AL10299 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 2 inch Silicon 5 mm x 5 mm x 200 nm

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 2 pouces 5 mm x 5 mm x 200 nm Description

Le modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 2 pouces 5 mm x 5 mm x 200 nm consiste en une couche d'AlN obtenue par croissance épitaxiale sur un substrat de silicium, ce qui garantit un degré élevé d'uniformité de l'épaisseur de la pellicule. La taille de 5 mm sur 5 mm est compatible avec le traitement standard des semi-conducteurs à petite échelle, tandis que l'épaisseur du film de 200 nm facilite l'intégration dans des dispositifs nécessitant des couches isolantes et barrières précises. Les propriétés céramiques inhérentes au substrat lui confèrent une inertie chimique et une stabilité thermique.

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 2 pouces 5 mm x 5 mm x 200 nm Applications

Électronique
- Utilisé comme barrière isolante dans les dispositifs semi-conducteurs pour réduire les courants de fuite en tirant parti de l'inertie chimique du film d'AlN.
- Utilisé comme interface diélectrique dans les circuits RF pour maintenir la fidélité du signal grâce à un film mince stable et uniforme.

Traitement industriel
- Sert de substrat dans les processus de microfabrication pour éviter la contamination pendant les opérations à haute température grâce à l'épaisseur constante du film.
- Employé comme couche barrière dans la fabrication des LED pour atténuer les effets de diffusion en capitalisant sur sa stabilité thermique.

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 2 pouces 5 mm x 5 mm x 200 nm Emballage

Le substrat est emballé dans des sachets en polyéthylène scellés et antistatiques, puis placé dans des cartons rigides absorbant les chocs. Il est stocké dans des conditions de température contrôlée et de faible humidité afin d'éviter l'absorption d'humidité et la contamination particulaire. L'emballage peut être personnalisé avec des dispositifs supplémentaires de contrôle de l'humidité et des inserts compartimentés pour répondre aux exigences strictes de manipulation pendant le transport et le stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quel est le processus utilisé pour obtenir un film AlN uniforme sur le silicium ?
R1 : Le film d'AlN est déposé à l'aide de techniques CVD contrôlées, surveillées par SEM et profilométrie en ligne pour maintenir une épaisseur et une morphologie de surface uniformes.

Q2 : En quoi la nature non dopée de la couche d'AlN est-elle bénéfique pour les applications semi-conductrices ?
R2 : L'absence de dopage minimise les porteurs libres involontaires, ce qui garantit des caractéristiques diélectriques stables, essentielles pour les performances des dispositifs à haute fréquence.

Q3 : Quel est l'environnement de stockage recommandé pour ces substrats ?
R3 : Les substrats doivent être stockés dans des conditions de température contrôlée et de faible humidité, dans un emballage antistatique, afin d'éviter la dégradation et la contamination induites par l'humidité.

Informations complémentaires

Le nitrure d'aluminium est fréquemment utilisé dans les applications électroniques où une conductivité thermique et une isolation électrique élevées sont essentielles. L'intégration d'une couche d'AlN sur un substrat de silicium permet de combiner les propriétés céramiques et semi-conductrices, ce qui permet des architectures de dispositifs avancés en microélectronique.

Le dépôt de couches minces d'AlN sur du silicium nécessite un contrôle rigoureux des paramètres du processus, notamment de la température, de la pression et des débits des précurseurs. Cela permet de s'assurer que le film obtenu conserve une structure uniforme et des propriétés électriques prévisibles, ce qui est essentiel pour la répétabilité dans la recherche et les applications industrielles.