CY8294 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm Description

Fabriqué à partir d'une structure monocristalline Al₂O₃, ce substrat saphir à plan C (0001) fait partie des solutions les plus robustes pour les dispositifs à haute performance. Avec un diamètre de 50,8 mm et une épaisseur de 0,5 mm, il offre une résistance mécanique exceptionnelle, une inertie chimique et une stabilité thermique remarquable. Ces caractéristiques le rendent idéal pour des applications avancées telles que l'épitaxie de LED, la microélectronique et les systèmes optiques. Sa constante diélectrique élevée et ses faibles pertes diélectriques facilitent encore les opérations à haute fréquence.

Conformément aux normes industrielles strictes, chaque substrat est soumis à des tests rigoureux afin de garantir une qualité constante et un minimum de défauts de surface. Les surfaces polies garantissent une croissance épitaxiale uniforme et une intégration facile dans des structures de dispositifs complexes. Faites confiance à cette plaquette de saphir Al₂O₃ à plan C pour des performances fiables, une efficacité accrue des dispositifs et une durabilité inégalée dans les environnements exigeants.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm Applications

Le substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium (Al2O3), plan C (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm est très apprécié pour sa clarté optique exceptionnelle, sa dureté incroyable et sa stabilité thermique supérieure. Ces caractéristiques en font un matériau essentiel dans de nombreuses industries, soutenant la recherche avancée et le développement de produits commerciaux. Sa capacité à résister aux environnements difficiles tout en conservant sa transparence optique le rend particulièrement précieux pour les dispositifs nécessitant des performances fiables dans des conditions exigeantes.

1. Applications industrielles

- Fenêtres de protection pour les équipements à haute température, tirant parti de la stabilité thermique supérieure du substrat

- Composants résistants à l'usure utilisés dans des environnements industriels difficiles, tirant parti de la dureté exceptionnelle du saphir

2. Applications dans le domaine de la recherche

- Substrat pour la recherche sur les semi-conducteurs, fournissant une plate-forme stable pour la croissance épitaxiale et les études sur les matériaux avancés

- Bancs d'essai de composants optiques dans les expériences de spectroscopie, bénéficiant des propriétés de transmission élevées du cristal.

3. Applications commerciales

- Cristaux de montres résistants aux rayures, utilisant la robustesse mécanique du saphir

- Objectifs d'appareils photo haut de gamme, exploitant la clarté remarquable et la faible biréfringence du saphir.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Emballage

Chaque substrat de saphir Al2O3 C-plane (0001) (50,8 mm de diamètre x 0,5 mm d'épaisseur) est soigneusement emballé dans un emballage antistatique, scellé sous vide, avec un rembourrage en mousse pour éviter les dommages mécaniques. Les substrats doivent être stockés dans un environnement propre et peu humide afin de minimiser la contamination. Nous utilisons des conteneurs en plastique scellés avec des paquets déshydratants pour une sécheresse optimale. Des options d'étiquetage et des configurations d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre à des besoins de manipulation spécifiques, garantissant que chaque substrat reste intact pour une application précise.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm ?

A1 : Les substrats en saphir d'oxyde d'aluminium (Al2O3) présentent une dureté exceptionnelle (9 sur l'échelle de Mohs), une conductivité thermique élevée (25-35 W/mK) et une excellente stabilité chimique. L'orientation du plan C (0001) est privilégiée pour la croissance épitaxiale, ce qui garantit un réseau de surface bien défini. Avec une faible constante diélectrique et une transmission optique supérieure, ces substrats sont largement utilisés dans les applications microélectroniques et optoélectroniques. Le diamètre de 50,8 mm et l'épaisseur de 0,5 mm répondent aux exigences des normes industrielles en matière de plaquettes de silicium.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : En raison de sa fragilité et de la précision de ses surfaces, le substrat doit être manipulé dans une salle blanche avec des gants non pelucheux et des outils non abrasifs. Pour éviter les rayures ou la contamination, stockez chaque plaquette dans un support ou une cassette de protection, séparée par des matériaux intercalaires souples. Maintenez des niveaux de température et d'humidité stables et évitez tout contact direct avec des mains nues ou des produits chimiques agressifs afin de préserver l'intégrité des cristaux.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au substrat de cristal saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50.8 mm x 0.5 mm ?

A3 : Pour les plaquettes de saphir de qualité semi-conducteur, les systèmes de qualité pertinents comprennent généralement la norme ISO 9001 pour la fabrication globale et la gestion de la qualité, ainsi que la norme ISO 14001 pour les pratiques environnementales. Dans certains cas, les producteurs peuvent adhérer aux normes SEMI relatives à la géométrie, à la planéité et à la qualité de surface des plaquettes. De nombreux fournisseurs effectuent également une métrologie interne rigoureuse, telle que la diffraction des rayons X, la mesure de la rugosité de surface et l'inspection des défauts, afin de s'assurer que ces substrats répondent aux spécifications strictes de la microélectronique et de l'optoélectronique.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Le processus de fabrication d'un substrat de cristal saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001), Dia. 50,8 mm x 0,5 mm, commence par la formation d'un lingot de saphir de haute pureté. Grâce à des techniques soigneusement contrôlées, comprenant souvent la méthode Verneuil ou Czochralski, le cristal est cultivé afin de minimiser les imperfections structurelles et les impuretés. Une fois le lingot formé, il est découpé avec précision en disques du diamètre requis de 50,8 mm et soumis à des étapes de meulage de surface approfondies qui permettent d'obtenir une épaisseur optimale de 0,5 mm.

Une fois les étapes de mise en forme terminées, le substrat est soumis à une séquence méticuleuse de rodage et de polissage afin de créer une surface sans défaut. En utilisant des composés de polissage exclusifs et des équipements de pointe, les fabricants garantissent une rugosité de surface minimale, qui est un facteur crucial pour la fabrication ultérieure du dispositif. Le substrat poli est ensuite testé pour confirmer l'orientation cristallographique dans le plan C (0001), ce qui garantit l'uniformité et la cohérence des lots de production.

2. Applications dans les industries de pointe

Les secteurs de pointe tels que l'optoélectronique, la microélectronique et l'instrumentation de précision s'appuient souvent sur ce type de substrat cristallin en oxyde d'aluminium et saphir pour obtenir des performances supérieures. Son intégrité structurelle robuste et son alignement cristallin impeccable permettent une déformation minimale lors de la croissance épitaxiale de semi-conducteurs tels que le nitrure de gallium (GaN). Cette fiabilité rend le substrat particulièrement utile pour la production de dispositifs radio à haute fréquence et de diodes électroluminescentes (DEL) avec une efficacité et une gestion de la chaleur améliorées.

Lors du traitement des plaquettes, l'exceptionnelle stabilité thermique et l'inertie chimique du substrat jouent un rôle essentiel dans le maintien de la fiabilité des dispositifs. Dans l'électronique de puissance, sa capacité à supporter des températures élevées sans se déformer ni se dégrader contribue à prolonger la durée de vie des appareils. En outre, le diamètre de 50,8 mm et l'épaisseur de 0,5 mm assurent la compatibilité avec les équipements de traitement standard de l'industrie, ce qui élargit encore son champ d'application dans la recherche moderne sur les nanotechnologies et la photonique.