AL10290 Sapphire Wafer Al2O3 R Plane Dia. 1 pouce x 0,5 mm

Plaque de saphir Al2O3 R Plane Dia. 1 pouce x 0,5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 R Dia. 1 pouce x 0,5 mm est un substrat d'alumine (Al2O3) avec une orientation définie du plan R, mesurant 1 pouce de diamètre et 0,5 mm d'épaisseur. La cristallinité contrôlée et la finition lisse du substrat permettent d'améliorer le dépôt de films épitaxiques dans les processus de semi-conducteurs. Son inertie chimique et sa stabilité thermique le rendent adapté aux environnements exigeants de fabrication de dispositifs et aux applications analytiques précises.

Plaque de saphir Al2O3 R Plane Dia. 1 pouce x 0,5 mm Applications

Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat de croissance épitaxiale dans la fabrication de DEL pour obtenir un dépôt de film uniforme en tirant parti de sa surface atomiquement lisse dans le plan R.
- Utilisé comme isolant dans les circuits à haute fréquence pour réduire les effets parasites en utilisant sa rigidité diélectrique élevée.

Applications optoélectroniques et industrielles
- Sert de base aux dispositifs optiques pour améliorer la transmission de la lumière en tirant parti de sa faible absorption optique.
- Fréquemment utilisé comme substrat de montage pour les réseaux de capteurs afin de maintenir la stabilité des performances grâce à son inertie thermique et chimique.

Plaque de saphir Al2O3 R Plane Dia. 1 pouce x 0,5 mm Emballage

Les plaquettes de saphir sont emballées dans des supports antistatiques doublés de mousse afin de les protéger contre les dommages mécaniques et la contamination. Elles sont stockées dans des conditions propres, sèches et à température contrôlée afin de préserver la qualité de la surface. Chaque unité est scellée dans des matériaux à faible teneur en particules, avec des options d'étiquetage personnalisé et de compartimentage. Cette méthode d'emballage minimise tout risque de dégradation de la surface pendant la manipulation et le stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan R influence-t-elle les performances de la plaquette dans les applications semi-conducteurs ?
R1 : L'orientation du plan R donne une morphologie de surface spécifique qui améliore l'uniformité de la couche épitaxiale et minimise la propagation des défauts pendant le dépôt du film, ce qui contribue à la fabrication précise de dispositifs semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver la qualité de ces plaquettes de saphir ?
R2 : Il est conseillé de stocker ces plaquettes dans un environnement propre, sec et à température contrôlée. La protection contre les contraintes mécaniques et la contamination particulaire est essentielle pour préserver l'intégrité de leur surface.

Q3 : Ces plaquettes de saphir peuvent-elles être adaptées à des processus de production spécifiques ?
R3 : Oui, des options de personnalisation telles que la variation des diamètres, des épaisseurs ou des normes de polissage sont disponibles sur consultation. Des exigences spécifiques peuvent être prises en compte pour répondre à des besoins particuliers en matière de fabrication ou de recherche.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'alumine (Al2O3) de haute pureté, sont appréciés en science des matériaux pour leur excellente stabilité chimique et thermique. Leurs orientations cristallines uniques contribuent à des caractéristiques de surface spécifiques, qui sont essentielles pour les applications semi-conductrices et optoélectroniques. Les techniques de fabrication avancées ont affiné le processus de production pour répondre à l'évolution des demandes de l'industrie.

Les plaquettes de saphir servent de plateforme cohérente pour explorer les interactions entre les matériaux dans des environnements à haute température et chimiquement agressifs, fournissant une base essentielle pour les avancées expérimentales et industrielles en électronique et en photonique.