AL10261 Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 0,25 pouce x 0,25 pouce x 0,5 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 0.25 inch x 0.25 inch x 0.5 mm Description

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 0.25 inch x 0.25 inch x 0.5 mm est un substrat semi-conducteur composé d'oxyde d'aluminium de haute pureté (Al2O3). L'orientation du plan C (0001) offre une topologie de surface uniforme, ce qui est essentiel pour le dépôt d'un film épitaxial. Ses dimensions, 0,25 pouce par 0,25 pouce avec une épaisseur de 0,5 mm, garantissent la compatibilité avec les équipements de traitement standard. Cette structure cristallographique contrôlée permet de minimiser la densité des défauts lors de la fabrication des dispositifs.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 0,25 pouce x 0,25 pouce x 0,5 mm Applications

1)Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les réseaux de diodes électroluminescentes pour obtenir une croissance uniforme du film épitaxial en tirant parti de son orientation constante dans le plan C.
- Appliqué comme couche de base dans les circuits RF pour réduire la perte de signal en utilisant sa faible densité de défauts et sa composition chimique stable.

2)Applications optoélectroniques
- Utilisé comme matériau de fenêtre dans les capteurs optiques pour obtenir une transmission stable de la lumière grâce à sa morphologie de surface homogène.
- Utilisé comme substrat pour la fabrication de diodes laser afin d'améliorer la stabilité de l'émission en tirant parti de ses propriétés cristallographiques contrôlées.

3)Applications industrielles
- Utilisé comme composant dans les capteurs à haute température pour obtenir une stabilité des performances en tirant parti de son inertie chimique.
- Utilisé comme substrat dans l'instrumentation de précision pour garantir des résultats de mesure précis en utilisant sa propagation minimale des défauts.

Plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 0,25 pouce x 0,25 pouce x 0,5 mm Emballage

Chaque plaquette est emballée individuellement dans un support antistatique avec un rembourrage en mousse intégré pour éviter les dommages mécaniques et la contamination. La plaquette est scellée dans des sachets résistants à l'humidité et à la contamination et stockée dans une salle blanche. L'emballage est conçu pour maintenir une température ambiante et des niveaux d'humidité contrôlés. Des options d'étiquetage et de conditionnement personnalisées sont également disponibles pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan C (0001) est-elle vérifiée dans ces plaquettes ?
R1 : L'orientation du plan C est confirmée par une analyse de diffraction des rayons X (XRD) à haute résolution. Cette technique permet de s'assurer que l'alignement cristallographique répond aux exigences strictes nécessaires au dépôt d'un film uniforme dans le traitement des semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité appliquées pendant la fabrication des plaquettes ?
R2 : Le processus de fabrication comprend une inspection optique avancée et une analyse spectroscopique pour vérifier la planéité de la surface et la composition chimique. Ces mesures permettent d'identifier rapidement les écarts et garantissent que la plaquette conserve la cohérence cristallographique et compositionnelle requise.

Q3 : Les dimensions des plaquettes sont-elles compatibles avec les équipements de traitement standard ?
R3 : Oui, les dimensions des plaquettes de 0,25 pouce sur 0,25 pouce avec une épaisseur de 0,5 mm sont conçues pour être compatibles avec les outils de fabrication de semi-conducteurs existants. Cela facilite l'intégration dans les divers processus de croissance épitaxiale et de fabrication de dispositifs.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir en oxyde d'aluminium sont largement utilisés dans les applications semi-conductrices et optoélectroniques en raison de leur excellente stabilité thermique et chimique. Leur dureté inhérente et leur réactivité minimale les rendent adaptés aux environnements nécessitant des matériaux durables et inertes, résistants aux températures élevées et aux produits chimiques agressifs.

Il est essentiel de comprendre les orientations cristallographiques des plaquettes de saphir pour optimiser le dépôt de films minces et de couches épitaxiales. L'alignement du plan C (0001) est particulièrement favorisé dans de nombreuses applications car il favorise l'uniformité et réduit la propagation des défauts pendant le traitement à haute température. Cette connaissance joue un rôle important dans la sélection des matériaux et le développement des processus dans la fabrication électronique avancée.