AL10267 Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm

Plaque de saphir Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm Description

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm est un substrat d'oxyde d'aluminium de haute pureté avec une orientation spécifique du plan R. Ses dimensions compactes facilitent l'intégration dans les équipements de traitement des semi-conducteurs standard. Ses dimensions compactes facilitent son intégration dans les équipements standards de traitement des semi-conducteurs. La coupe du plan R améliore l'uniformité de la surface, ce qui est essentiel pour minimiser la propagation des dislocations lors de la fabrication des dispositifs. L'inertie chimique et la dureté mécanique du matériau offrent des avantages dans les environnements exigeant une grande stabilité thermique et chimique.

Plaque de saphir Al2O3 R plane 0,5 pouce x0,5 pouce x0,5 mm Applications

Électronique et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les systèmes de dépôt de couches minces pour obtenir une croissance uniforme du film en tirant parti de l'orientation précise des cristaux.
- Utilisé comme base pour les éléments de capteurs à haute température afin de permettre un fonctionnement stable dans des environnements thermiques difficiles en bénéficiant de la stabilité thermique de l'Al2O3.

Optoélectronique
- Sert de plateforme dans la fabrication des LED pour améliorer l'efficacité de l'extraction de la lumière en utilisant sa grande clarté optique.
- Fréquemment utilisé pour les montages de diodes laser afin de maintenir l'intégrité structurelle sous des densités de courant opérationnelles élevées grâce à sa dureté supérieure.

Plaque de saphir Al2O3 R plane 0,5 pouce x0,5 pouce x0,5 mm Emballage

La plaquette de saphir Al2O3 R plane 0,5 pouce x 0,5 pouce x 0,5 mm est emballée dans un conteneur antistatique et rembourré afin d'atténuer les contraintes mécaniques et d'empêcher la contamination par des particules. L'utilisation de matériaux inertes et résistants à l'humidité garantit la protection pendant le transport et le stockage. L'emballage est conçu pour contrôler l'exposition à l'environnement et peut inclure un étiquetage personnalisé et une compartimentation en fonction des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan R affecte-t-elle la performance du substrat ?
R1 : L'orientation du plan R favorise un arrangement atomique uniforme, facilitant le dépôt d'un film cohérent et réduisant la propagation des défauts pendant la fabrication des dispositifs. Il en résulte une amélioration des rendements de traitement et des performances des dispositifs dans des conditions de fabrication de haute précision.

Q2 : Quelles sont les mesures prises pour contrôler les niveaux d'impureté dans la plaquette ?
R2 : Le processus de production comprend des contrôles environnementaux rigoureux et une métrologie de surface, telle que des inspections par MEB, afin de surveiller et de minimiser les impuretés. Ce protocole garantit que la plaquette conserve le niveau de pureté élevé requis pour les applications de semi-conducteurs avancées.

Q3 : Cette plaquette peut-elle être intégrée dans un équipement standard de traitement des semi-conducteurs ?
R3 : Oui, la taille compacte de la plaquette et la surface uniforme du plan R sont compatibles avec les outils de traitement des semi-conducteurs standard. Cette compatibilité facilite l'intégration dans divers processus de fabrication microélectronique sans nécessiter de modifications importantes de l'équipement.

Informations complémentaires

L'oxyde d'aluminium, connu sous le nom d'Al2O3, est largement utilisé dans les matériaux de substrat en raison de son excellente stabilité thermique et chimique. Son point de fusion élevé et sa résistance mécanique en font un matériau adapté aux traitements à haute température et aux applications où la durabilité du matériau est primordiale. La coupe dans le plan R fournit spécifiquement une orientation cristallographique bien définie qui aide à obtenir un dépôt de film cohérent.

Dans le contexte plus large de la science des matériaux, les substrats tels que les plaques de saphir contribuent de manière significative à l'avancement des dispositifs microélectroniques et optoélectroniques. Le contrôle détaillé des propriétés cristallographiques et de la densité des défauts est essentiel pour garantir la performance et la longévité des composants de haute technologie dans des environnements industriels compétitifs.