AL10283 Plaque de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm est une plaquette d'alumine monocristalline avec une orientation contrôlée (0001). Le diamètre de 2 pouces et l'épaisseur de 0,5 mm garantissent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Sa surface atomiquement plate et sa faible densité de défauts permettent un dépôt de film épitaxial de haute précision. La composition du substrat (Al2O3) lui confère une excellente résistance chimique et une grande stabilité thermique, ce qui le rend adapté à la fabrication de dispositifs optiques et électroniques avancés.

Plaque de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans les dispositifs semi-conducteurs pour obtenir une croissance uniforme de la couche épitaxiale en tirant parti de l'orientation cristallographique contrôlée (0001) de la plaquette.
- Utilisé dans la production de LED pour permettre un dépôt de film de haute qualité grâce à sa surface atomiquement lisse.

Industrie
- Utilisé comme barrière diélectrique dans les capteurs à haute température pour maintenir la stabilité des performances en tirant parti de la résistance chimique et de l'endurance thermique de l'Al2O3.
- Utilisé comme substrat de précision dans les dispositifs optiques pour garantir des propriétés de transmission de la lumière constantes grâce à sa faible densité de défauts.

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm Emballage

Les plaquettes sont emballées individuellement dans des supports antistatiques de qualité salle blanche et rembourrées avec des inserts en mousse pour éviter les dommages mécaniques. Elles sont ensuite scellées dans des sachets sous atmosphère inerte afin de minimiser la contamination par l'humidité et les particules. Le processus d'emballage comprend des doublures anti-rayures et des étiquettes pour la traçabilité. Il est recommandé de stocker les produits dans des conditions de température et d'humidité contrôlées. Des options de personnalisation sont disponibles pour répondre à des besoins de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment SAM contrôle-t-il la densité des défauts dans ces plaquettes de saphir ?
R1 : SAM utilise des techniques de métrologie quantitative des surfaces, notamment la microscopie électronique à balayage et la microscopie à force atomique, pour surveiller et contrôler la densité des défauts. Cela permet de garantir que la plaquette conserve la planéité et l'uniformité rigoureuses requises pour les processus épitaxiaux de haute précision dans les applications de semi-conducteurs avancées.

Q2 : Quelles sont les mesures prises pendant la fabrication pour obtenir l'orientation (0001) ?
R2 : Le processus de production implique une croissance cristalline contrôlée utilisant de l'alumine de haute pureté avec des procédures strictes d'alignement de l'orientation. Des traitements thermiques spécialisés et des mesures de diffraction des rayons X en ligne garantissent que la plaquette finale présente systématiquement l'orientation (0001) nécessaire à une intégration fiable des dispositifs.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour ces plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement propre, à température contrôlée et à faible taux d'humidité, idéalement dans des conteneurs antistatiques. Cela minimise l'exposition à l'humidité et aux contaminants qui pourraient compromettre l'intégrité de la surface et les performances au cours du traitement ultérieur.

Informations complémentaires

L'alumine (Al2O3) est largement reconnue dans la science des matériaux pour sa stabilité thermique et son inertie chimique, ce qui fait des plaquettes de saphir un composant intégral dans de nombreux processus de fabrication électronique et optique. L'orientation contrôlée (0001) permet non seulement d'optimiser les propriétés de la surface, mais aussi d'améliorer la compatibilité avec les techniques de dépôt de couches minces, ce qui est crucial pour la fabrication d'appareils modernes.

Le contrôle rigoureux de l'orientation des cristaux et de l'état de surface de ces substrats est essentiel pour faire progresser les applications à haute performance. La compréhension de l'interaction entre les conditions de traitement et les propriétés des matériaux contribue à stimuler les innovations dans la technologie des semi-conducteurs et dans d'autres environnements de traitement à haute température.