AL10277 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm est fabriqué à partir d'oxyde d'aluminium de haute pureté avec une orientation de surface définie (0001), garantissant une structure uniforme et contrôlée. Le diamètre de 2 pouces et l'épaisseur de 0,5 mm sont compatibles avec les équipements conventionnels de traitement des semi-conducteurs. L'inertie chimique et la stabilité mécanique inhérentes à l'Al2O3 font que cette plaquette convient à des applications précises nécessitant une faible densité de défauts et des performances constantes.

Plaque de saphir Al2O3 plan C (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm Applications

1.électronique
- Utilisé comme substrat dans les circuits haute fréquence pour réduire la perte de signal en tirant parti de l'uniformité cristallographique contrôlée de la plaquette.
- Appliqué dans les réseaux de capteurs pour assurer une isolation électrique cohérente en utilisant l'inertie chimique de l'Al2O3.

2.industriel
- Utilisé dans les assemblages de LED pour gérer la chaleur en capitalisant sur la conductivité thermique inhérente au matériau.
- Utilisé dans les instruments optiques comme couche de base stable pour minimiser la diffusion de la lumière grâce à sa finition de surface uniforme.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) Dia. 2 pouces x 0,5 mm Emballage

La plaquette est placée dans un conteneur antistatique avec un rembourrage en mousse pour atténuer les impacts mécaniques pendant le transport. Elle est enfermée dans une enveloppe scellée, à l'abri de la poussière, et maintenue dans des conditions de température contrôlée et de faible humidité jusqu'à son traitement ultérieur. D'autres options sont possibles, notamment le scellement sous vide et les inserts compartimentés personnalisés, afin de réduire davantage les risques de contamination et de faciliter la manipulation en toute sécurité pendant le stockage et le transport.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la précision cristallographique de la plaquette est-elle validée ?
R1 : Des techniques de diffraction des rayons X à haute résolution et d'imagerie de surface sont utilisées pour vérifier l'orientation (0001) et l'uniformité. Ces méthodes garantissent que la plaquette répond aux spécifications strictes de traitement pour les applications de semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour cette plaquette ?
R2 : La plaquette doit être stockée dans un environnement à température stable et à faible humidité, dans un emballage antistatique. Cela permet de minimiser les risques de contamination et de préserver l'intégrité structurelle et chimique du matériau.

Q3 : La plaquette est-elle compatible avec les outils standard de traitement des semi-conducteurs ?
R3 : Avec un diamètre de 2 pouces et une épaisseur de 0,5 mm, la plaquette est généralement compatible avec les équipements classiques de traitement des semi-conducteurs. Il est conseillé aux ingénieurs de vérifier les tolérances de l'équipement pour garantir une intégration correcte.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'Al2O3, sont largement utilisés dans les applications de semi-conducteurs et d'optique en raison de leur inertie chimique et de leurs propriétés thermiques. L'orientation définie (0001) favorise les performances des dispositifs en fournissant une surface uniforme, ce qui est essentiel pour minimiser les défauts au cours des étapes de traitement ultérieures.

Les progrès réalisés dans la caractérisation des matériaux et les techniques de traitement continuent d'améliorer la qualité des plaquettes de saphir. Les efforts de recherche se concentrent sur l'amélioration de la finition de la surface et la réduction de la densité des défauts pour permettre leur intégration dans les technologies de l'électronique de précision et des capteurs, soutenant ainsi les développements dans de multiples secteurs industriels.