CY8299 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane 10 x 10 x 0.5 mm

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan M 10 x 10 x 0,5 mm Description

Les substrats de saphir à plan M en oxyde d'aluminium (Al₂O₃) sont réputés pour leur excellente conductivité thermique, leur stabilité chimique et leur grande résistance mécanique. Mesurant 10 × 10 × 0,5 mm, ces substrats présentent une finition de surface sans défaut qui permet une croissance épitaxiale précise de matériaux avancés tels que les composés III-V. L'orientation du plan M offre des avantages uniques, notamment une réduction du décalage du réseau et une diminution des contraintes lors de l'épitaxie, ce qui en fait un choix privilégié pour les dispositifs optoélectroniques, les DEL et les capteurs à haute température.

Fabriqué selon des normes de qualité strictes, chaque substrat est soumis à des inspections rigoureuses afin de garantir la précision des dimensions et une qualité de surface constante. Ces substrats offrent non seulement une fiabilité à long terme dans des environnements exceptionnellement exigeants, mais ils améliorent également les performances des dispositifs en minimisant la densité des défauts. Qu'ils soient utilisés dans la recherche de pointe ou dans des applications commerciales, les substrats Al₂O₃ M-plane saphir fournissent la base fiable nécessaire aux technologies de la prochaine génération.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan M 10 x 10 x 0,5 mm Applications

Les substrats de cristaux de saphir d'oxyde d'aluminium (Al2O3 M-Plane) sont connus pour leur remarquable stabilité chimique, leur conductivité thermique élevée et leur résistance mécanique supérieure. Ce substrat de 10 x 10 x 0,5 mm constitue une base polyvalente pour de nombreuses applications dans les technologies de pointe. En outre, sa qualité cristalline exceptionnelle et sa transparence optique en font un matériau idéal pour la recherche, l'industrie et les utilisations commerciales exigeant des performances fiables.

1. Applications industrielles

- Fabrication de diodes électroluminescentes de haute puissance : L'excellente conductivité thermique et la durabilité du substrat permettent une dissipation efficace de la chaleur, ce qui garantit un éclairage stable.

- Composants de réacteurs à haute température : L'inertie chimique et la robustesse mécanique du cristal lui permettent de résister à des conditions de traitement difficiles.

2. Applications dans le domaine de la recherche

- Études sur la croissance épitaxiale : La structure cristalline uniforme du substrat permet aux chercheurs d'étudier de nouvelles couches de matériaux et d'optimiser le dépôt de couches minces.

- Développement de capteurs optiques : La clarté optique et la stabilité de la surface permettent une détection et une mesure précises dans diverses conditions expérimentales.

3. Applications commerciales

- Conditionnement de diodes laser : L'excellente gestion thermique et la stabilité du substrat préservent la longévité des composants sensibles des diodes.

- Cristaux de montre résistants à l'usure : Sa dureté et sa résistance aux rayures assurent une clarté et une durabilité durables dans l'électronique grand public.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane 10 x 10 x 0,5 mm Emballage

Chaque substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium (Al2O3, plan M) 10 × 10 × 0,5 mm est emballé dans un support de plaquette antistatique avec des inserts en mousse pour le protéger des dommages mécaniques. Un sachet scellé, exempt de poussière, assure un contrôle supplémentaire de la contamination. Le substrat doit être stocké dans un environnement à température et humidité contrôlées afin de préserver sa pureté. Nous pouvons adapter les épaisseurs, les bords ou les formes aux besoins de la recherche et de la fabrication.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou sur mesure.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane 10 x 10 x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane 10 x 10 x 0,5 mm ?

A1 : Ce substrat est dérivé d'une structure monocristalline de corindon présentant une orientation dans le plan M qui garantit des propriétés anisotropes spécifiques bénéfiques pour la fabrication de dispositifs. Il offre une conductivité thermique élevée, une excellente inertie chimique et une résistance mécanique exceptionnelle avec une dureté de Mohs de 9. Le matériau offre une transmission optique supérieure de l'ultraviolet à l'infrarouge moyen et un décalage de réseau minimal pour l'épitaxie à base de nitrure. Il présente une faible rugosité de surface et une tolérance d'épaisseur précise.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Il est essentiel de manipuler chaque substrat avec des gants propres et non pelucheux afin d'éviter toute contamination ou rayure de la surface miroitante. Utilisez des conteneurs de stockage spécifiques avec des inserts de rembourrage pour éviter l'écaillage des bords. Maintenez une salle blanche ou un environnement contrôlé par la poussière, avec une température et une humidité stables. Utilisez toujours des matériaux non abrasifs pour le nettoyage et évitez les changements brusques de température qui pourraient induire un stress thermique.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables au substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 M-Plane 10 x 10 x 0,5 mm ?

R3 : Les substrats en cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium sont généralement conformes aux directives ISO 9001 en matière de gestion de la qualité, ce qui garantit la traçabilité et des performances constantes. Ils sont souvent conformes aux normes SEMI concernant les tolérances de dimension et de planéité des plaquettes, ainsi qu'aux spécifications de qualité de surface définies, telles que des rayures et des piqûres minimales. Certains fournisseurs fournissent des données métrologiques certifiées, confirmant la précision de l'orientation du substrat, l'uniformité de l'épaisseur et les niveaux acceptables de défauts cristallins pour les applications de dispositifs avancés.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Une précision méticuleuse est employée pour atteindre la haute pureté de chaque substrat de cristal d'oxyde d'aluminium et de saphir, Al2O3 M-Plane 10 x 10 x 0,5 mm. Des techniques avancées de croissance cristalline, telles que la méthode Kyropoulos, garantissent un développement cristallin uniforme tout en permettant un contrôle optimal de la formation de défauts. Au cours de cette étape, des paramètres stricts sont contrôlés afin que l'orientation du plan M reste stable, ce qui est essentiel pour maintenir des propriétés optiques et mécaniques cohérentes sur chaque plaquette.

Pour souligner la qualité et la cohérence, le substrat est soigneusement découpé et poli pour atteindre les dimensions de 10 x 10 x 0,5 mm, en conservant une épaisseur et une planéité de surface uniformes. Plusieurs étapes de polissage avec des abrasifs de plus en plus fins permettent d'obtenir une finition ultra-lisse, minimisant les défauts de surface qui pourraient interférer avec les processus en aval. Le résultat final est un substrat qui répond aux critères rigoureux de la recherche universitaire et industrielle, en mettant l'accent sur la fiabilité pour la fabrication de dispositifs haut de gamme.

2. Applications dans les industries de pointe

Destiné aux industries qui exigent une tolérance à la température et une stabilité chimique supérieures, ce substrat de cristal de saphir en plan M est largement utilisé en microélectronique et en optoélectronique. Il constitue une plate-forme robuste pour la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés et d'autres couches minces, ce qui permet de créer des circuits intégrés et des capteurs très efficaces. Ses excellentes propriétés diélectriques facilitent en outre le développement de dispositifs photoniques avancés pour lesquels une perte de signal minimale est essentielle.

Les technologies innovantes dans les domaines de l'aérospatiale et de la défense s'appuient également sur les caractéristiques précises des substrats à plan M pour une gestion thermique et une résistance aux radiations supérieures. Le facteur de forme de 10 x 10 x 0,5 mm garantit la compatibilité avec une large gamme d'équipements de fabrication de pointe, ce qui permet de rationaliser les flux de travail. Par conséquent, ce substrat en cristal de saphir reste indispensable pour les applications révolutionnaires dans les communications de la prochaine génération, l'électronique de haute puissance et les systèmes optiques de précision.