AL10282 Plaque de saphir Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0.65 mm

Plaque de saphir Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0.65 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0,65 mm est un substrat cristallin composé d'oxyde d'aluminium fabriqué avec précision. L'orientation définie (0001) et les tolérances dimensionnelles serrées permettent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Son épaisseur uniforme et sa faible densité de défauts facilitent les dépôts épitaxiaux de haute précision et la fabrication de dispositifs microélectroniques, soutenant ainsi les processus de recherche et de développement de matériaux avancés.

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) 100 mm Dia. x 0.65 mm Applications

Électronique
- Utilisation comme substrat dans les dispositifs semi-conducteurs pour obtenir un dépôt épitaxial uniforme en tirant parti de son orientation cristallographique contrôlée (0001).

Optoélectronique
- Utilisé comme matériau de base dans la fabrication de LED et de diodes laser pour améliorer la clarté optique en tirant parti de sa transmittance optique élevée et de la planéité précise de sa surface.

Recherche scientifique
- Utilisé comme plate-forme d'essai pour les études avancées sur les matériaux afin d'obtenir de faibles densités de dislocation en tirant parti de sa structure cristalline cohérente et de son épaisseur uniforme.

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) 100 mm de diamètre x 0,65 mm Emballage

Les plaquettes sont emballées individuellement dans des supports antistatiques rembourrés et placées dans des plateaux rigides compatibles avec les salles blanches. Elles sont emballées avec des matériaux résistants à l'humidité pour éviter toute contamination. Les recommandations de stockage incluent un environnement sec à température contrôlée. Des options d'étiquetage personnalisé et d'emballage compartimenté sont disponibles pour répondre à des protocoles de stockage et de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment SAM assure-t-il la planéité de la surface des plaquettes et le contrôle des défauts ?
R1 : SAM utilise l'interférométrie optique et l'inspection MEB pendant le traitement pour mesurer la planéité de la surface et contrôler la densité des défauts, ce qui garantit que chaque plaquette répond à des critères de performance stricts pour les processus de fabrication ultérieurs.

Q2 : Quelles sont les mesures prises pour éviter la contamination lors de la manipulation des plaquettes ?
R2 : Les plaquettes sont traitées dans des salles blanches et emballées dans des conteneurs antistatiques et résistants à l'humidité. Ces mesures minimisent les retombées de particules et la contamination de surface, préservant ainsi l'intégrité structurelle de la plaquette.

Q3 : Comment les tolérances dimensionnelles affectent-elles le traitement en aval ?
R3 : L'uniformité du diamètre et de l'épaisseur influe directement sur l'uniformité du processus de dépôt épitaxial. Des tolérances serrées garantissent la compatibilité avec les outils de traitement standard, réduisant ainsi la variabilité dans la fabrication des dispositifs.

Informations complémentaires

L'oxyde d'aluminium (Al2O3) joue un rôle essentiel dans diverses applications de haute performance en raison de son inertie chimique et de ses excellentes propriétés thermiques. Les substrats en saphir sont largement utilisés dans les dispositifs semi-conducteurs et optiques où une uniformité microstructurale précise et de faibles densités de défauts sont essentielles.

Les méthodes de fabrication avancées, notamment le dépôt chimique en phase vapeur et la profilométrie de surface, permettent un contrôle précis de l'orientation et de l'épaisseur des cristaux. Cette précision est vitale pour les applications en microélectronique et la recherche sur les matériaux, où même des variations mineures peuvent affecter les performances globales du dispositif.