AL10287 Sapphire Wafer Al2O3 R Plane 100 mm Dia x 0.525 mm

Plaque de saphir Al2O3 Plan R 100 mm Dia x 0.525 mm Description

Cette plaquette, composée de saphir (Al2O3), présente une orientation cristallographique dans le plan R qui améliore l'alignement des couches pendant le traitement épitaxial. Le diamètre de 100 mm et l'épaisseur de 0,525 mm sont conformes aux exigences des outils standard pour semi-conducteurs. La planéité contrôlée de la surface et la densité minimale des défauts sont obtenues grâce à une surveillance rigoureuse du processus, ce qui permet une intégration fiable dans les flux de production avancés.

Plaque de saphir Al2O3 R Plane 100 mm Dia x 0.525 mm Applications

Électronique et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat pour le dépôt de couches épitaxiales dans les dispositifs semi-conducteurs afin d'obtenir un alignement cristallographique contrôlé en tirant parti des propriétés uniformes de la surface.
- Appliqué comme couche de base dans la fabrication des LED pour améliorer la gestion thermique en utilisant la conductivité thermique élevée du matériau.

Équipements industriels
- Employé comme composant structurel dans les assemblages de capteurs pour obtenir des mesures précises en tirant parti de son inertie chimique et de sa stabilité thermique.
- Utilisé comme plate-forme pour les systèmes de traitement à haute température afin de maintenir des performances constantes grâce aux propriétés contrôlées du matériau.

Plaque de saphir Al2O3 R Plane 100 mm Dia x 0.525 mm Emballage

Les plaquettes sont scellées individuellement dans des sachets antistatiques de qualité salle blanche et placées dans des conteneurs rigides doublés de mousse pour éviter les chocs mécaniques et la contamination. L'emballage est conçu pour exclure la poussière et l'humidité, afin de maintenir un environnement inerte contrôlé. Pour le stockage et le transport, des conditions climatiques contrôlées sont recommandées. Des options d'emballage personnalisées, y compris des configurations scellées sous vide et un étiquetage spécialisé, sont disponibles à la demande du client.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan R est-elle maintenue pendant la fabrication ?
R1 : L'orientation du plan R est obtenue grâce à des protocoles de coupe et d'alignement précis. L'inspection optique en cours de fabrication vérifie l'orientation cristallographique pour garantir le respect des tolérances spécifiées, essentielles pour les étapes ultérieures de dépôt de la couche.

Q2 : Quelles sont les techniques de mesure utilisées pour l'évaluation de la qualité ?
R2 : La planéité, l'épaisseur et la densité des défauts de la surface sont évaluées par interférométrie, microscopie électronique à balayage et profilométrie. Ces techniques fournissent un retour d'information quantitatif nécessaire au maintien de la cohérence du processus.

Q3 : La tolérance d'épaisseur est-elle strictement définie et qu'implique-t-elle ?
R3 : Oui, l'épaisseur de 0,525 mm est maintenue dans des limites de tolérance étroites afin de garantir la compatibilité dimensionnelle avec les outils de traitement des semi-conducteurs. Ce contrôle strict minimise les variations susceptibles d'affecter les performances des dispositifs pendant la fabrication de haute précision.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'Al2O3 cristallin, sont largement utilisés dans diverses applications industrielles et de recherche en raison de leurs excellentes propriétés thermiques, électriques et chimiques. Leur résistance mécanique inhérente et leur point de fusion élevé les rendent adaptés aux processus à haute température. L'orientation dans le plan R contribue spécifiquement à l'amélioration des caractéristiques de surface, qui sont essentielles dans des processus tels que la croissance épitaxiale et la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés.

Dans le contexte plus large de la science des matériaux, le traitement des plaquettes de saphir implique des mesures rigoureuses de contrôle de la qualité. Une caractérisation détaillée à l'aide de la microscopie avancée et de l'interférométrie établit la base des performances dans des assemblages complexes. Les chercheurs et les ingénieurs ont tout intérêt à comprendre ces paramètres pour optimiser l'intégration dans les environnements expérimentaux et de production.