AL10264 Saphir Wafer Al2O3 M plan 10x10x1.0 mm

Plaque de saphir Al2O3 M plan 10x10x1.0 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 M plane 10x10x1.0 mm est fabriquée à partir d'oxyde d'aluminium de haute pureté (Al2O3) avec une orientation M plane, optimisée pour les applications nécessitant des propriétés cristallographiques précises. Les dimensions de la plaquette garantissent la compatibilité avec les équipements de traitement standard, tandis que l'épaisseur et la planéité contrôlées permettent d'améliorer les performances dans les environnements optiques et semi-conducteurs. Sa dureté intrinsèque et son inertie chimique servent également de base stable pour la croissance épitaxiale ultérieure, minimisant ainsi la propagation des défauts.

Plaque de saphir Al2O3 M plane 10x10x1,0 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans les dispositifs LED pour obtenir une émission lumineuse uniforme en tirant parti de l'orientation cristallographique constante de la plaquette.

Traitement des semi-conducteurs
- Utilisé comme plaquette porteuse lors de la fabrication de dispositifs pour optimiser la gestion thermique en utilisant sa conductivité thermique élevée et sa stabilité dimensionnelle.

Composants optiques
- Utilisé comme base dans les assemblages de capteurs optiques pour améliorer l'intégrité du signal grâce à ses propriétés de surface lisse et chimiquement inerte.

Plaquette de saphir Al2O3 M plane 10x10x1.0 mm Emballage

La plaquette est emballée individuellement dans un conteneur dissipateur d'électricité statique avec un rembourrage en mousse pour absorber les chocs mécaniques. Elle est scellée dans un sac antistatique pour éviter la contamination par les particules et les décharges électrostatiques. L'emballage est conçu pour être stocké dans un environnement à température et humidité contrôlées. Des options d'étiquetage personnalisé et d'emballage compartimenté sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manutention et d'expédition.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan M influence-t-elle les performances du dispositif ?
R1 : L'orientation du plan M fournit une surface cristallographique unique qui améliore l'uniformité de la croissance de la couche épitaxiale. Il en résulte une meilleure adhérence du film et une réduction de la densité des défauts, ce qui profite aux applications semi-conductrices et optiques en facilitant la fabrication de dispositifs plus précis.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour la plaquette ?
R2 : La plaquette doit être stockée dans un environnement propre, à température contrôlée et à faible humidité pour éviter l'absorption d'humidité et le stress thermique. Un emballage antistatique et rembourré approprié est essentiel pour atténuer les dommages mécaniques et les risques de contamination.

Q3 : SAM peut-il personnaliser les dimensions des plaquettes ou les finitions de surface ?
R3 : Oui, SAM propose des options de personnalisation limitées telles que des ajustements de l'épaisseur, des dimensions latérales et des finitions de surface. Des examens techniques garantissent que toutes les modifications respectent les exigences de compatibilité des processus nécessaires pour les environnements de fabrication avancés.

Informations complémentaires

Le saphir, une forme cristalline d'oxyde d'aluminium (Al2O3), est réputé pour sa conductivité thermique élevée, son inertie chimique et sa dureté mécanique. Ces caractéristiques en font un matériau bien adapté aux applications qui exigent des performances stables dans des conditions d'exploitation difficiles. Sa transparence optique et ses propriétés d'isolation électrique facilitent également son utilisation dans divers équipements électroniques de haute précision.

Dans le contexte des substrats cristallins, les propriétés intrinsèques du saphir contribuent à améliorer la fiabilité et les performances des dispositifs lors de la fabrication de semi-conducteurs et d'optiques de pointe. Comprendre la science des matériaux qui sous-tend les substrats d'Al2O3 permet d'optimiser les paramètres des processus pour une intégration de niveau supérieur dans des applications industrielles et de recherche très demandées.