AL10311 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 2 inch Silicon inch x 200 nm

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 2 inch Silicon inch x 200 nm Description

Le matériau est composé de nitrure d'aluminium et de silicium, formant un substrat dédié aux applications semi-conductrices. La taille de 2 pouces par 2 pouces garantit la compatibilité avec les équipements de traitement standard. L'épaisseur du film de 200 nm joue un rôle essentiel dans la gestion des gradients thermiques et de l'isolation électrique. L'interface AlN/Si définie facilite l'intégration dans des dispositifs nécessitant des propriétés diélectriques contrôlées et une densité de défauts minimisée pour l'électronique sensible.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 2 inch Silicon inch x 200 nm Applications

1)Applications électroniques
- Utilisé comme couche diélectrique dans les dispositifs à semi-conducteurs pour améliorer l'isolation électrique en tirant parti des propriétés contrôlées du film d'AlN.
- Utilisé comme substrat dans les réseaux de capteurs pour obtenir des niveaux de signal stables grâce à des alignements cristallins bien définis.

2)Applications industrielles
- Utilisé comme base pour les circuits intégrés dans des environnements à haute température afin de minimiser le décalage thermique en utilisant la conductivité thermique du matériau céramique.
- Fréquemment utilisé dans les emballages microélectroniques pour réduire les courants de fuite en tirant parti de l'interface nette entre l'AlN et le silicium.

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 2 pouces x 200 nm Emballage

Le substrat est emballé dans un conteneur antistatique doublé de mousse afin d'éviter les contraintes mécaniques et la contamination. Il est scellé sous atmosphère inerte dans un sachet imperméable, garantissant une exposition minimale à l'humidité ou aux particules. Les instructions de stockage recommandent un environnement contrôlé, à faible humidité et à température ambiante. Des options d'emballage personnalisées, y compris des inserts de protection supplémentaires et un étiquetage spécialisé, sont disponibles sur demande.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les méthodes de contrôle de la qualité utilisées pour vérifier l'uniformité du film ?
R1 : SAM utilise la microscopie électronique à balayage (MEB) et la diffraction des rayons X (DRX) pour évaluer l'uniformité du film et confirmer l'orientation cristallographique, en réduisant la densité des défauts et en garantissant un développement correct de l'interface.

Q2 : Comment l'interface AlN/Si du substrat affecte-t-elle les performances des dispositifs semi-conducteurs ?
R2 : Une interface bien définie minimise les fuites électriques et améliore l'isolation, ce qui est essentiel pour la stabilité des dispositifs pendant le traitement et le fonctionnement à haute température.

Q3 : Quelles sont les pratiques de stockage qui permettent de conserver les propriétés du substrat ?
R3 : Il est conseillé de conserver le substrat dans un environnement à faible taux d'humidité et à température contrôlée, en utilisant un emballage antistatique, afin d'éviter toute contamination et de préserver l'intégrité du film d'AlN.

Informations complémentaires

Le nitrure d'aluminium (AlN) est un matériau céramique connu pour son importante conductivité thermique et ses caractéristiques diélectriques. Lorsqu'il est associé au silicium, le substrat qui en résulte nécessite des techniques de dépôt méticuleuses pour garantir que l'interface et l'uniformité du film répondent aux normes du processus des semi-conducteurs. Il est essentiel de comprendre les interactions entre l'AlN et le silicium pour optimiser les performances du matériau.

Les progrès réalisés dans la fabrication de substrats céramiques ont mis en évidence l'importance d'un dépôt contrôlé et d'une caractérisation de la surface. L'interaction entre l'expansion thermique, les propriétés diélectriques et la qualité de l'interface continue de stimuler la recherche et le développement dans le domaine de l'emballage électronique et de l'intégration des capteurs, en garantissant que les substrats fonctionnent comme prévu dans diverses applications à forte demande.