CY8292 Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) 5 x 5 x 0,5 mm

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 plan C (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Description

Fabriqué à partir d'Al2O3 (oxyde d'aluminium) de première qualité, notre substrat de saphir monocristallin est orienté avec précision le long du plan C (0001) pour garantir des performances et une stabilité optimales. Avec des dimensions de 5 x 5 x 0,5 mm, ce substrat offre une résistance mécanique exceptionnelle, une excellente conductivité thermique et une constante diélectrique élevée, ce qui le rend idéal pour les applications semi-conductrices et optoélectroniques avancées.

Chaque plaquette est soumise à des mesures strictes de contrôle de la qualité afin de garantir un minimum de défauts de surface et une planéité inégalée dans l'industrie. Le résultat est une plate-forme uniforme qui permet une croissance épitaxiale de haute précision tout en réduisant les problèmes liés au stress. Que ce soit pour la fabrication de LED, l'optique laser ou les appareils électroniques à haute fréquence, notre substrat de saphir offre constamment des performances, une fiabilité et une longévité supérieures pour les technologies de la prochaine génération.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Applications

Le substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, également connu sous le nom de substrat à plan C Al2O3, doit sa popularité à sa dureté supérieure, à son excellente conductivité thermique et à sa remarquable clarté optique. Cette version de 5 x 5 x 0,5 mm offre une qualité de surface constante, ce qui en fait un choix privilégié pour les composants électroniques haut de gamme, les systèmes laser et les dispositifs optiques. Sa faible perte diélectrique et sa structure chimique stable facilitent également la recherche de pointe dans divers domaines scientifiques, élargissant ainsi les applications à de multiples industries.

1. Applications industrielles

- Revêtements de fours à haute température : La stabilité thermique et la résistance chimique du substrat en font un matériau idéal pour les composants de fours dans les environnements industriels exigeants.

- Base de diode laser durable : Sa dureté exceptionnelle et sa capacité à résister à la chaleur élevée garantissent un fonctionnement fiable des diodes laser dans les environnements de production de masse.

2. Applications dans le domaine de la recherche

- Expérimentation de couches minces : L'orientation cristallographique bien définie du saphir améliore la croissance et l'analyse des couches minces avancées dans la recherche en science des matériaux.

- Études d'implantation de faisceaux d'ions : Sa faible perte diélectrique et sa grande pureté permettent de réaliser des expériences précises par faisceau d'ions, ce qui permet d'étudier avec précision le dopage et les défauts.

3. Applications commerciales

- Fenêtres et lentilles optiques : Sa clarté optique exceptionnelle permet de l'utiliser dans les lasers, les systèmes d'observation et les dispositifs d'imagerie spécialisés.

- Verres de protection pour montres : La résistance aux rayures et la durabilité du saphir augmentent la durée de vie des produits de consommation de luxe.

Substrat de cristal saphir en oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Emballage

Ces substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, de dimensions 5 x 5 x 0,5 mm, sont méticuleusement emballés dans des conteneurs antistatiques scellés. Chaque substrat est rembourré avec de la mousse sans acide et scellé sous vide dans des sachets résistants à l'humidité afin d'éviter toute contamination. L'emballage comprend des déshydratants qui absorbent l'humidité afin de maintenir la sécheresse et de réduire les risques. Ils doivent être conservés dans un environnement frais et dépoussiéré, à l'abri de la lumière directe du soleil. Il est possible de personnaliser les tailles d'emballage, les méthodes de scellage et les options d'étiquetage afin de répondre à des exigences spécifiques en matière de manutention et de logistique.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Substrat de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plan (0001) 5 x 5 x 0,5 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat en cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm ?

A1 : Les substrats de saphir à l'oxyde d'aluminium (Al2O3) sont réputés pour leur dureté exceptionnelle (Mohs 9), leur grande stabilité thermique et leur forte résistance aux produits chimiques. L'orientation du plan C (0001) fournit des plans atomiques bien définis, essentiels à la croissance épitaxiale. Avec une faible constante diélectrique et des propriétés d'isolation électrique élevées, ces substrats présentent un décalage de réseau minimal pour de nombreux semi-conducteurs composés, ce qui favorise une qualité de film supérieure et permet des performances avancées des dispositifs.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Pour éviter la contamination et les dommages mécaniques, portez toujours des gants de salle blanche et manipulez les substrats de saphir avec des pinces non métalliques ou d'autres outils appropriés. Stockez-les dans un environnement contrôlé avec une température et une humidité stables, généralement dans un emballage antistatique ou scellé sous vide. Évitez les surfaces abrasives et tenez-les à l'écart des produits chimiques agressifs. Un étiquetage et une gestion des stocks appropriés garantissent la traçabilité et préservent l'intégrité du substrat en vue d'un traitement ultérieur.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux substrats de cristal de saphir à l'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm ?

