AL10296 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 2 inch Silicon (Si <111> N type) 2 inch x 500 nm

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur silicium de 2 pouces (Si <111> type N) 2 pouces x 500 nm Description

Le nitrure d'aluminium non dopé (AlN) sur un substrat de silicium de 2 pouces (orientation Si <111>) présente une épaisseur de film précise de 500 nm. Le substrat permet la fabrication de dispositifs semi-conducteurs standard, en conservant des propriétés cristallographiques contrôlées et une faible densité de défauts. Son inertie chimique et sa conductivité thermique contribuent à la stabilité des dispositifs pendant le traitement à haute température. L'épaisseur définie de la couche garantit l'uniformité sur le substrat pour une intégration cohérente dans les systèmes électroniques.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template on 2 inch Silicon (Si <111> N type) 2 inch x 500 nm Applications

1)Applications électroniques
- Utilisé comme couche isolante dans les circuits RF pour obtenir une faible capacité parasite en tirant parti de la faible perte diélectrique du film d'AlN.
- Appliqué comme couche de passivation dans les dispositifs semi-conducteurs pour réduire les courants de fuite en utilisant l'épaisseur uniforme du film et la cristallographie contrôlée.

2)Applications industrielles
- Utilisé comme élément de gestion thermique dans l'électronique de puissance pour dissiper la chaleur en exploitant la conductivité thermique élevée du film AlN.
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de MEMS pour assurer la stabilité dimensionnelle en capitalisant sur le contrôle précis du dépôt du film.

Modèle de nitrure d'aluminium non dopé AlN sur silicium de 2 pouces (Si <111> type N) Emballage de 2 pouces x 500 nm

Le substrat est emballé dans un conteneur antistatique doublé de mousse afin d'assurer une protection mécanique et un contrôle de la contamination. Une pochette en plastique scellée protège de l'humidité et des particules. Des options d'emballage personnalisées, telles que des unités scellées sous vide ou un rembourrage supplémentaire, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation et d'expédition.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment le film AlN de 500 nm affecte-t-il les performances de l'appareil ?
R1 : Le film AlN de 500 nm offre une couche diélectrique contrôlée avec une faible densité de défauts, ce qui minimise les effets parasites dans les circuits à haute fréquence. Cette couche uniforme favorise une intégration précise dans la fabrication des semi-conducteurs en garantissant des propriétés électriques et thermiques cohérentes sur l'ensemble du substrat.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour ce substrat ?
R2 : Le substrat doit être stocké dans un environnement à température contrôlée et à faible humidité afin de protéger le film AlN de l'humidité et de la contamination particulaire. L'utilisation d'un emballage antistatique et rembourré permet d'éviter les dommages mécaniques et de préserver l'intégrité du film au fil du temps.

Q3 : Le substrat est-il compatible avec l'équipement standard de traitement du silicium ?
R3 : Oui, la base de silicium de 2 pouces et la couche d'AlN contrôlée sont conçues pour s'intégrer aux processus courants de fabrication de semi-conducteurs. L'épaisseur et l'orientation cristallographique bien définies permettent une compatibilité avec les protocoles de fabrication de dispositifs établis.

Informations complémentaires

Les substrats céramiques tels que ceux à base de nitrure d'aluminium sont essentiels dans les applications où la gestion thermique et l'isolation électrique sont primordiales. Les propriétés intrinsèques de l'AlN, notamment sa conductivité thermique et ses performances diélectriques, permettent de l'utiliser dans des applications d'emballage électronique et de dispositifs de puissance.

L'intégration d'un film d'AlN sur du silicium offre un équilibre entre les propriétés mécaniques du silicium et les caractéristiques électriques de l'AlN. Cette combinaison favorise les progrès dans le traitement des semi-conducteurs en relevant les défis de la dissipation de la chaleur et de la miniaturisation des dispositifs tout en maintenant la stabilité dimensionnelle et la compatibilité des processus.