AL10301 Plaque de nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir (0001) 2 pouces x 0.5 mm Film AlN 1000 nm

Gabarit de nitrure d'aluminium poli d'un seul côté sur saphir (0001) Film AlN de 2 pouces x 0,5 mm 1000 nm Description

Le gabarit consiste en un film d'AlN poli sur une seule face, déposé sur un substrat de saphir (0001). Les dimensions de 2 pouces par 0,5 mm assurent la compatibilité avec les outils de traitement des semi-conducteurs standard, tandis que l'épaisseur uniforme de 1000 nm du film fournit des propriétés diélectriques définies. La surface polie d'un côté minimise la diffusion, favorisant un dépôt efficace des couches suivantes pour des systèmes électroniques et optoélectroniques de haute performance.

Modèle de nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir (0001) 2 pouces x 0,5 mm Film AlN 1000 nm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans les circuits RF pour réduire la perte diélectrique en tirant parti de la conductivité thermique élevée de l'AlN, ce qui permet d'obtenir des performances stables dans les opérations à haute fréquence.
- Utilisé comme base pour les dispositifs semi-conducteurs à haute vitesse afin d'atténuer l'accumulation thermique grâce à une dissipation efficace de la chaleur, ce qui garantit la stabilité opérationnelle.

Optoélectronique
- Utilisé comme plate-forme dans les structures LED pour améliorer l'extraction des photons en exploitant la surface lisse, polie d'un seul côté, qui minimise la diffusion de surface.
- Utilisé dans la fabrication de diodes laser pour produire une interface uniforme qui favorise une émission lumineuse cohérente en réduisant les irrégularités de l'interface.

Gabarit en nitrure d'aluminium poli d'un côté sur saphir (0001) Film AlN de 2 pouces x 0,5 mm Emballage de 1000 nm

Les gabarits sont emballés dans des supports antistatiques de qualité salle blanche avec des inserts en mousse pour minimiser l'impact mécanique. Ils sont scellés dans des sachets anti-humidité pour limiter la contamination et sont stockés dans des conditions contrôlées et à faible humidité. Des options d'emballage personnalisées, y compris des conteneurs scellés sous vide et un étiquetage spécialisé, sont disponibles pour répondre à des exigences précises en matière de stockage et de transport.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la qualité de la surface est-elle vérifiée pour ces gabarits AlN ?
R1 : La qualité de la surface est vérifiée à l'aide de l'interférométrie et de la microscopie électronique à balayage pour garantir l'uniformité et un minimum de défauts. Ces techniques confirment que le processus de polissage unilatéral répond aux critères rigoureux nécessaires au traitement des semi-conducteurs avancés.

Q2 : Quels sont les avantages du film AlN en matière de gestion thermique pour l'intégration des dispositifs ?
R2 : La conductivité thermique intrinsèque élevée de l'AlN facilite la dissipation efficace de la chaleur pendant le fonctionnement de l'appareil. Cette propriété réduit les gradients thermiques, ce qui permet d'éviter les surchauffes localisées et d'assurer des performances constantes dans les applications à haute puissance.

Q3 : Les dimensions du substrat peuvent-elles être modifiées pour des applications spécifiques ?
R3 : Oui, les dimensions du substrat peuvent être modifiées pour répondre à des exigences spécifiques. Des processus de coupe et de façonnage sur mesure sont disponibles pour s'aligner sur les spécifications précises de l'équipement et les besoins de l'application, garantissant ainsi la compatibilité avec diverses architectures de dispositifs.

Informations complémentaires

Le nitrure d'aluminium est un matériau céramique connu pour sa conductivité thermique élevée et ses propriétés diélectriques stables, ce qui le rend précieux pour les applications électroniques à haute température. L'intégration d'un film d'AlN sur un substrat de saphir permet d'améliorer l'adaptation du réseau et la gestion thermique, qui sont essentielles dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés.

L'utilisation d'une surface polie d'un côté améliore le dépôt des couches suivantes en réduisant la rugosité de la surface et les effets de diffusion. Cette méthode de traitement s'applique à des applications où la qualité de l'interface est essentielle, et la combinaison de l'AlN et du saphir a fait l'objet de recherches approfondies en raison de son potentiel à soutenir les dispositifs électroniques et optoélectroniques de pointe.