CY11155 Plaque de silicium recouverte d'iridium (Ir)

Plaquette de silicium revêtue d'iridium Description

La plaquette de silicium revêtue d'iridium (Ir) est un substrat de silicium sur lequel est appliquée une couche d'iridium par des techniques de dépôt physique en phase vapeur. La fine couche de métal sert de barrière de diffusion, empêchant l'oxydation pendant le traitement à haute température. Les dimensions standard des plaquettes garantissent la compatibilité avec les équipements courants de fabrication de semi-conducteurs. La présence d'iridium améliore la stabilité thermique et minimise les risques de contamination pendant la fabrication des dispositifs.

Caractéristiques des plaquettes de silicium revêtues d'iridium (Ir)

*Les informations ci-dessus sont basées sur des données théoriques et ne sont données qu'à titre indicatif. Les spécifications réelles peuvent varier.

Applications des plaquettes de silicium revêtues d'iridium (Ir)

Électronique et semi-conducteurs
- Utilisé comme barrière de diffusion dans le traitement CMOS pour limiter l'oxydation en s'appuyant sur le film d'iridium ; cela permet de maintenir l'intégrité du substrat pendant les traitements thermiques.
- Appliqué comme substrat dans la fabrication de capteurs microélectroniques pour assurer la stabilité de la surface ; le revêtement minimise les risques de contamination et permet d'obtenir des résultats cohérents.

Recherche et développement
- Utilisé pour étudier les propriétés des films minces dans des configurations expérimentales en offrant un revêtement uniforme ; cela facilite une analyse de surface reproductible et précise.
- Fréquemment utilisé dans les études de science des matériaux pour évaluer les interfaces métal-semiconducteur, ce qui permet d'améliorer la conception des dispositifs semi-conducteurs.

Emballage de plaquettes de silicium revêtues d'iridium (Ir)

Les plaquettes de silicium revêtues d'iridium (Ir) sont scellées individuellement dans des sachets antistatiques et fixées dans des supports en mousse rigide afin de réduire les chocs mécaniques et la contamination par les particules. Elles sont stockées dans des environnements à température et à humidité contrôlées afin de préserver l'intégrité du revêtement. Des options d'emballage personnalisées, y compris des plateaux compartimentés et un étiquetage spécifique, sont disponibles pour répondre aux exigences de manipulation spécifiques au processus.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent la pierre angulaire de la fabrication moderne des semi-conducteurs, servant de substrats primaires pour les circuits intégrés et les composants électroniques avancés. L'application de minces revêtements métalliques, tels que l'iridium, améliore ces substrats en fournissant des barrières critiques contre la diffusion et l'oxydation pendant le traitement à haute température. Cette intégration des films métalliques et des substrats en silicium est un aspect fondamental de la science des matériaux dans la fabrication des semi-conducteurs.

La recherche sur le dépôt de couches minces continue d'évoluer, avec des techniques telles que le dépôt par pulvérisation cathodique qui permet un contrôle précis des caractéristiques des couches. Ces progrès contribuent à améliorer les performances et l'évolutivité des dispositifs dans diverses applications industrielles, soulignant l'importance de la compatibilité des matériaux et de l'optimisation des processus dans l'électronique et l'ingénierie des matériaux.