AL10275 Sapphire Wafer Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,43 mm

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,43 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,43 mm est un substrat d'oxyde d'aluminium fabriqué à l'aide de techniques de synthèse contrôlées afin de garantir une orientation cristallographique (0001) rigoureuse. Le diamètre précis de 2 pouces et l'épaisseur de 0,43 mm permettent la compatibilité avec les outils de traitement des semi-conducteurs standard tout en favorisant la croissance épitaxiale. Sa grande uniformité structurelle minimise les variations de processus et soutient les applications critiques de recherche et de production.

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,43 mm Applications

Électronique :
- Utilisation comme substrat isolant dans les dispositifs semi-conducteurs pour réduire la conduction parasite en tirant parti d'une résistance électrique élevée.

Optoélectronique :
- Utilisé comme base pour les structures LED et laser afin d'obtenir une émission lumineuse uniforme en utilisant la surface atomiquement lisse de la plaquette.

Industrie :
- Utilisé comme plate-forme de précision dans la fabrication de capteurs pour obtenir des caractéristiques de signal cohérentes en tirant parti de l'uniformité dimensionnelle.

Plaquette de saphir Al2O3 (0001) Dia. 2 pouces x 0,43 mm Emballage

La plaquette est enfermée dans un support antistatique doublé de mousse dans un sachet scellé au gaz inerte afin de minimiser les dommages physiques et la contamination particulaire. Il est recommandé de stocker le produit dans un environnement sec et à température contrôlée afin de préserver la qualité de sa surface. Des options d'emballage personnalisées, y compris un rembourrage supplémentaire ou des matériaux de conteneur spécifiques, sont disponibles sur examen technique pour répondre à des exigences de manipulation particulières.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les techniques utilisées pour vérifier l'orientation cristallographique (0001) ?
R1 : La plaquette subit une analyse par diffraction des rayons X pour confirmer l'orientation (0001) et des contrôles par microscopie optique pour garantir l'uniformité de la surface. Ces techniques permettent de détecter tout écart susceptible d'affecter l'intégration du dispositif.

Q2 : En quoi les dimensions spécifiées de 2 pouces de diamètre et de 0,43 mm d'épaisseur favorisent-elles la compatibilité de traitement ?
R2 : Le diamètre standard de 2 pouces et l'épaisseur précise de 0,43 mm garantissent que la plaquette s'adapte aux équipements courants de traitement des semi-conducteurs, ce qui facilite les processus uniformes de dépôt de couches et de gravure dans les environnements de production.

Q3 : Est-il possible de personnaliser les paramètres d'épaisseur ou d'orientation des plaquettes ?
R3 : SAM examine les exigences techniques en vue de modifications. Les ajustements d'épaisseur ou les changements d'orientation mineurs peuvent être évalués sur la base des protocoles de fabrication, offrant des solutions sur mesure lorsqu'elles sont compatibles avec les normes de production.

Informations complémentaires

L'oxyde d'aluminium (Al2O3) est un matériau bien étudié, connu pour sa grande dureté, sa stabilité thermique et ses excellentes propriétés isolantes. Sa structure cristalline est utile dans les applications qui nécessitent une résistance aux contraintes thermiques et mécaniques, ce qui en fait un choix courant dans la fabrication de semi-conducteurs et de dispositifs optiques.

Les progrès réalisés dans le traitement des matériaux ont affiné la production de plaquettes de saphir, permettant un contrôle précis de l'orientation cristallographique et de l'épaisseur. Ces progrès favorisent l'intégration de ces substrats dans la recherche de haute performance, les applications industrielles et les systèmes électroniques, où la cohérence et la précision des dimensions sont essentielles.