R3 : La plupart des fournisseurs réputés produisent ces substrats de saphir dans le cadre de systèmes de gestion de la qualité certifiés ISO 9001, garantissant une fabrication cohérente et un contrôle rigoureux des processus. Ils respectent souvent les directives RoHS et REACH, vérifiant l'absence de substances dangereuses. En outre, les produits peuvent respecter les spécifications SEMI en matière de précision dimensionnelle et de planéité des plaquettes, ainsi que les normes ASTM relatives à la pureté des matériaux et à l'orientation cristallographique. Des certificats de conformité accompagnent généralement chaque lot.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Une précision méticuleuse régit le processus de fabrication du substrat cristallin en oxyde d'aluminium et saphir, Al2O3 C-Plan (0001) 5 x 5 x 0,5 mm. Chaque substrat est d'abord constitué d'une matière première d'alumine de haute pureté, qui subit une procédure de croissance cristalline contrôlée connue sous le nom de méthode Czochralski. Tout au long de cette approche, les maîtres producteurs surveillent en permanence les températures de fusion et les vitesses d'extraction des cristaux afin de garantir une structure de réseau cohérente et une clarté cristalline de premier ordre. Une fois la boule cristalline formée, elle est soigneusement découpée en fines tranches à l'aide de scies à pointe de diamant, ce qui permet de conserver des surfaces vierges et de minimiser les défauts. Les tranches ainsi obtenues sont ensuite polies à l'aide d'un processus complet en plusieurs étapes afin d'obtenir une planéité et une transparence optique supérieures.

Les phases de tranchage et de polissage sont suivies de processus d'inspection minutieux qui garantissent que chaque substrat de 5 x 5 x 0,5 mm respecte des tolérances dimensionnelles strictes. Des outils de métrologie spécialisés, tels que des interféromètres et des équipements de diffraction des rayons X, analysent l'orientation des cristaux et vérifient l'alignement du plan C (0001). Ces étapes contrôlées permettent de garantir l'uniformité du réseau du substrat, ce qui est essentiel pour les processus de dépôt ultérieurs ou la croissance épitaxiale. Grâce à cette méthodologie raffinée, les fabricants peuvent produire de manière fiable des substrats présentant une résistance mécanique et une endurance thermique stables, ce qui en fait une base idéale pour les applications de haute performance.

2. Applications dans les industries de pointe

La fabrication de semi-conducteurs avancés repose souvent sur des substrats de cristal de saphir d'oxyde d'aluminium, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm pour les dispositifs à haute fréquence et à haute puissance. Grâce à sa remarquable conductivité thermique et à son isolation électrique, le saphir constitue une excellente plate-forme pour le développement du nitrure de gallium (GaN) et d'autres matériaux à large bande interdite essentiels à l'électronique de puissance. Sa structure robuste et sa résistance à la corrosion permettent aux composants délicats de supporter les conditions exigeantes des opérations à haute tension et à courant élevé sans compromettre les performances ou la longévité.

L'électronique résistante aux radiations utilise également des substrats en saphir pour les applications aérospatiales et militaires où les environnements de radiations extrêmes sont un problème. L'orientation stable des cristaux et la densité minimale des défauts permettent à ces substrats de conserver leur fiabilité opérationnelle dans des conditions cosmiques difficiles. Par ailleurs, la capacité du matériau à résister à l'usure chimique, combinée à sa clarté optique, le rend tout aussi précieux pour les dispositifs optiques allant des détecteurs UV aux lasers à semi-conducteurs. Ces avantages distincts, associés au facteur de forme de 5 x 5 x 0,5 mm, soulignent l'importance des substrats en saphir dans les secteurs industriels de pointe.