AL10256 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.25 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.25 mm Description

Le Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.25 mm est un substrat monocristallin composé d'oxyde d'aluminium (Al2O3). Les dimensions de 10x10 mm avec une épaisseur de 0,25 mm assurent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Son orientation (0001) dans le plan C fournit une surface cristalline uniforme essentielle pour la croissance épitaxiale et les dispositifs optiques de haute performance. L'inertie chimique inhérente et la stabilité thermique élevée permettent des applications exigeant des propriétés matérielles rigoureuses.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.25 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour atténuer les défauts d'interface en tirant parti de sa structure cristalline uniforme.

Systèmes optiques
- Utilisé comme fenêtre optique dans les assemblages de capteurs pour résoudre les problèmes de diffusion de la lumière en utilisant la planéité constante de sa surface.

Industrie
- Utilisé comme composant dans les équipements de traitement à haute température pour maintenir les propriétés d'isolation en utilisant sa stabilité thermique.

Plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.25 mm Emballage

La plaquette est emballée dans des sachets antistatiques à faible énergie de surface et dans des conteneurs rembourrés en matériaux inertes afin de minimiser les impacts mécaniques et la contamination. Le stockage dans des environnements propres, à température et humidité contrôlées, est recommandé pour préserver l'intégrité du matériau. Des options d'emballage rigide personnalisées, y compris la compartimentation et l'étiquetage, sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de transport et de stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la planéité de la surface est-elle contrôlée pendant la fabrication ?
R1 : La plaquette subit des inspections par microscopie à force atomique et interférométrie laser pour garantir la planéité de la surface dans des tolérances de l'ordre du micromètre. Ces méthodes permettent de mesurer efficacement la rugosité et de détecter les défauts mineurs qui pourraient avoir une incidence sur le traitement ultérieur.

Q2 : Quel rôle joue l'orientation du plan C (0001) dans les performances du substrat ?
R2 : L'orientation (0001) fournit un plan de clivage uniforme qui améliore la précision du dépôt épitaxial. Cet alignement réfléchi améliore la qualité de l'interface pour les applications semi-conductrices et optiques.

Q3 : Comment la densité des défauts est-elle minimisée pendant la production ?
A3 : SAM utilise un traitement thermique contrôlé et des inspections rigoureuses en ligne à l'aide d'outils de métrologie pour détecter et réduire les défauts. Cette approche garantit que la plaquette atteint la cohérence nécessaire à la fabrication de dispositifs électroniques haut de gamme.

Informations complémentaires

L'oxyde d'aluminium sous sa forme monocristalline, communément appelé saphir, présente une dureté élevée, une excellente conductivité thermique et une inertie chimique. Ces propriétés en font un choix fréquent pour les substrats dans les applications électroniques et optiques où la durabilité du matériau est essentielle. La compréhension de l'orientation cristallographique facilite en outre la sélection des matériaux pour des processus de fabrication spécifiques.

La production de plaquettes de saphir implique une croissance cristalline contrôlée et des évaluations post-traitement approfondies. Les chercheurs et les ingénieurs s'appuient sur des caractérisations détaillées des matériaux pour intégrer ces substrats dans des dispositifs avancés, en veillant à ce que la compatibilité de l'équipement de traitement et les exigences spécifiques à l'application soient satisfaites grâce à une ingénierie précise des matériaux.