AL10293 Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 100 mm x 0,5 mm

Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 100 mm x 0,5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 A plan (11-20) 100 mm x 0,5 mm est fabriquée à partir d'Al2O3 de haute pureté avec une orientation cristallographique spécifiée (11-20). Le diamètre de 100 mm et l'épaisseur de 0,5 mm garantissent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Son inertie chimique minimise les risques de contamination lors de la fabrication des dispositifs. La structure monocristalline du matériau, avec un minimum de dislocations, est idéale pour les applications nécessitant une qualité de surface élevée et une orientation contrôlée.

Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 100 mm x 0,5 mm Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de LED et de dispositifs microélectroniques pour obtenir une dissipation thermique contrôlée en tirant parti de sa conductivité thermique élevée.
- Appliqué comme couche de base pour la croissance épitaxiale dans les dispositifs semi-conducteurs afin d'améliorer l'uniformité de la couche en utilisant son faible décalage de réseau.

Optoélectronique
- Sert de substrat diélectrique dans les composants optiques pour améliorer la transmission de la lumière en tirant parti de sa transparence élevée dans le spectre visible.
- Employé dans les plates-formes de capteurs pour obtenir une isolation électrique stable en tirant parti de son inertie chimique robuste.

Plaquette de saphir Al2O3 A plan (11-20) 100 mm x 0,5 mm Emballage

La plaquette est emballée individuellement dans des sachets sous vide à dissipation statique afin de réduire la contamination particulaire et les contraintes mécaniques. Chaque unité est calée dans des inserts en mousse anti-vibration et stockée dans des conteneurs rigides à température contrôlée. Cette méthode d'emballage permet de préserver l'intégrité du produit contre les fluctuations de l'environnement. L'étiquetage personnalisé et l'emballage compartimenté sont disponibles pour se conformer aux normes spécifiques des laboratoires ou de l'industrie.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quels sont les facteurs qui influencent l'intégrité structurelle de la plaquette de saphir pendant le traitement ?
R1 : L'intégrité de la plaquette dépend du contrôle précis des conditions de croissance des cristaux et des traitements de surface post-fabrication. Les analyses par MEB et profilométrie sont essentielles pour détecter les microfissures et les variations d'épaisseur susceptibles d'affecter les performances dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Q2 : Comment l'orientation (11-20) affecte-t-elle les performances des substrats dans les processus à haute température ?
R2 : L'orientation (11-20) présente des propriétés thermiques définies qui facilitent la dissipation de la chaleur et réduisent les contraintes thermiques lors des processus à haute température. Cette orientation contrôlée permet une distribution uniforme de la température dans les applications critiques.

Q3 : La plaquette peut-elle être personnalisée pour s'intégrer à des processus de fabrication spécifiques ?
A3 : Les options de personnalisation comprennent des modifications des dimensions et de l'épaisseur de la plaquette, ainsi qu'un polissage de surface optionnel. Ces ajustements peuvent être alignés sur les exigences d'équipements spécifiques, garantissant ainsi la compatibilité avec les divers protocoles de traitement des semi-conducteurs.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'Al2O3, sont appréciés en science des matériaux pour leur grande stabilité chimique et leurs propriétés thermiques exceptionnelles. Leur structure monocristalline minimise les défauts, ce qui est crucial pour obtenir des performances supérieures dans les applications semi-conductrices et optoélectroniques. Les chercheurs continuent d'étudier ces substrats afin d'améliorer leur intégration dans les technologies émergentes.

L'orientation cristallographique contrôlée et la qualité constante de la surface des plaquettes de saphir sont fondamentales pour garantir un comportement reproductible du matériau au cours des processus de fabrication de haute précision. Les caractérisations techniques, y compris la diffraction des rayons X et la microscopie électronique, soutiennent l'amélioration continue de ces substrats pour des applications industrielles avancées.