AL10304 Plaque de nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir Al2O3 (0001) 4 pouces x 0,5 mm Film AlN 1000 nm

Plaque de nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir Al2O3 (0001) Film AlN de 4 pouces x 0,5 mm 1000 nm Description

Ce substrat combine un film de nitrure d'aluminium de 1000 nm d'épaisseur avec une base en saphir (Al2O3), offrant une surface très plane et lisse pour le traitement des semi-conducteurs. La technique de polissage sur une seule face minimise la rugosité de la surface et améliore l'uniformité. Avec des dimensions de 4 pouces par 0,5 mm, le gabarit permet une intégration fiable dans la fabrication de dispositifs, facilitant un alignement lithographique précis et une gestion thermique efficace dans les applications de haute puissance.

Gabarit de nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir Al2O3 (0001) 4 pouces x 0,5 mm Film AlN 1000 nm Applications

1.électronique
- Utilisé comme substrat actif dans les dispositifs électroniques de puissance pour gérer la dissipation de la chaleur en tirant parti de la conductivité thermique élevée du saphir.
- Utilisé comme base dans les composants de radiofréquence pour améliorer l'intégrité du signal grâce à son film AlN uniforme.

2.industriel
- Sert de couche fonctionnelle dans les assemblages de capteurs pour améliorer la sensibilité en utilisant la surface lisse et peu défectueuse du substrat.
- Fréquemment utilisé dans les outils d'usinage de précision où la stabilité dimensionnelle est essentielle pour le modelage à haute résolution.

Modèle de nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir Al2O3 (0001) Film AlN de 4 pouces x 0,5 mm 1000 nm Emballage

Le substrat est emballé dans un conteneur antistatique doublé de mousse avec un couvercle de protection pour éviter les dommages mécaniques. Il est scellé dans un emballage anti-humidité pour maintenir l'intégrité de la surface et minimiser la contamination particulaire. Il est recommandé de le stocker à température ambiante contrôlée. Des options d'emballage personnalisées, y compris des inserts compartimentés et un étiquetage, sont disponibles pour se conformer à des protocoles de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quel est l'impact de la finition polie d'un côté sur l'intégration du substrat dans les processus semi-conducteurs ?
R1 : La surface polie réduit la rugosité de la surface, ce qui améliore la précision lithographique et garantit une meilleure adhérence du film. Cette uniformité est cruciale pour minimiser les défauts lors des étapes de traitement ultérieures.

Q2 : Quel rôle joue le substrat de saphir dans la gestion thermique ?
R2 : Le saphir (Al2O3) offre une conductivité thermique élevée, ce qui contribue à dissiper la chaleur pendant le fonctionnement de l'appareil. Cette propriété est particulièrement utile dans les produits électroniques de haute puissance où la stabilité thermique est essentielle.

Q3 : Quels sont les protocoles de nettoyage recommandés avant la fabrication des dispositifs ?
R3 : Un nettoyage standard, tel que le nettoyage RCA suivi d'un rinçage à l'eau déminéralisée, est conseillé pour éliminer les contaminants sans compromettre l'intégrité du film. Ce processus garantit que le substrat conserve ses propriétés pendant l'intégration.

Informations complémentaires

Les céramiques à base de nitrure d'aluminium (AlN) sont appréciées dans les applications de haute performance en raison de leur excellente conductivité thermique et de leurs propriétés d'isolation électrique. L'intégration d'un film d'AlN sur le saphir améliore les performances mécaniques et thermiques du substrat, ce qui le rend adapté aux applications des semi-conducteurs et des capteurs.

Les progrès réalisés dans les techniques de dépôt et de polissage ont permis d'améliorer la consistance et l'uniformité des films d'AlN. Ces améliorations sont essentielles pour les applications de précision où l'uniformité du film peut affecter de manière significative la performance, la fiabilité et l'efficacité de l'intégration des dispositifs dans les processus de fabrication complexes.