AL10272 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) Dia. 3 pouces x 0,5 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) Dia. 3 pouces x 0,5 mm Description

Cette plaquette est composée d'Al2O3 monocristallin, connu pour son point de fusion élevé et sa stabilité chimique. L'orientation du plan C (0001) garantit une surface lisse et uniforme, essentielle pour le dépôt uniforme de couches minces et la fabrication de dispositifs. Le diamètre de 3 pouces et l'épaisseur de 0,5 mm sont maintenus avec des tolérances serrées pour s'adapter à l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Les propriétés du matériau sont adaptées aux applications qui nécessitent une rigidité diélectrique élevée et une résistance aux chocs thermiques.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) Dia. 3 pouces x 0,5 mm Applications

1.fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour obtenir une croissance uniforme du film en tirant parti de son orientation cristallographique constante.
- Utilisé comme plate-forme pour les couches épitaxiales dans la fabrication des LED afin d'améliorer les performances des dispositifs grâce à des propriétés de surface contrôlées.

2.optoélectronique et capteurs
- Sert de base aux capteurs optiques pour améliorer l'uniformité du signal en utilisant sa faible rugosité de surface.
- Employé dans les dispositifs photoniques pour faciliter une transmission cohérente de la lumière en tirant parti de la grande transparence et de la stabilité chimique du matériau.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) Dia. 3 pouces x 0,5 mm Emballage

La plaquette est fixée individuellement dans un emballage antistatique de qualité salle blanche afin de minimiser la contamination particulaire et les dommages mécaniques. Elle est enfermée dans un support acrylique et rembourrée avec des inserts en mousse. L'emballage est scellé dans une enveloppe inerte et résistante à l'humidité pour maintenir l'intégrité de la surface pendant le transport et le stockage. Des directives de manipulation permettent de préserver l'état impeccable de la plaquette, et des options de personnalisation sont disponibles pour des protocoles de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les mesures mises en œuvre pour contrôler l'uniformité cristallographique de la plaquette ?
R1 : Le processus de fabrication comprend un recuit contrôlé à haute température et des inspections par microscopie à force atomique en ligne pour évaluer l'uniformité de la surface et détecter toute déviation de l'orientation (0001).

Q2 : Comment la tolérance d'épaisseur de la plaquette influence-t-elle la fabrication du dispositif ?
R2 : Une épaisseur constante de 0,5 mm garantit la compatibilité avec l'équipement standard et un alignement précis pendant la photolithographie, réduisant ainsi les variations du processus et améliorant les performances du dispositif.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver les propriétés du wafer ?
R3 : La plaquette doit être stockée dans un environnement à faible humidité et à température régulée, dans un emballage antistatique, afin d'éviter la contamination de la surface et les contraintes structurelles qui pourraient avoir un impact sur ses performances.

Informations complémentaires

Les plaquettes d'oxyde d'aluminium (Al2O3) sont des substrats essentiels dans divers environnements corrosifs et à haute température en raison de leur excellente stabilité thermique et de leur inertie chimique. L'orientation contrôlée du plan C est essentielle pour les applications qui nécessitent une énergie de surface uniforme, influençant l'adhésion du film et la croissance épitaxiale.

Comprendre l'importance de l'orientation cristallographique des substrats de saphir peut aider les chercheurs à optimiser les techniques de dépôt et à affiner les architectures des dispositifs. Ces connaissances sont précieuses pour le développement de systèmes semi-conducteurs et optoélectroniques avancés où les propriétés des matériaux ont un impact direct sur l'efficacité opérationnelle.