AL10288 Sapphire Wafer Al2O3 R Plane Dia. 3 pouces x 0,5 mm 45° par rapport à l'axe C

Plaque de saphir Al2O3 R Plane 3" Dia x0.5 mm 45° hors axe C Description

La plaquette Sapphire Wafer Al2O3 R Plane est fabriquée à partir d'oxyde d'aluminium de haute pureté (Al2O3) avec une orientation définie de 45° dans le sens inverse des aiguilles d'une montre par rapport à la projection de l'axe C sur le plan R. Le diamètre de 3 pouces et l'épaisseur de 0,5 mm répondent aux exigences standard de traitement des semi-conducteurs. Cette orientation améliore l'uniformité de la structure du réseau et permet une fabrication précise des dispositifs tout en réduisant l'incidence des défauts lors du traitement à haute température.

Plaque de saphir Al2O3 R Plane 3" Dia x0.5 mm 45° hors axe C Applications

Électronique et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour obtenir des trajectoires d'électrons contrôlées en tirant parti de l'alignement précis du plan R.
- Utilisé comme base pour les composants RF afin d'améliorer la stabilité diélectrique en utilisant sa composition Al2O3 de haute pureté.

Systèmes industriels et de capteurs
- Sert de support aux modules de capteurs à haute température pour maintenir la stabilité dimensionnelle en capitalisant sur la résilience thermique de l'Al2O3.
- Fréquemment utilisé dans les dispositifs optoélectroniques pour améliorer la clarté optique en garantissant une surface cristalline lisse et peu défectueuse.

Plaque de saphir Al2O3 R Plane 3" Dia x 0.5 mm 45° hors axe C Emballage

La plaquette est emballée dans un conteneur antistatique doublé de mousse qui la protège des chocs mécaniques et de la contamination. Elle est scellée dans une pochette à l'abri de la poussière avec des couches de rembourrage pour préserver l'intégrité de la surface. Le stockage nécessite un environnement à température contrôlée et à faible taux d'humidité pour éviter l'oxydation. Des options d'emballage personnalisées, y compris des plateaux compartimentés et un étiquetage spécialisé, sont disponibles pour répondre à des protocoles de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation spécifique du plan R influence-t-elle le traitement des dispositifs ?
R1 : Le décalage de 45° dans le sens inverse des aiguilles d'une montre par rapport à la projection de l'axe C permet d'obtenir un réseau cristallin cohérent qui améliore la précision de la lithographie et l'uniformité de la gravure. Cet alignement réduit les risques d'anomalie lors de l'intégration des dispositifs, ce qui contribue à maintenir la cohérence du processus.

Q2 : Quelles sont les méthodes de contrôle de la qualité utilisées pour évaluer la pureté et la structure du matériau ?
R2 : Le matériau est soumis à une analyse par diffraction des rayons X à haute résolution et par microscopie électronique à balayage. Ces méthodes permettent d'évaluer l'orientation cristalline et de détecter les défauts mineurs, ce qui garantit que les propriétés structurelles de la plaquette répondent aux exigences rigoureuses du processus.

Q3 : Comment la plaquette doit-elle être manipulée pour préserver la qualité de sa surface ?
R3 : La manipulation doit être effectuée dans une salle blanche à l'aide d'outils antistatiques. La plaquette doit être stockée dans son emballage de protection scellé, dans des conditions de température contrôlée et de faible humidité, afin d'éviter toute contamination de la surface et tout dommage mécanique.

Informations complémentaires

L'oxyde d'aluminium (Al2O3) est largement utilisé en raison de sa grande stabilité thermique, de sa dureté et de son inertie chimique. Sa structure cristalline joue un rôle essentiel dans la détermination des caractéristiques physiques requises pour les semi-conducteurs avancés et les applications optoélectroniques.

Il est essentiel de comprendre l'impact de l'orientation cristallographique sur le comportement du substrat pour optimiser les performances des dispositifs. La recherche dans ce domaine explore en permanence l'équilibre entre la minimisation des défauts et l'alignement précis, influençant directement le rendement et la fonctionnalité dans les environnements de production de haute technologie.