CY8293 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) 10 x 10 x 0,5 mm

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, plan C Al2O3 (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Description

Faites l'expérience de performances et d'une fiabilité inégalées avec notre substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, présentant l'orientation du plan C Al2O3 (0001) dans une dimension précise de 10 x 10 x 0,5 mm. Connu pour sa dureté exceptionnelle et sa conductivité thermique élevée, ce substrat de saphir offre une résistance mécanique et une inertie chimique supérieures, ce qui en fait un choix idéal pour les semi-conducteurs avancés, l'optoélectronique et les applications à haute température. Sa transparence optique dans la gamme des UV au proche infrarouge et ses excellentes propriétés diélectriques élargissent encore sa polyvalence pour un large éventail de projets de recherche et industriels.

Fabriqué selon des contrôles de qualité rigoureux, chaque substrat est soumis à des processus de polissage rigoureux afin de garantir une rugosité de surface minimale et une planéité optimale. Cela garantit une plate-forme stable pour la croissance épitaxiale et des performances constantes tout au long des cycles de production. Faites confiance à notre substrat de cristal de saphir pour répondre aux normes industrielles les plus élevées et obtenir des résultats exceptionnels dans des environnements technologiques exigeants.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Applications

Les substrats en cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, tels que le plan C Al2O3 (0001) 10 x 10 x 0,5 mm, sont appréciés pour leur remarquable stabilité thermique, leur résistance mécanique exceptionnelle et leur grande clarté optique. Leur structure cristalline unique garantit un décalage minimal du réseau, ce qui les rend idéaux pour les processus de croissance des couches minces. Ces propriétés combinées permettent d'obtenir des performances fiables dans des conditions exigeantes, ce qui favorise de multiples applications industrielles, commerciales et de recherche.

1. Applications industrielles

- Application 1 : Revêtements de fours à haute température, tirant parti de l'excellente conductivité thermique et de la stabilité du substrat.

- Application 2 : composants résistants à l'abrasion pour les machines à usage intensif, où la dureté et la durabilité sont essentielles.

2. Applications de recherche

- Application 1 : substrat pour la croissance épitaxiale de films dans le cadre d'études sur les semi-conducteurs, bénéficiant de la faible inadéquation du réseau cristallin.

- Application 2 : Plate-forme pour la recherche en optique avancée, utilisant sa clarté optique élevée et son indice de réfraction constant.

3. Applications commerciales

- Application 1 : fenêtres en saphir pour l'instrumentation aérospatiale, offrant des surfaces transparentes et résistantes aux rayures.

- Application 2 : substrats pour la fabrication de dispositifs LED, assurant une dissipation efficace de la chaleur et des performances stables.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Emballage

Chaque substrat de cristal saphir à l'oxyde d'aluminium est scellé individuellement dans un sac de polyéthylène propre et antistatique pour le protéger contre la contamination particulaire, puis placé dans des boîtes de stockage doublées de mousse pour éviter les dommages mécaniques. Ils doivent être stockés dans un environnement frais, sec et sans poussière, de préférence dans une salle blanche. Un étiquetage personnalisé et des barrières de protection supplémentaires sont disponibles sur demande pour répondre à des applications spécialisées. Chaque substrat est expédié avec des instructions de manipulation claires afin de maintenir une pureté optimale.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) 10 x 10 x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal d'oxyde d'aluminium saphir, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm ?

A1 : Le saphir d'oxyde d'aluminium (Al2O3) dans le plan C (0001) présente une excellente transparence optique des longueurs d'onde de l'ultraviolet au proche infrarouge. Avec une conductivité thermique élevée (25-35 W/m-K) et une dureté de 9 sur l'échelle de Mohs, il offre une résistance à l'usure et une stabilité dimensionnelle exceptionnelles. Ses constantes diélectriques se situent généralement autour de 11,5 - 11,6, ce qui le rend adapté aux applications électroniques et optoélectroniques exigeantes. Il présente également une remarquable stabilité chimique dans les environnements difficiles.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Pour éviter toute contamination et tout endommagement de la surface, le substrat ne doit être manipulé qu'avec des gants propres ou des pinces non métalliques. Il est essentiel d'éviter tout contact avec des surfaces dures ou abrasives susceptibles de provoquer des micro-rayures. Le substrat doit être stocké dans un environnement propre, peu humide et à température ambiante, de préférence dans des conteneurs scellés ou des sacs antistatiques. Des inspections régulières permettent d'identifier rapidement les ébréchures, les fissures ou les contaminations potentielles.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux substrats de cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm ?

R3 : Ces substrats sont souvent conformes aux systèmes de gestion de la qualité ISO 9001 afin de garantir une fabrication et une traçabilité cohérentes. Les fournisseurs peuvent également proposer une documentation confirmant la conformité aux directives RoHS et REACH, indiquant une faible teneur en substances dangereuses. En outre, les substrats sont soumis à une caractérisation rigoureuse de la qualité cristalline et de la précision de l'orientation, vérifiée par diffraction des rayons X et inspection optique. Des certificats de conformité accompagnent généralement les expéditions pour valider ces exigences.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Le substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm, se distingue par sa dureté exceptionnelle et sa clarté optique remarquable. En raison de sa conductivité thermique élevée et de ses faibles pertes diélectriques, ce substrat est particulièrement adapté aux applications de dispositifs à haute fréquence. Sa structure monocristalline réduit les défauts internes, ce qui garantit des performances constantes dans des environnements difficiles et minimise la probabilité de fissures lors de la manipulation.

Les ingénieurs apprécient l'excellente stabilité chimique de ce substrat en saphir, qui résiste à la plupart des acides et des bases, même à des températures élevées. Cette durabilité se traduit par une durée de vie opérationnelle plus longue pour les dispositifs construits à sa surface, ce qui en fait un choix de premier ordre dans les industries où la fiabilité est primordiale. La combinaison de la résilience mécanique, de la clarté et de l'inertie chimique fait de ce substrat une solution fiable dans des domaines allant de l'optoélectronique aux systèmes aérospatiaux.

2. Processus de fabrication

Des techniques de croissance de haute précision sont essentielles pour produire des substrats Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm. Les principaux fabricants utilisent souvent des méthodes telles que les procédés d'extraction de cristaux de Kyropoulos ou de Czochralski, qui permettent une formation hautement contrôlée des lingots de saphir. Ces procédés permettent d'obtenir la structure cristalline uniforme nécessaire pour minimiser les dislocations et garantir une qualité constante.

Les entreprises utilisent ensuite des protocoles avancés de tranchage, de polissage et de nettoyage pour atteindre l'épaisseur souhaitée de 0,5 mm tout en préservant la précision de l'orientation du plan C (0001). Des étapes de polissage sophistiquées permettent d'obtenir une rugosité de surface minimale, ce qui assure une qualité d'interface optimale pour les couches épitaxiées et améliore ainsi les rendements dans les applications semi-conductrices et optiques.