 0,5 mm, offre une résistance mécanique, une stabilité thermique et une clarté optique exceptionnelles, ce qui le rend indispensable dans de nombreux domaines. Son rôle prépondérant dans les applications de matériaux avancés découle de sa faible perte diélectrique, de sa conductivité thermique élevée et de son inertie chimique. Voici quelques utilisations potentielles de ce substrat robuste et polyvalent.

1. Applications industrielles

- Emballage au niveau de la plaquette : Les excellentes propriétés thermiques et mécaniques du substrat saphir à plan R permettent des processus de collage de plaquettes stables dans le domaine de la microélectronique.

- Production de LED à haute intensité : Sa clarté optique et sa tolérance aux températures élevées permettent une dissipation efficace de la chaleur et améliorent la longévité des dispositifs.

2. Applications dans le domaine de la recherche

- Essais de croissance hétéroépitaxique : La structure unique du réseau permet la croissance de divers semi-conducteurs composés, ce qui favorise le développement de nouveaux matériaux.

- Prototypes d'informatique quantique : La faible perte diélectrique et la stabilité chimique ouvrent des perspectives pour les résonateurs de circuits dans les bits quantiques.

3. Applications commerciales

- Optique compatible avec les lasers : Une transparence et une durabilité exceptionnelles rendent ces substrats parfaits pour les dispositifs optiques avancés dans les produits de consommation.

- Surfaces de protection : Une résistance aux rayures et une dureté supérieures améliorent la durée de vie des produits, en particulier dans les appareils électroniques portables haut de gamme.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plan (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm Emballage

Chaque substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium est emballé dans un conteneur à clapet protecteur doublé de mousse, le protégeant contre les dommages physiques. Les substrats sont scellés dans des sacs antistatiques afin de minimiser la contamination. Ils doivent être stockés dans un environnement propre, à l'humidité contrôlée, inférieure à 40 % d'humidité relative. Des couches de filtration supplémentaires garantissent une exposition minimale aux particules. Des variations d'épaisseur aux formes personnalisées, de nombreuses options de personnalisation sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques des projets.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plan (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal d'oxyde d'aluminium saphir, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm ?

A1 : Les substrats en saphir d'oxyde d'aluminium (Al2O3) à plan R présentent une excellente résistance mécanique et une grande stabilité chimique. D'une dureté de 9 sur l'échelle de Mohs, ils résistent aux rayures et aux températures élevées jusqu'à 2000°C. Dotés d'une bonne conductivité thermique (environ 30 W/mK) et d'une faible perte diélectrique, ils présentent également une grande transparence optique dans les domaines de l'infrarouge, du visible et de l'ultraviolet. Ces propriétés les rendent idéales pour les applications optoélectroniques.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Pour garantir une manipulation sûre, portez toujours des gants non poudrés et utilisez des pinces propres lorsque vous manipulez le substrat. Évitez tout contact direct avec la surface afin de minimiser la contamination et les rayures. Stockez chaque substrat dans un support de plaquette dédié ou dans un conteneur de protection, à l'abri de l'humidité et de la poussière. Maintenir une température stable pour éviter les chocs thermiques. Inspecter et nettoyer régulièrement le substrat, si nécessaire, pour maintenir les performances.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux substrats de cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm ?

R3 : Ces substrats sont généralement conformes à des normes industrielles strictes telles que la norme ISO 9001 pour la gestion de la qualité et la norme ISO 14001 pour la responsabilité environnementale. Les fournisseurs effectuent souvent des inspections optiques et cristallographiques rigoureuses, notamment des mesures de la rugosité de la surface, des analyses par diffraction des rayons X et des vérifications de l'orientation. Des certifications sont délivrées au niveau des lots, détaillant la pureté, l'orientation des cristaux et la densité des défauts. Ces normes garantissent des performances constantes pour les applications optoélectroniques et semi-conductrices exigeantes.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Fabriqué à partir d'oxyde d'aluminium de haute pureté, le substrat de cristal de saphir Al2O3 R-Plane (1-102) mesure 5 x 5 x 0,5 mm et garantit une finition de surface exceptionnellement uniforme. Cette orientation spécifique produit une structure cristallographique stable qui résiste aux processus à haute température, ce qui le rend particulièrement adapté à la croissance épitaxiale complexe.

Un autre avantage notable de ce substrat à plan R est son excellente conductivité thermique, qui permet une dissipation efficace de la chaleur dans les applications exigeantes. Sa faible perte diélectrique, associée à une résistance mécanique supérieure, permet l'intégration de couches semi-conductrices délicates tout en conservant la rigidité nécessaire à la fabrication de dispositifs sophistiqués.

2. Applications dans les industries de pointe

Largement utilisé dans la production de dispositifs optoélectroniques de haute performance, ce substrat de cristal de saphir de 5 x 5 x 0,5 mm est largement accepté dans les établissements de recherche de pointe. Par exemple, l'orientation du plan R ouvre la voie au développement de diodes laser spécialisées, de réseaux de capteurs et de circuits optiques intégrés.

Sa contribution aux systèmes aérospatiaux et de défense est tout aussi cruciale, car les matériaux robustes sont essentiels dans des conditions environnementales extrêmes. En assurant la stabilité dans des environnements difficiles, le substrat Al2O3 à plan R permet le développement innovant de systèmes de ciblage avancés, de capteurs et de composants robustes qui nécessitent une stabilité thermique et mécanique exceptionnelle.