AL10269 Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 0,5 pouce x 0,5 pouce x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 A plan (11-20) 0.5 inch x 0.5 inch x0.5 mm Description

Sapphire Wafer Al2O3 A plane (11-20) 0.5 inch x 0.5 inch x0.5 mm est un substrat d'oxyde d'aluminium (Al2O3) coupé avec précision selon l'orientation du plan A (11-20). Les dimensions de 0,5 pouce garantissent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Sa conductivité thermique élevée et son inertie chimique en font une plate-forme adaptée aux applications à haute température. La cristallinité bien contrôlée et la faible densité de défauts permettent d'obtenir des propriétés de surface cohérentes, essentielles pour la fabrication ultérieure de dispositifs.

Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 0,5 pouce x 0,5 pouce x 0,5 mm Applications

1.électronique et traitement des semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les processus de semi-conducteurs à haute température pour obtenir un minimum de défauts de réseau en tirant parti de l'inertie chimique et de la stabilité thermique de l'Al2O3.
- Utilisé comme support pour la croissance épitaxiale dans les dispositifs avancés, garantissant une morphologie de surface uniforme et un contrôle dimensionnel précis.

2)Fabrication de capteurs et de composants industriels
- Employé comme composant optique ou structurel dans les assemblages de capteurs pour obtenir des performances constantes en utilisant la dureté et la conductivité thermique élevées de la plaquette.
- Fréquemment utilisé dans les systèmes d'usinage de haute précision où un substrat stable et durable améliore la résistance mécanique pendant le traitement.

Plaquette de saphir Al2O3 A plan (11-20) 0,5 pouce x 0,5 pouce x 0,5 mm Emballage

La plaquette est placée dans une enceinte statique doublée de mousse qui minimise les chocs physiques et la contamination de la surface. Elle est emballée dans des sacs antistatiques scellés et stockée dans des conteneurs à humidité et température contrôlées pour la protéger des facteurs environnementaux. Des personnalisations supplémentaires pour les envois en vrac, y compris un emballage compartimenté et un étiquetage clair, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques en matière de manipulation et de stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles méthodes d'inspection permettent de vérifier l'orientation cristallographique et l'état de surface de la plaquette ?
R1 : SAM utilise la diffraction des rayons X pour confirmer l'orientation (11-20) et la microscopie à force atomique pour évaluer la rugosité de la surface. Ces techniques garantissent que la plaquette répond aux normes cristallographiques et topographiques rigoureuses requises pour un traitement avancé.

Q2 : Comment la plaquette doit-elle être manipulée lors de son intégration dans les processus de fabrication des semi-conducteurs ?
R2 : La plaquette doit être manipulée avec des gants de salle blanche et des pinces de précision. Elle doit être placée sur des supports à sécurité ESD pour éviter les dommages mécaniques et l'accumulation d'électricité statique. Un alignement soigneux lors de la mise en place minimise le risque de contamination ou de rayure de la surface.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver l'intégrité de la plaquette ?
R3 : La plaquette doit être stockée dans un environnement à température contrôlée et à faible humidité, idéalement dans des conteneurs antistatiques scellés. Cela permet de minimiser l'exposition aux contaminants et de prévenir la dégradation de la surface du substrat induite par l'humidité.

Informations complémentaires

Les substrats en oxyde d'aluminium (Al2O3) jouent un rôle essentiel dans diverses applications à haute température et de haute précision. La dureté, la conductivité thermique et la résistance chimique inhérentes au saphir le rendent indispensable dans les domaines où la stabilité des matériaux est critique. Une métrologie de surface détaillée et des environnements de traitement contrôlés sont la norme dans sa production, garantissant des densités de défauts minimales et une cristallinité uniforme.

La compréhension des propriétés cristallographiques des substrats de saphir permet d'optimiser l'intégration dans les dispositifs à semi-conducteurs et les composants optiques. Les progrès des techniques de dépôt et de polissage, associés à des mesures rigoureuses de contrôle de la qualité, contribuent à l'adoption plus large de ces substrats dans les environnements industriels et de recherche où la constance des performances est exigée.