AL10309 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur silicium (Si <111> ; type P) 10 mmx10 mm x 200 nm

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium (Si <111> type P) 10 mmx10 mm x 200 nm Description

Le modèle de nitrure d'aluminium (AlN) non dopé sur silicium (type Si <111> P) est produit par un processus de dépôt précis qui crée un film d'AlN de 200 nm d'épaisseur sur un substrat de silicium de 10 mm x 10 mm. Cette configuration permet une isolation électrique contrôlée et une gestion thermique efficace, essentielles pour l'intégration des dispositifs semi-conducteurs. L'orientation cristalline uniforme du substrat favorise la cohérence du processus et la compatibilité avec les protocoles de microfabrication standard.

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium (type Si <111> P) 10 mmx10 mm x 200 nm Applications

1.
Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme couche isolante dans la fabrication de circuits intégrés pour réduire les fuites électriques en tirant parti de ses propriétés diélectriques.
- Appliqué comme couche de passivation dans les dispositifs de capteurs pour améliorer la stabilité thermique et protéger contre la contamination grâce à sa structure de film uniforme.

2.
Applications industrielles
- Utilisé comme substrat dans les modules de puissance pour obtenir une dissipation thermique efficace en tirant parti de sa conductivité thermique inhérente.
- Sert de support pour les processus de couches minces dans les assemblages microélectroniques afin d'assurer l'uniformité du processus en fournissant une surface stable et lisse.

Plaque de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium (type Si <111> P) 10 mmx10 mm x 200 nm Emballage

Le substrat est emballé en toute sécurité dans un conteneur antistatique doublé de mousse avec des sachets anti-humidité pour réduire la contamination et les dommages mécaniques. L'emballage comprend un étiquetage solide indiquant clairement les spécifications du produit et les instructions de manipulation. Des options d'emballage personnalisées sont disponibles pour adapter la protection à des exigences spécifiques en matière de transport ou de stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'épaisseur du film influe-t-elle sur l'intégration du substrat dans les processus semi-conducteurs ?
R1 : L'épaisseur de 200 nm du film d'AlN assure une isolation contrôlée et une gestion thermique, ce qui est essentiel pour réduire les fuites électriques et améliorer la dissipation de la chaleur pendant la fabrication des semi-conducteurs. Un film uniforme favorise également la cohérence entre les différentes étapes de traitement.

Q2 : Quelles sont les méthodes de contrôle de la qualité appliquées au cours du processus de dépôt d'AlN ?
R2 : Le processus de dépôt fait appel à l'imagerie SEM à haute résolution et à la métrologie des surfaces pour contrôler l'uniformité du film et détecter les défauts. Ces inspections garantissent le respect des tolérances dimensionnelles et l'uniformité des matériaux tout au long de la production.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour maintenir les performances du substrat ?
R3 : Le substrat doit être stocké dans un environnement à température contrôlée et à faible humidité. Un emballage protecteur minimise l'exposition aux contaminants et aux contraintes mécaniques, préservant ainsi l'intégrité structurelle et fonctionnelle du substrat.

Informations complémentaires

Le nitrure d'aluminium est un matériau céramique connu pour sa conductivité thermique et ses propriétés d'isolation électrique exceptionnelles. En tant que substrat, sa capacité à gérer la chaleur et à fournir une couche diélectrique stable est essentielle dans la fabrication des semi-conducteurs, car elle permet des applications électroniques et microélectroniques précises.

Il est important de comprendre le processus de dépôt et la microstructure du substrat pour optimiser les performances des circuits intégrés et de l'électronique de puissance. Le contrôle minutieux de l'épaisseur du film et de l'orientation cristalline améliore la compatibilité avec le traitement standard des semi-conducteurs, contribuant ainsi à l'amélioration de l'efficacité et de la fiabilité des dispositifs.