CY10333 Dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes Substrat monocristallin en diamant (100) 10x10x0,4 mm

Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition Diamond Single Crystal Substrate (100) 10x10x0.4 mm Description

Le substrat de cristal unique en diamant (100) 10x10x0,4 mm est fabriqué à partir de carbone élémentaire par un processus de dépôt assisté par plasma. Les dimensions de 10x10 mm répondent aux exigences des équipements de traitement standard, tandis que l'épaisseur de 0,4 mm assure la rigidité structurelle sous cycle thermique. L'orientation cristallographique (100) assure la compatibilité du réseau avec les couches épitaxiées, ce qui réduit les contraintes interfaciales lors de l'intégration des dispositifs. Son inertie chimique minimise les risques de contamination lors des étapes de traitement ultérieures.

Dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes Substrat monocristallin en diamant (100) 10x10x0,4 mm Applications

1.
Électronique
- Utilisé comme substrat dans les dispositifs semi-conducteurs pour résoudre les problèmes de dissipation thermique en tirant parti de la conductivité thermique efficace du diamant, réduisant ainsi les gradients thermiques pendant le fonctionnement.

2.
Photonique
- Utilisé comme base pour les composants optiques dans les systèmes laser afin d'obtenir une propagation contrôlée de la lumière en tirant parti de la structure cristalline uniforme du substrat, minimisant ainsi les effets de diffusion.

3.
Recherche et développement
- Sert de plate-forme dans les expériences de science des matériaux pour réduire la variabilité expérimentale en tirant parti de son orientation contrôlée (100), assurant une intégration cohérente avec les structures de dispositifs en couches.

Dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes Substrat monocristallin en diamant (100) 10x10x0,4 mm Emballage

Le substrat est emballé dans un conteneur antistatique de qualité salle blanche avec des inserts en mousse rembourrés pour éviter les dommages mécaniques. Il est scellé dans un sac étanche à la poussière dans des conditions d'humidité contrôlée. Il est recommandé de le stocker dans un environnement à température régulée afin de préserver l'intégrité des cristaux. Des options d'étiquetage et d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation et de transport.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quels sont les aspects du processus de plasma micro-ondes qui influencent l'uniformité des cristaux ?
R1 : Les principaux paramètres de dépôt tels que la densité du plasma, le débit de gaz et la température du substrat sont contrôlés en permanence. SAM utilise des techniques interférométriques pour évaluer l'uniformité du film et la densité des défauts, ce qui permet de maintenir une microstructure cohérente tout au long du processus de croissance.

Q2 : Comment l'orientation cristallographique (100) affecte-t-elle l'intégration des couches suivantes ?
R2 : L'orientation (100) favorise l'alignement du réseau avec de nombreux films semi-conducteurs. Cet alignement permet de réduire les contraintes interfaciales pendant la croissance épitaxiale et de minimiser l'introduction de défauts, ce qui facilite l'intégration des couches suivantes dans la fabrication des dispositifs.

Q3 : Est-il possible de modifier les dimensions du substrat ?
R3 : Oui, les dimensions du substrat peuvent être personnalisées pour s'aligner sur les exigences spécifiques de l'équipement et du processus. Les ajustements sont effectués après évaluation de la compatibilité des matériaux afin de garantir que les propriétés cristallines restent intactes tout au long du traitement.

Informations complémentaires

Les substrats de diamant produits par dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes font partie intégrante de la recherche sur les systèmes électroniques et photoniques avancés. Le processus de croissance contrôlée permet la formation de monocristaux avec des orientations spécifiques, ce qui est important pour réduire les désadaptations interfaciales dans les dispositifs à couches. Le contrôle détaillé du processus et l'analyse microstructurale sont essentiels pour assurer la cohérence de ces substrats.

Des études scientifiques récentes soulignent l'importance d'une orientation cristallographique précise dans les performances des substrats. L'intersection de la science des matériaux et de l'ingénierie des dispositifs continue d'entraîner des améliorations dans les processus de fabrication des substrats, améliorant la précision et l'efficacité des systèmes expérimentaux et de production dans divers domaines technologiques.