AL10300 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Description

Le modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm est un substrat céramique monocristallin qui intègre un film mince d'AlN de 5000 nm sur une base de saphir (Al2O3) d'une taille de 10x10 mm. L'épaisseur définie de la couche facilite le dépôt uniforme du film, tandis que la nature non dopée de l'AlN minimise les interférences dues aux impuretés. Cette structure offre des propriétés diélectriques stables et une gestion thermique améliorée, ce qui permet de relever les défis posés par les processus rigoureux de fabrication électronique.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Applications

Électronique
- Utilisé comme couche diélectrique dans les modules RF pour obtenir une isolation précise des signaux en tirant parti des propriétés thermiques et diélectriques stables du matériau.
- Utilisé comme répartiteur de chaleur dans les assemblages de LED pour améliorer la dissipation thermique en tirant parti de la microstructure composite.

Fabrication de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la croissance épitaxiale de films pour obtenir un dépôt uniforme en tirant parti de la surface lisse du saphir et des propriétés contrôlées de l'AlN.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Emballage

Les substrats sont emballés dans des conteneurs antistatiques rembourrés de mousse afin de réduire les contraintes mécaniques et la contamination. Ils sont enfermés dans des boîtes rigides pour les protéger contre les chocs physiques. L'emballage est conçu pour des conditions de stockage ambiantes avec une humidité contrôlée, garantissant une exposition minimale à l'humidité. Des options d'emballage personnalisées, telles que des boîtes scellées sous vide ou purgées au gaz inerte, sont disponibles sur demande.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quels sont les problèmes de traitement qui peuvent survenir lors de l'utilisation de ce substrat dans des environnements à haute température ?
R1 : Le maintien de la planéité du substrat pendant les cycles thermiques rapides peut s'avérer difficile. Une montée en température et un étalonnage corrects de l'équipement de traitement permettent d'éviter les déformations ou les microfissures pendant le dépôt.

Q2 : Comment l'épaisseur du film de 5000 nm affecte-t-elle le dépôt des couches suivantes ?
R2 : L'épaisseur uniforme de 5000 nm assure une nucléation régulière, fournissant une plate-forme cohérente pour la croissance ultérieure du film tout en minimisant les défauts induits par le stress au cours de la fabrication des semi-conducteurs.

Q3 : Les techniques de post-traitement standard peuvent-elles être appliquées sans perturber l'interface AlN/Al2O3 ?
R3 : Oui, des techniques telles que le nettoyage au plasma et la gravure sélective peuvent être utilisées. Des paramètres de traitement soigneusement optimisés sont essentiels pour préserver l'intégrité microstructurale à l'interface AlN/Al2O3.

Informations complémentaires

Les substrats en nitrure d'aluminium sont reconnus pour leur conductivité thermique et leur faible constante diélectrique, ce qui les rend adaptés aux applications électroniques et à haute température. Lorsqu'il est combiné avec du saphir, le composite résultant équilibre une bonne dissipation de la chaleur avec des caractéristiques électriques stables, essentielles pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

L'intégration d'AlN non dopé et de saphir (Al2O3) permet de tirer parti des propriétés inhérentes aux deux composés. Des méthodes de dépôt contrôlées et des processus de vérification rigoureux améliorent l'uniformité du film et la douceur de la surface, ce qui est essentiel pour la fabrication précise de dispositifs et la gestion thermique dans des environnements opérationnels exigeants.