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Stanford Advanced Materials
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CY11162 Verre recouvert de platine (Pt)

Catalogue No. CY11162
Matériau Platine, Borosilicate
Pureté Pt : ≥99.99%
Formulaire Substrat

Le verre revêtu de platine (Pt) est un substrat constitué d'une fine couche de platine déposée sur une base de verre, offrant une inertie chimique et une conductivité électrique améliorée. Stanford Advanced Materials (SAM) utilise des techniques précises de dépôt physique en phase vapeur, suivies d'une inspection détaillée de la surface par microscopie électronique à balayage (MEB), pour vérifier l'uniformité du film. Ce processus garantit que la couche de platine répond aux normes rigoureuses de dimension et de composition exigées dans les environnements de traitement des semi-conducteurs.

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FAQ

Quelle est l'épaisseur typique du revêtement de Pt appliqué sur le substrat de verre ?

L'épaisseur du revêtement est contrôlée à l'échelle nanométrique, généralement mesurée en nanomètres à l'aide de l'ellipsométrie. Cette mesure permet de s'assurer que le film de Pt répond aux paramètres de conductivité et d'inertie souhaités, qui sont essentiels pour les processus de fabrication des semi-conducteurs. Contactez-nous pour obtenir des valeurs plus spécifiques et des détails sur le processus.

Comment le revêtement de Pt améliore-t-il les caractéristiques électriques du substrat de verre ?

La couche de platine agit comme une barrière conductrice tout en maintenant l'inertie chimique. Son dépôt contrôlé avec précision minimise les pertes résistives et favorise des performances électriques uniformes dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, améliorant ainsi l'intégration dans les composants de circuits critiques.

Quelles sont les techniques de contrôle de la qualité utilisées pour évaluer l'uniformité du film Pt ?

Des techniques telles que la microscopie électronique à balayage (MEB) et la microscopie à force atomique (AFM) sont utilisées pour contrôler l'uniformité et l'adhérence du film. Ces méthodes permettent de vérifier que le processus de dépôt permet d'obtenir l'uniformité et l'intégrité structurelle requises pour les applications de semi-conducteurs.

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