AL10310 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 4 inch Silicon 4 inch x 500 nm

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium 4 pouces 4 pouces x 500 nm Description

Le modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 4 pouces (Si <111> P type B dopé) est déposé sous forme de film de 500 nm sur une plaquette de silicium de 4 pouces avec un dopage B de type p contrôlé. Composée d'AlN et de Si, la structure offre une conductivité thermique et une isolation électrique élevées, essentielles pour les dispositifs semi-conducteurs. Son film uniforme permet de minimiser les décalages de réseau et les contraintes thermiques lors de la fabrication des dispositifs, ce qui garantit la compatibilité avec les équipements de traitement standard.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 4 inch Silicon 4 inch x 500 nm Applications

1)Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisation comme couche diélectrique ou barrière dans les transistors à haute fréquence pour contrôler les courants de fuite en tirant parti de l'isolation électrique et de l'alignement cristallographique du film.
- Appliqué comme couche intermédiaire dans les dispositifs RF pour réduire la capacité parasite grâce à son épaisseur uniforme de 500 nm.

2)Applications industrielles et de détection
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de capteurs pour maintenir la stabilité thermique en tirant parti de la conductivité thermique élevée de l'AlN.
- Fréquemment utilisé dans les emballages microélectroniques pour atténuer les contraintes thermiques, en tirant parti des propriétés d'interface contrôlées du matériau.

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 4 pouces Emballage de 4 pouces x 500 nm

Le substrat est emballé dans un conteneur antistatique doublé de mousse à l'intérieur d'un sachet en polyéthylène scellé afin d'éviter toute contamination et tout dommage mécanique. Il doit être stocké dans un environnement sec et à température contrôlée pour conserver la consistance du film. Des options de personnalisation supplémentaires, telles que le scellement sous vide et la compartimentation sur mesure, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation pour le traitement des semi-conducteurs.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité mises en œuvre pendant la production ?
R1 : SAM utilise la microscopie électronique à balayage et la profilométrie pour vérifier l'uniformité du film et identifier les défauts, garantissant que les variations de traitement restent dans des limites acceptables pour les applications de semi-conducteurs.

Q2 : Comment le dopage B de type P influence-t-il les performances du substrat ?
R2 : Le dopage B contrôlé dans le substrat de silicium améliore les caractéristiques électriques et facilite l'intégration uniforme avec le film d'AlN, ce qui est essentiel pour une performance constante des dispositifs dans les conditions de traitement des semi-conducteurs.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver l'intégrité du substrat ?
R3 : Le substrat doit être stocké dans un environnement à faible humidité et à température stable, dans un emballage antistatique et anti-contamination, afin de minimiser l'exposition aux contraintes mécaniques et aux contaminants environnementaux.

Informations complémentaires

Le nitrure d'aluminium (AlN) est largement reconnu pour sa conductivité thermique élevée et ses propriétés d'isolation électrique, ce qui le rend adapté aux applications électroniques avancées. La combinaison de l'AlN avec un substrat de silicium crée une plate-forme qui permet une dissipation efficace de la chaleur et minimise la contrainte thermique pendant le fonctionnement du dispositif.

Dans la fabrication des semi-conducteurs, le contrôle de l'orientation cristalline et de l'uniformité du film est essentiel pour la fiabilité de l'appareil. L'intégration d'AlN non dopé sur une plaquette de silicium avec une orientation <111> définie garantit que le substrat résultant peut supporter des étapes de traitement rigoureuses sans compromettre l'intégrité structurelle requise pour les dispositifs électroniques de haute performance.