AL10295 Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Description

Ce substrat présente une couche de nitrure d'aluminium épitaxiée sur une base de saphir (Al2O3) avec une orientation (0001). Les dimensions de 10x10 mm assurent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs, tandis que l'épaisseur du film de 1000 nm joue un rôle crucial dans la performance diélectrique et la gestion thermique. La nature non dopée du film minimise l'interférence des impuretés, ce qui optimise son utilisation dans les circuits à haute fréquence et la fabrication de composants électroniques.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Applications

Applications électroniques
- Utilisé comme couche isolante dans les circuits RF pour réduire la capacité parasite en tirant parti de l'alignement cristallin contrôlé du film.
- Appliqué comme barrière diélectrique dans l'électronique de puissance pour atténuer les contraintes thermiques en utilisant sa conductivité thermique élevée.

Applications industrielles
- Utilisé comme substrat dans les modules de capteurs pour assurer une sortie de signal stable en tirant parti de la morphologie uniforme du film.
- Utilisé dans les systèmes de surveillance des processus à haute température pour maintenir l'isolation électrique en tirant parti de son inertie chimique.

Nitrure d'aluminium non dopé AlN Template sur saphir Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Emballage

Le substrat est emballé dans des supports dissipateurs d'électricité statique et rembourré avec des inserts en mousse pour atténuer les chocs mécaniques. Il est scellé dans un sac de protection contre l'humidité afin d'éviter toute contamination pendant le transport. Il est recommandé de le stocker dans un environnement propre et à température contrôlée afin de préserver l'intégrité du matériau. Des options d'emballage personnalisées avec des mesures supplémentaires de protection contre la contamination et de rembourrage sont disponibles sur demande.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment le dépôt épitaxial affecte-t-il les performances du substrat ?
R1 : Le dépôt épitaxial établit une structure cristalline uniforme qui améliore la cohérence diélectrique et la conductivité thermique essentielles dans les dispositifs semi-conducteurs. Cette croissance contrôlée minimise la densité des défauts et facilite l'intégration précise avec d'autres composants électroniques.

Q2 : Quelles sont les procédures de manipulation spéciales recommandées pour ce substrat ?
R2 : Le substrat doit être manipulé dans une salle blanche avec des précautions antistatiques. Il doit être stocké dans des conditions de température et d'humidité contrôlées afin d'éviter la dégradation du film d'AlN et de préserver l'intégrité de la base en saphir.

Q3 : Le substrat peut-il subir d'autres modifications après traitement ?
A3 : Oui, le substrat peut être personnalisé après le dépôt pour des intégrations de dispositifs spécifiques telles que l'amincissement, le polissage ou le modelage. Ces modifications sont effectuées dans le cadre de protocoles stricts de salle blanche afin de préserver les propriétés inhérentes du matériau.

Informations complémentaires

Les substrats céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) sont largement utilisés dans les applications nécessitant une conductivité thermique et une isolation électrique élevées. La nature non dopée du film d'AlN minimise la diffusion des impuretés, ce qui est crucial pour obtenir un comportement cohérent du matériau dans des conditions de puissance et de fréquence élevées.

L'intégration de l'AlN sur le saphir (Al2O3) combine les propriétés de gestion thermique du nitrure d'aluminium avec la surface lisse et stable du saphir. Cette combinaison permet de soutenir les processus de semi-conducteurs avancés, en particulier dans les domaines exigeant une faible densité de défauts et une intégrité structurelle élevée pour une performance efficace des dispositifs.