CY8300 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 Plan M Dia. 50.8 mm x 0.5 mm

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 Plan M Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Description

Fabriqués à partir d'oxyde d'aluminium de première qualité, ces substrats de cristal de saphir en plan M (Al2O3) mesurent 50,8 mm de diamètre et 0,5 mm d'épaisseur. La dureté exceptionnelle du saphir, son inertie chimique et sa grande stabilité thermique font de ces substrats la solution idéale pour les applications exigeantes en optoélectronique, en recherche sur les semi-conducteurs et en technologie des capteurs avancés. L'orientation du plan M offre des propriétés uniques de croissance épitaxiale qui permettent un contrôle précis de la qualité du film et de la contrainte du matériau.

Chaque substrat est soumis à un polissage et à une inspection rigoureux afin de garantir un minimum de défauts de surface et une orientation cristallographique cohérente. Ce processus méticuleux de contrôle de la qualité garantit des performances uniformes, améliorant ainsi la fiabilité des appareils. Qu'ils soient utilisés pour la production de LED, le développement de MEMS ou les revêtements optiques, ces substrats de saphir offrent des performances et une fiabilité exceptionnelles, répondant aux normes industrielles strictes en matière de pureté et de reproductibilité.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 Plan M Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Applications

Les substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium (Al2O3) avec une orientation dans le plan M et un diamètre de 50,8 mm x 0,5 mm d'épaisseur offrent une résistance, une inertie chimique et une stabilité thermique remarquables. Leur dureté et leur transparence optique supérieures en font un choix idéal pour des applications exigeantes dans diverses industries. En exploitant leurs propriétés uniques, ces substrats peuvent améliorer de manière significative les performances, la durabilité et la fiabilité dans des environnements qui requièrent de la précision, des températures élevées et des conditions environnementales difficiles.

1. Applications industrielles

- Application 1 : idéale pour l'emballage des produits électroniques de haute puissance en raison de leur excellente conductivité thermique et de leur stabilité chimique.

- Application 2 : Convient aux pièces mécaniques résistantes à l'usure dans des environnements exigeant une dureté extrême.

2. Applications dans le domaine de la recherche

- Application 1 : substrat privilégié pour la croissance épitaxiale et les études de couches minces, permettant une expérimentation précise.

- Application 2 : utilisé dans la recherche optique et laser, bénéficiant de sa clarté optique supérieure et de sa faible biréfringence.

3. Applications commerciales

- Application 1 : intégration dans des panneaux d'affichage avancés pour l'électronique grand public, garantissant des surfaces robustes et résistantes aux rayures.

- Application 2 : utilisé dans les fenêtres optiques pour les équipements spécialisés, en tirant parti de sa transparence et de sa durabilité.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 Plan M Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Emballage

Chaque substrat de cristal d'oxyde d'aluminium saphir, Al2O3 plan M (50,8 mm de diamètre, 0,5 mm d'épaisseur) est placé individuellement dans une pochette antistatique avec une mousse de protection pour la résistance aux chocs. Les emballages doivent être stockés dans un environnement propre et à température contrôlée afin d'éviter toute contamination par l'humidité ou les particules. Ces substrats peuvent être personnalisés en termes de quantité ou d'étiquetage, et d'autres options d'emballage stérile sont disponibles pour des besoins spécifiques.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3, plan M Dia. 50,8 mm x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane Dia. 50.8 mm x 0.5 mm ?

A1 : Les substrats de saphir à plan M en oxyde d'aluminium (Al2O3) sont connus pour leur grande dureté, leur transparence optique et leur excellente stabilité chimique. Ils présentent une dureté de Mohs de 9, une large bande interdite (9 eV) et une conductivité thermique exceptionnelle (environ 35 W/m-K). L'orientation dans le plan M confère des propriétés anisotropes bénéfiques pour certains processus de croissance épitaxiale. Ces substrats offrent également une qualité de surface exceptionnelle, des décalages de réseau minimaux et une résistance mécanique robuste, ce qui les rend idéaux pour les applications électroniques et optiques de haute performance.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Manipulez ces substrats de saphir à plan M avec des gants non abrasifs pour éviter les taches et minimiser la contamination particulaire. Évitez tout contact direct avec des surfaces dures qui pourraient provoquer des rayures. Nettoyez-les délicatement avec des solvants appropriés (par exemple, de l'alcool isopropylique) et assurez-vous que les substrats sont complètement secs avant de les stocker. Stockez-les dans des conteneurs de protection avec de la mousse antistatique ou des cassettes de plaquettes dans un environnement propre et peu humide afin d'éviter l'oxydation et de préserver l'intégrité de la surface.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane Dia. 50,8 mm x 0,5 mm ?

R3 : Ces substrats de saphir sont généralement fabriqués dans le cadre de systèmes de gestion de la qualité ISO 9001 stricts afin de garantir des tolérances dimensionnelles, une finition de surface et une orientation cristallographique cohérentes. Ils peuvent également être conformes aux normes ASTM pour le saphir de qualité semi-conducteur, y compris les spécifications relatives à la densité des défauts et aux inclusions. Des certificats de conformité (CoC) accompagnent souvent chaque lot, vérifiant les spécifications du substrat, la précision de l'orientation et la qualité globale pour les applications électroniques et photoniques exigeantes.

Informations connexes

1. Mesures de contrôle de la qualité

Des protocoles d'inspection précis sont essentiels pour vérifier l'uniformité et la cohérence des substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane Dia. 50,8 mm x 0,5 mm. Chaque substrat fait l'objet d'une caractérisation de surface méticuleuse pour confirmer l'orientation du plan M, garantissant l'alignement du réseau pour les applications qui dépendent d'interfaces structurelles précises.

La surveillance constante de l'épaisseur et de la planéité de la surface est également essentielle pour maintenir des normes de qualité fiables. Des instruments de métrologie spécialisés mesurent l'épaisseur de 0,5 mm avec une grande précision, ce qui permet d'éviter les variations susceptibles de compromettre les performances des dispositifs dans les applications de semi-conducteurs et de photonique de pointe.

2. Applications dans les industries de pointe

Les percées technologiques dans le domaine de l'optoélectronique dépendent fortement de substrats dotés d'une stabilité thermique et mécanique exceptionnelle. Le substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane Dia. 50,8 mm x 0,5 mm répond à ces exigences en offrant une plate-forme robuste pour l'intégration de couches épitaxiées complexes dans les diodes laser, les capteurs et d'autres dispositifs de précision.

L'utilisation intensive dans l'aérospatiale et les communications à haute fréquence démontre également la polyvalence inégalée de ces substrats. Leur capacité à résister à des conditions d'exploitation difficiles les rend indispensables pour les systèmes radar de la prochaine génération et les technologies satellitaires de pointe, où la constance des performances et la longévité sont primordiales.