AL10302 Plaque de nitrure d'aluminium poli sur saphir (0001) 2 pouces x 0.5 mm Film AlN 1000nm

Gabarit de nitrure d'aluminium poli sur saphir (0001) 2 pouces x 0,5 mm Film AlN 1000nm Description

Le gabarit de nitrure d'aluminium poli sur deux faces intègre un film d'AlN de 1000nm sur un substrat de saphir Al2O3 (0001). Ses dimensions de 2 pouces par 0,5 mm sont optimisées pour les applications semi-conductrices et microélectroniques. Le nitrure d'aluminium améliore la conductivité thermique tandis que la base en saphir réduit le décalage de réseau. Cette structure facilite le dépôt précis de films et minimise les contraintes, ce qui la rend adaptée à l'intégration de dispositifs électroniques de haute performance.

Modèle de nitrure d'aluminium poli sur deux faces sur saphir (0001) Film AlN de 2 pouces x 0,5 mm 1000nm Applications

1.électronique
- Utilisé comme substrat diélectrique dans les circuits RF pour minimiser la perte de signal en tirant parti de sa faible constante diélectrique.
- Utilisé comme répartiteur de chaleur dans les modules de puissance pour maintenir la stabilité thermique en tirant parti de sa conductivité thermique élevée.

2.industriel
- Utilisé comme plate-forme pour les capteurs microélectroniques afin d'améliorer l'intégrité du signal en tirant parti d'une surface de film uniforme.
- Utilisé comme couche isolante dans les appareils de mesure de précision pour obtenir des relevés exacts grâce aux propriétés contrôlées du matériau.

Modèle de nitrure d'aluminium poli deux faces sur saphir (0001) Film AlN de 2 pouces x 0,5 mm Emballage 1000nm

Le substrat est emballé dans des conteneurs antistatiques doublés de mousse et scellés dans des sacs de protection contre l'humidité pour éviter la contamination et les dommages mécaniques. Le rembourrage protecteur minimise les vibrations et les chocs pendant le transport. Stocker dans un environnement propre, sec et à température contrôlée pour maintenir l'intégrité du film. Des options d'emballage personnalisées, y compris des inserts compartimentés et un étiquetage détaillé, sont disponibles sur demande.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'épaisseur du film de 1000 nm est-elle contrôlée pendant la production ?
R1 : L'épaisseur du film est vérifiée par ellipsométrie spectroscopique et profilométrie, ce qui garantit des taux de dépôt constants et une uniformité sur la surface du substrat pour le traitement des semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les précautions à prendre pour manipuler ce substrat ?
R2 : Il convient d'utiliser des outils de manipulation antistatiques et de travailler dans une salle blanche contrôlée afin d'éviter la contamination par les particules. Un stockage approprié dans des conditions d'humidité contrôlée est recommandé pour préserver les propriétés du film.

Q3 : Est-il possible de personnaliser les dimensions du substrat pour des applications spécifiques ?
R3 : Oui, il est possible d'ajuster le diamètre, l'épaisseur et les paramètres de dépôt du film. Les commandes personnalisées sont traitées selon des spécifications détaillées afin de répondre à des exigences particulières en matière de semi-conducteurs ou de microélectronique.

Informations complémentaires

Le nitrure d'aluminium (AlN) est apprécié dans l'électronique à haute température et la fabrication de semi-conducteurs en raison de sa conductivité thermique élevée et de ses propriétés isolantes. Les substrats en saphir (Al2O3) sont fréquemment utilisés pour leur clarté optique et leur orientation cristalline structurellement robuste, facilitant le dépôt précis de films. L'intégration de ces matériaux permet d'améliorer les performances des dispositifs, en particulier dans les applications nécessitant une gestion thermique et une isolation électrique efficaces.

La combinaison de l'AlN et du saphir permet d'obtenir des substrats présentant un faible décalage de réseau et une réduction des contraintes thermiques, ce qui est essentiel pour l'emballage électronique avancé et les applications de circuits à haute fréquence. Il est essentiel de comprendre leur interaction pour optimiser les performances des systèmes microélectroniques et optoélectroniques.