AL10291 Sapphire Wafer Al2O3 A plan (11-20) Dia. 3 pouces x 0,5 mm

Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) Dia. 3 pouces x 0,5 mm Description

La plaquette est fabriquée à partir d'Al2O3 (corindon) de haute pureté et présente une orientation cristallographique A (11-20). Son diamètre de 3 pouces et son épaisseur de 0,5 mm sont optimisés pour être compatibles avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. L'alignement précis et la finition lisse de la surface réduisent la densité des défauts, ce qui améliore la fiabilité du processus dans les opérations de photolithographie et de gravure. Ces caractéristiques garantissent un transfert de modèle précis et un contrôle dimensionnel dans la fabrication de dispositifs avancés.

Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) Dia. 3 pouces x 0,5 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat diélectrique dans les circuits RF pour maintenir l'intégrité du signal stable en tirant parti de la planéité précise de la surface et de l'orientation cristallographique cohérente.

Fabrication de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat porteur dans les systèmes de photolithographie pour obtenir un transfert de modèle précis en exploitant une épaisseur contrôlée et une densité de défauts minimale.

Plaquette de saphir Al2O3 A plan (11-20) Dia. 3 pouces x 0,5 mm Emballage

La plaquette est emballée dans une enveloppe antistatique placée dans un conteneur rigide qui absorbe les chocs. Des inserts en mousse minimisent les impacts mécaniques et la contamination. L'emballage permet un stockage dans un environnement frais et sec afin de préserver l'intégrité de la surface. Des options d'emballage personnalisées, y compris l'étiquetage spécialisé et la compartimentation, sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manutention et d'expédition.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quel est l'impact de l'orientation du plan A (11-20) sur les performances de la plaquette ?
R1 : L'orientation (11-20) fournit des caractéristiques de surface uniformes, essentielles pour réduire la variabilité du processus lors des étapes de gravure et de dépôt au cours de la fabrication du dispositif.

Q2 : Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité appliquées pendant la fabrication ?
R2 : La plaquette subit un polissage standardisé avec des inspections interférométriques et une microscopie électronique à balayage pour contrôler la planéité de la surface et la densité des défauts, ce qui garantit le respect de tolérances dimensionnelles strictes.

Q3 : Comment la plaquette doit-elle être stockée pour conserver les propriétés spécifiées ?
R3 : La plaquette doit être conservée dans un environnement à température contrôlée et à faible taux d'humidité, dans un emballage antistatique et sans contamination, afin de préserver l'intégrité de la surface et la qualité cristallographique.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'Al2O3 de haute pureté, sont largement utilisés dans les applications semi-conductrices et optiques en raison de leur orientation cristallographique définie et de leur grande dureté. Leur capacité à supporter des températures de traitement et des contraintes mécaniques élevées les rend indispensables à la fabrication de dispositifs avancés.

Des études approfondies sur les plaquettes de saphir permettent de comprendre leur comportement sous l'effet des charges thermiques et mécaniques. Les améliorations continues des processus de production et des techniques de contrôle de la qualité contribuent à accroître les performances dans les applications de haute précision, faisant ainsi progresser la science des matériaux et les technologies de fabrication.